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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>中芯國際和新思科技攜手推出參考設計流程4.0

中芯國際和新思科技攜手推出參考設計流程4.0

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2023-06-21 15:55:577064

思科攜手力積電,以3DIC解決方案將AI推向新高

地將多個裸片相鄰連接,而是通過硅晶圓或裸片的垂直堆疊來大幅提高性能和功耗表現,并讓尺寸變得更小。 為此,新思科技和力晶積成電子制造股份有限公司(簡稱“力積電”)攜手合作,共同推出新的晶圓堆棧晶圓(WoW)和晶圓堆棧芯片(CoW)
2023-06-27 17:35:01746

華為開發者大會2023丨中軟國際攜手深開鴻,邀您一同見證開鴻智聯新突破

? ? ? 原文標題:華為開發者大會2023丨中軟國際攜手深開鴻,邀您一同見證開鴻智聯新突破 文章出處:【微信公眾號:中軟國際】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
2023-07-28 20:15:01391

全面支持Intel 16!新思科技EDA流程及IP獲認證,攜手推動成熟應用領域創新

思科技EDA數字和定制設計流程及半導體IP可提高芯片的功耗、性能和面積,同時將Intel 16制程工藝的集成風險降至最低 基于英特爾代工服務加速器(IFS Accelerator)生態聯盟,新思科
2023-08-07 18:45:03334

思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認證

思科技經認證的多裸晶芯片系統設計參考流程和安全的Die-to-Die IP解決方案,加速了三星SF 5/4/3工藝和I-Cube及X-Cube技術的設計和流片成功。 新思科技3DIC
2023-09-14 09:38:28839

思科技設備在臺積電流片2nm芯片

《半導體芯科技》編譯 來源:EENEWS EUROPE 新思科技(Synopsys)表示,其客戶已在臺積電2nm工藝上流片了多款芯片,同時對模擬和數字設計流程進行了認證。 新思科技表示,臺積電2nm
2023-10-08 16:49:24285

思科攜手臺積公司加速2nm工藝創新,為先進SoC設計提供經認證的數字和模擬設計流程

多個設計流程在臺積公司N2工藝上成功完成測試流片;多款IP產品已進入開發進程,不斷加快產品上市時間 ? 摘要: 新思科技經認證的數字和模擬設計流程可提高高性能計算、移動和AI芯片的產品質量
2023-10-19 11:44:22104

思科技提供跨臺積公司先進工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

設計質量的同時,節省數周的手動迭代時間。 新思科技可互操作工藝設計套件(iPDK)適用于臺積公司所有FinFET先進工藝節點,助力開發者快速上手模擬設計。 新思科攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設計參考流程,能夠為現代射頻集成電路設計提供完整解決方案。 加利福
2023-10-24 11:41:37186

思科攜手臺積公司加速N2工藝下的SoC創新

思科技近日宣布,其數字和定制/模擬設計流程已通過臺積公司N2工藝技術認證,能夠幫助采用先進工藝節點的SoC實現更快、更高質量的交付。新思科技這兩類芯片設計流程的發展勢頭強勁,其中數字設計流程已實現
2023-10-24 16:42:06475

思科技面向臺積公司N5A工藝技術推出領先的廣泛車規級IP組合

思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,面向臺積公司N5A工藝推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基礎IP產品組合,攜手臺積公司推動下一代“軟件定義汽車”發展,滿足汽車系統級芯片(SoC)的長期可靠性和高性能計算需求。
2023-10-24 17:24:56505

思科攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程,助力加速射頻芯片設計

仿真精度,并加快產品的上市時間。 加利福尼亞州桑尼維爾, 2023 年 10 月 30 日 - 新思科技(Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼: SNPS)近日宣布,攜手
2023-10-30 16:13:05106

思科推出業界領先的廣泛車規級接口IP和基礎IP產品組合

ASIL B 級和 D 級標準,有助于客戶達成其汽車安全完整性(ASIL)目標。 新思科技的基礎IP、LPDDR5X/5/4X、PCIe 4.0/5.0、以太網、MIPI C-PHY/D-PHY
2023-10-31 09:18:44709

思科技可互操作工藝設計套件助力開發者快速上手模擬設計

模擬設計 新思科攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設計參考流程,能夠為現代射頻集成電路設計提供完整解決方案 新思科技(Synopsys)近日宣布,其模擬設計遷移流程已應用于臺積公司N4P、N3E 和 N2 在內的多項先進工藝。作為新思科技定制設計系列產品
2023-11-09 10:59:40436

思科攜手合作伙伴開發針對臺積公司N4P工藝的射頻設計參考流程

(RF)設計和接口IP五項大獎。新思科技與臺積公司長期穩固合作,持續提供經過驗證的解決方案,包括由Synopsys.ai全棧式AI驅動型EDA解決方案支持的認證設計流程,幫助共同客戶加快創新型人工智能
2023-11-14 10:31:46376

思科攜手Ansys和三星共同開發14LPU工藝的全新射頻集成電路設計

思科技(Synopsy)近日宣布,攜手Ansys 、三星半導體晶圓代工(以下簡稱“三星”)共同開發了面向三星14LPU工藝的全新射頻集成電路(RFIC)設計參考流程
2023-12-11 18:25:55451

思科攜手臺積公司推出“從架構探索到簽核” 統一設計平臺

思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0標準,可用于異構集成和“從架構探索到簽核”的完整解決方案。
2024-01-12 13:40:50232

思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進芯片設計

?芯片制造商與EDA解決方案和廣泛的IP組合緊密合作, 能夠提升產品性能并加快上市時間 摘要: 新思科技數字和模擬EDA流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 10:16:5984

思科攜手英特爾加速Intel 18A工藝下高性能芯片設計

思科技數字和模擬 EDA 流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 17:23:44238

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