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晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴增

作者:佚名  來源:m.1cnz.cn  發布時間:2010-1-11 9:36:51  [收 藏] [評 論]

晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴增

    2010年一開春臺積電、聯電法說成外界關注焦點,晶圓雙雄對于2010年景氣的論調與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標之一。半導體設備業者表示,盡管2009年景氣波動劇烈,但以臺積電為例,過去景氣不錯的數年,臺積電采買設備都不手軟,目前已知2010年臺積電資本支出將高達約45億美元,聯電資本支出則約10億美元,都大幅超前2009年。

    臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上,臺積電總共約采買新臺幣1,450億元,相當于45億美元添購設備,預料將使原本已經產能稍許吃緊的設備業者,在因應急單時更捉襟見肘。

    據了解,甚至部分大外商已經在銅制程蝕刻設備方面無法因應客戶急單,因為有許多半導體晶圓廠如臺積電、聯電、全球晶圓(GlobalFoundries)及大型整合元件廠、存儲器廠訂單都集中在第1季。

    這樣晶圓廠僅及擴充產能、急拉設備的情況在2010年將會延續,這意味著對半導體設備業者的大多頭市場來臨。

    據半導體設備業者估計,臺積電2010年資本支出約計45億美元,較2009年28億~29億美元至少成長6成;值得注意的是,臺積電不僅擴充一般性制程,也會積極采買前段微顯影設備。

    業者分析,這可能與臺積電之前的40奈米良率問題有關,臺積電若未能有效克服良率拉高的挑戰,短期內將以擴充機臺做為解決客戶產能不足的權變方案。因此在技術方面,40奈米良率仍將是本季臺積電法說外界關切焦點,其次則是臺積電的資本支出額度。

    在聯電方面,半導體設備業者預估,聯電2010年資本支出成長幅度較臺積電高,主要是聯電2009年資本支出基期較低,但2010年聯電在12寸廠先進制程將會較積極,因此2010年資本支出則上看10億美元,較2009年的5億美元達到倍增的程度。聯電的擴充重點據點則將會是新加坡的UMCi及12B的先進制程產能。

 

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