自然期刊，這對(duì)于1nm以下的半導(dǎo)體制程來(lái)說(shuō)是一次巨大的突破。 ? 當(dāng)前主流半導(dǎo)體制程已經(jīng)發(fā)展至3nm和5nm，乃至IBM也在近期推出了2nm，但單位面積內(nèi)所能容納的晶體管數(shù)目也已經(jīng)逼近硅的物理極限，雖說(shuō)制程突破受制于生產(chǎn)設(shè)備，卻也
2021-05-18 09:00:00
5549 8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專(zhuān)家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱(chēng)，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動(dòng)作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對(duì)集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時(shí)，hFE為1時(shí)的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿(mǎn)足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)到EDVAC，這些計(jì)算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制的計(jì)算。然而電子管元件有許多明顯的缺點(diǎn)。例如，在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定義如圖Z0213。 hie、hre、hfe、hoe 這4個(gè)參數(shù)稱(chēng)為晶體管的等效h 參數(shù)，它們的物理意義為： hie稱(chēng)為輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，簡(jiǎn)稱(chēng)輸入電阻。它反映輸出電
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱(chēng)為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類(lèi)型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強(qiáng)弱。控制能力強(qiáng)，則放大大。但如果要從晶體管內(nèi)部的電子、空穴在PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的作用下，電子、空穴是如何運(yùn)動(dòng)的、晶體管的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)電子、空穴是如何控制的等一些物理過(guò)程來(lái)看，就比較復(fù)雜了。對(duì)這個(gè)問(wèn)題，許多
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶體管，而單極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類(lèi)型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動(dòng)作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對(duì)集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時(shí)，hFE為1時(shí)的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
。晶體管通常由硅晶體制成，采用N和P型半導(dǎo)體層相互夾合形式。見(jiàn)下圖 1。圖 1：圖 1a 展示了 2N3904 TO-92 剖視圖，展示了連接到硅基的 E - 發(fā)射極、B - 基極和 C – 集電極引線
2018-06-29 16:45:19
`電子元器件市場(chǎng)中，以場(chǎng)效應(yīng)晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛(ài)，可是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)，大家都是一籌莫展，因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)有很多，其中包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)等，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注
2019-04-04 10:59:27
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于更常見(jiàn)的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質(zhì)差，包括多晶結(jié)構(gòu)、低熱導(dǎo)率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類(lèi)型的應(yīng)用？
2019-08-22 08:14:59
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對(duì)的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個(gè)器件中。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
MOSFET顯示出令人反感的短通道效應(yīng)。 將柵極長(zhǎng)度（Lg）縮小到90 nm以下會(huì)產(chǎn)生明顯的漏電流，而在28 nm以下，漏電流過(guò)大，使晶體管失效。因此，隨著柵極長(zhǎng)度的縮小，抑制關(guān)斷狀態(tài)泄漏至關(guān)重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類(lèi)型的應(yīng)用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見(jiàn)的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
1、使用加速電容在基
極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在
晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子（因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，例如在線路浪涌的情況下，松下X-GaN器件的設(shè)計(jì)具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實(shí)際上，當(dāng)前可用的符合600V操作的晶體管的靜態(tài)場(chǎng)依賴(lài)擊穿電壓在900V至1kV的范圍內(nèi)（圖7）。作為副作用，它允許
2023-02-27 15:53:50
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類(lèi)型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個(gè)晶體管問(wèn)題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，以此類(lèi)推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管的極限參數(shù)
以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過(guò)的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過(guò)額定值時(shí)，
2010-01-26 08:54:036887 最近，美國(guó)勞倫斯?伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)—已經(jīng)成功研制出柵極(晶體管內(nèi)的電流由柵極控制)僅長(zhǎng)1納米的晶體管，號(hào)稱(chēng)是有史以來(lái)最小的晶體管。
2016-10-10 10:29:303440 為什么說(shuō)7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過(guò)這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過(guò)
2016-10-10 16:49:395833 摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會(huì)有一個(gè)權(quán)限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實(shí)上，隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出
2016-12-22 10:23:1142226 勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。
2018-06-22 15:44:044459 如今5nm才剛剛起步，臺(tái)積電的技術(shù)儲(chǔ)備就已經(jīng)緊張到了2nm，并朝著1nm邁進(jìn)。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023
2020-11-26 10:48:092546 
半導(dǎo)體制程已經(jīng)進(jìn)展到了3nm，今年開(kāi)始試產(chǎn)，明年就將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，之后就將向2nm和1nm進(jìn)發(fā)。相對(duì)于2nm，目前的1nm工藝技術(shù)完全處于研發(fā)探索階段，還沒(méi)有落地的技術(shù)和產(chǎn)能規(guī)劃，也正是因?yàn)槿绱耍沟?b class="flag-6" style="color: red">1nm技術(shù)具有更多的想象和拓展空間，全球的產(chǎn)學(xué)研各界都在進(jìn)行著相關(guān)工藝和材料的研究。
2021-12-17 15:18:0610991 1nm芯片是什么意思？目前芯片的代工工藝制程工藝已經(jīng)進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)，在1nm芯片制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)迎來(lái)技術(shù)突破。芯片的發(fā)展一直都很快，有消息稱(chēng)IBM與三星聯(lián)手將實(shí)現(xiàn)1nm及以下芯片制程工藝。
2021-12-17 14:34:4330435 目前手機(jī)處理器的工藝制程是7nm，臺(tái)積電也即將量產(chǎn)5nm芯片，未來(lái)還有2nm甚至1nm芯片的出現(xiàn)。臺(tái)積電的研發(fā)負(fù)責(zé)人曾在談?wù)摪雽?dǎo)體工藝極限的問(wèn)題時(shí)，認(rèn)為到2050年，晶體管可達(dá)0.1nm的氫原子尺度。
2022-06-24 16:10:0322959 現(xiàn)在科技越來(lái)越發(fā)達(dá)，芯片設(shè)計(jì)也在不斷創(chuàng)新與突破，前段時(shí)間IBM就研制出了全球首顆2nm芯片，這顆芯片能夠容納500億個(gè)晶體管，它的最小單元比DNA的單鏈還要小。
2022-07-06 09:41:4034020 三星3nm采用的晶體管架構(gòu)是GAAFET，也被稱(chēng)為Nanosheet，而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。
2022-09-05 15:03:574512 高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒(méi)有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長(zhǎng)度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:042020 IBM 剛剛官宣研發(fā)2nm芯片不久，臺(tái)積電再次發(fā)起了挑戰(zhàn)！ 臺(tái)積電取得1nm以下制程重大突破，不斷地挑戰(zhàn)著物理極限。
2022-10-20 10:39:11901 、臺(tái)積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒(méi)說(shuō)時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。 臺(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓
2022-10-31 11:06:301316 
在 VLSI 2021 上，imec 推出了 forksheet 器件架構(gòu)，以將納米片晶體管系列的可擴(kuò)展性擴(kuò)展到 1nm 甚至更領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)。
2022-11-01 10:50:423482 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:481309 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:291164 
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