Si之后的新一代功率半導體材料的開發在日本愈發活躍。進入2013年以后，日本各大企業相繼發布了采用SiC和GaN的功率元件新產品，還有不少企業宣布涉足功率元件業務。
2013-04-19 09:08:31
1795 （Sapphire）與碳化矽（SiC）基板為主，且重大基本專利掌握在日本、美國和德國廠商手中。有鑒于專利與材料種種問題，開發矽基氮化鎵（GaN-on-Si）磊晶技術遂能擺脫關鍵原料、技術受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場發展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風光宣布，共同成功開發出基于8吋GaN-on-Si基板技術的發光二極體（LED
2013-06-21 09:18:321888 業界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體和驅動IC等業務的電動動力傳動系統部高級總監Mark Muenzer介紹了對GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 市場調查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）認為，市場規模方面，2020年GaN器件市場整體規模有可能達到約6億美元。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數校正）領域，到UPS（不間斷電源）和馬達驅動，很多應用領域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化鎵（GaN）發光二極管（LED）。此舉開始廣泛使用具有成本效益的藍色LED。從那時起，GaN LED的輸出功率和光頻率都有所增加，這使得可以將這些器件與熒光粉結合使用作為照明源。
2019-03-13 08:56:004364 
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WBG) 半導體，具有更快的開關速度、更高的擊穿強度和高導熱性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領域不斷發展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導體產品的領先供應商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產品組合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
柵極電荷，它可以使用高開關頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
的開關損耗能夠得到有效的降低。如圖5所示是在維持100W的輸出功率下30min測得的器件熱成像圖（環境溫度25℃），在GaN器件無外加散熱措施的情況下，可以看到上管溫度僅為73.4℃，下管僅為62.2
2023-06-25 15:59:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系統的架構怎樣去選擇？LED驅動技術是怎樣降低電視機的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
LED的特點是工作電壓低，即使是白光LED的工作電壓也不會高于4V，相對于有效值220V的交流市電來說，就需要降壓或限流。降壓是通過工頻變壓器或高頻逆變器將市電降低到與LED工作電壓相匹配的電壓等級
2019-09-17 07:26:41
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
頻率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高頻率：4,000 MHz最低頻率：0 MHzNPTB00025B 產品詳情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術提供商。我們提供
2019-11-01 10:46:19
描述該參考設計為客戶提供有關電源設計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設計使用 TPS40400 控制器來驅動 CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
，隨后進一步將電壓降低到數字電路所需要的電壓電平。現在，客戶可以使用更少的轉換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年內，GaN可以在提供更大輸出功率的同時減小適配器尺寸。隨之而來的將是易于攜帶，同時又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 將實現成本結構和使用現有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優勢。由于硅是一種導電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
功率密度射頻應用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，發布兩款全新的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）系列產品
2019-09-11 11:51:15
對市場驅動因素的分析表明，加速WBG設備實現的更有效方法的商業采用需要降低組件的成本。這導致了圍繞用于控制高效系統的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
驅動許多技術進步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標準時，GaN 較之現在的技術具有明顯的優勢。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優點：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統效率提高我們已經
2017-07-28 19:38:38
市場上已有的解決方案，以降低開發成本。在當今對成本和功耗都非常敏感的“綠色”環境下，對于高技術企業，兩種挑戰都有什么影響呢？第一種挑戰意味著開發全新的產品，其功能是獨一無二的，具有較低的價格以及較低
2019-08-09 07:41:27
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機驅動組件的尺寸過大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨的機柜中，并通過長距離的布線連接到機器人手臂。這便降低了工業機器人單位立方米的生產效率。利用GaN技術，可以更簡單地將驅動
2019-03-01 09:52:45
問題：如何通過驅動高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的綜合性方法很重要。如需了解與TI計劃相關的進一步細節，請參考Sandeep Bahl的白皮書，一個限定GaN產品的綜合方法。為了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
盡可能多天線以達到目標容量，而將GaN－on－Si器件技術與模塊驅動設計相結合，便能夠設計并部署更小、更輕的產品。”顯然，GaN的使用的確會帶來許多優勢，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。 如今存在的兩種主要GaN技術為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術的機遇和挑戰 ④ 針對寬禁帶電力電子技術特性的封裝技術 ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優勢、驅動上的區別、結構和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
的產值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優勢，仍是各大科技廠矚目的焦點。除了高規格產品使用GaN-on-SiC的技術外，GaN-on-Si透過其成本優勢，成為目前GaN功率組件的市場
