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電子發(fā)燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>10nm工藝+6GB LPDDR4內存!三星Galaxy Note 6實力爆表

10nm工藝+6GB LPDDR4內存!三星Galaxy Note 6實力爆表

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2018-07-19 09:47:001303

三星宣布量產第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內存3600MHz起步

據報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經正式投產了,8Gb DDR4顆粒采取了先進的專用電路設計技術,比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經跳票三年之久,每當一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:005069

三星宣布,將量產LPDDR5存儲器顆粒,速度將比LPDDR4存儲器快50%

LPDDR5 存儲器的測試。市場預估,在三星推出 8GB LPDDR5 存儲器之后,在 2019 年問世的三星 Galaxy S10 智能型手機要用 8GB LPDDR5 存儲器應該也就是在計劃中了。
2018-07-18 17:56:003077

三星PM883 SSD固態(tài)硬盤:LPDDR4內存作為緩存顆粒,最先進的10nm工藝制造

三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤,型號“PM883”,最大特點是第一次用上了LPDDR4內存作為緩存顆粒。PM883面向數據數據中心市場,采用標準的2.5寸SATA規(guī)格,主控方案未知(估計是三星自家的),閃存是三星64層3D V-NAND顆粒,容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0010997

三星第二代10nm級別工藝LPDDR4X內存開始量產,可使手機平板等移動設備更省電

根據報道,三星第二代10nm級別工藝LPDDR4X內存已經量產,相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機平板等移動設備更省電。
2018-07-26 16:56:23902

三星10nm級DDR4 SoDIMM內存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內存模組,用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應用于移動設備

三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產以來,三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應用領域。
2018-08-08 15:22:281050

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產,主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

三星表示Galaxy S10和S10+手機的內存都是8GB起步

除了官網信息錯誤之外,甚至出現手機本身顯示的內存容量也是錯的。據Android Police報道,一位名為 Curly_umbrella的網友在reddit論壇分享了一張照片,這張照片清楚地顯示,三星Galaxy S106GB內存。
2019-02-24 09:29:321625

三星宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm工藝的DRAM內存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm工藝DRAM內存芯片,下半年量產

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內存下半年量產

關鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。量產時間
2019-03-29 07:52:01215

三星Galaxy Note 10將會運行安卓10.0系統(tǒng)擁有512GB和256GB版本

據外媒報道稱,三星歐洲等官網上都已經出現了Note 10的細節(jié),不過雖然不多,但是還是能看出一些端倪,比如Note 10+將會運行安卓10.0系統(tǒng),并且頂配是512GB版本,當然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818

三星Galaxy Note10發(fā)布會正式召開, 8GB+256GB版本售價6599元

+ 5G版也正式亮相。三星Galaxy Note10 8GB+256GB版本售價6599元,三星Galaxy Note10+ 5G 12GB+256GB版本售價7999元,這樣的售價讓大家感到十分驚喜
2019-08-22 11:39:393105

三星Galaxy Note10系列到9月初將打入130個市場進行開賣

國行三星Galaxy Note10系列將于9月12日上市,只有兩款機型,分別是Galaxy Note10 8GB+256GBGalaxy Note10+ 5G 12GB+256GB,相對一些海外
2019-08-26 08:41:39473

三星Galaxy Note10 Lite跑分曝光,采用三星第二代10nm工藝8核心架構

11月28日消息,近日,美國FCC對三星Galaxy Note10 Lite的S Pen進行了認證,這意味著Galaxy Note10 Lite即將推出。現在,Note10 Lite的跑分也出現了GeekBench網站上。
2019-11-28 17:33:154131

三星16GB LPDDR5宣布量產,可節(jié)省超過20%的功耗

三星電子今天宣布已經開始大規(guī)模生產業(yè)內第一個16GBLPDDR5移動 DRAM 封裝,基于三星第二代10nm工藝技術,可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手機。繼2019
2020-02-25 13:48:201813

英偉達安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術,另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星將EUV與10nm工藝結合推出LPDDR5內存芯片

EUV,依靠現有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合,用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉,三星的新一代內存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:292234

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X內存是目前市面上最為先進和流行的手機和移動設備內存。 該內存是針對移動設備而設計的,因為移動設備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

DDR4、LPDDR4LPDDR4x的區(qū)別

已保留有6位SDR空間。最后,它占用的片上空間更少,單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設備與更快的LPDDR4內存兼容,它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368386

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579

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