2019-05-09 06:21:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
方向為更高的功率密度，更小的體積，更低的成本及損耗。特別是材料迭代方面，從硅Si材料逐漸向氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料升級，使得功率器件體積和性能均有顯著提升。那么什么是第三代半導體GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作頻率為 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的輸出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶體管，適用于脈沖 L 波段雷達系統，適用于 1.2 至 1.4 GHz 的機場監視雷達 (ASR) 應用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透過先進的MOCVD技術降低LED制造成本
隨著LED的主流應用從平板電視背光源進入到一般照明的市場，高亮度LED的成長可說是一片看好
2010-03-27 09:31:46682 目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:34
29 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 SOITEC與重慶四聯光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達成了協議。GaN晶體模板在LED的生產中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:06918 安森美半導體（ON Semiconductor）加入了領先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業界研究及開發項目，共同開發下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 來自德國的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型態晶圓給功率半導體與LED廠商使用。AZZURRO擁有獨家專利氮化鎵上矽（GaN-on-Si）的技術。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板產品和Si基板產品方面試制了2.1mm×2.0mm測試芯片做了比較。Si基板產品的導通電阻為150mΩ，GaN基板產品的導通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
控制多LED的功率和成本eng
2017-04-13 09:22:180 21IC訊 恩智浦半導體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體（Si-LDMOS）蜂窩基礎設施產品組合，推動創新，以緊湊的封裝提供行業領先的性能，助力下一代5G蜂窩網絡發展。
2018-06-29 10:30:001973 射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001243 在蜂窩網絡應用當中，市場需要提高數據容量，但不能忍受成本的大幅提升。與LDMOS相比，Macom的硅基GaN技術能夠以更小的封裝提供更高的功率和能效，實現提高容量并降低成本的效果。以目前中國的4G基站為例，如果全部替換成GaN技術，300萬個基站每年總共可以節省數十億元的費用。
2018-05-30 03:05:001196 
2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元，研究機構Yole Développemen研究顯示預計到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復合成長率高達79%。
2018-05-22 17:02:218235 
浙江大學近期首次報道了沒有電流折疊（即沒有動態導通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:514990 面積大幅減少，并簡化周邊電路設計，達成減少模塊、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標，GaN應用范圍包括射頻、半導體照明、激光器等領域。 現行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造，其中GaN-on-SiC強調適合應用在高溫、高頻的操作環境，因此在散熱性能
2018-11-09 11:44:01220 今年9月，意法半導體展示了其在功率GaN方面的研發進展，并宣布將建設一條完全合格的生產線，包括GaN-on-Si異質外延。
2018-12-18 16:52:144894 GaN材料原先被用為如藍色LED等LED類產品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質上成長，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
本文將概述GaN在硅的開發方面的最新技術，以及通過利用大批量，大尺寸，晶圓尺寸的半導體加工技術，它可以降低生產成本。在英國，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圓上使用GaN
2019-03-13 08:54:003755 自從20年前第一批商用產品問世，GaN在射頻功率應用領域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時
2019-05-09 10:25:184319 
目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037275 
增加了四款新產品硅氮化鎵（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高發光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:401945 本文報道了一個深入研究的負閾值電壓不穩定性的gan-on-si金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進行的應力/恢復實驗，我們證明：1）在高溫和負柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 根據分析機構 Yole 的數據顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領域處于領先地位。
2020-03-01 19:45:152726 科技半導體公司提出的GaN基復合襯底技術，結合企業自身的LED芯片技術，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產成本，改進現有LED的產業鏈結構，同時該技術還可擴展應用到GaN功率器件和MicroLED領域。
2020-04-17 16:37:573363 
MACOM是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技術供給商。 MACOM供給普遍的陸續波（CW）硅上GaN射頻功率放大器產品，這些產品是設計用于DC至6 GHz的別離器件和模塊。 MACOM的高功率
2020-07-17 09:26:49446 Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術，與傳統的2D?LED技術相比，這將降低每片芯片的成本。今年初，這家初創公司宣布
2021-03-30 16:37:202990 1月5日消息，知名供應鏈媒體 Digitimes 昨日報道稱，Unikorn 開始生產 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年為蘋果生產相應的產品。當然，蘋果的 GaN 充電器大概率是用于 Mac 系列電腦而非手機，
2021-01-05 10:40:331564 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
與硅 MOSFET 相比，電氣端子可以更接近 10 倍。這導致 GaN 和硅之間有一個明顯的區別因素：中壓 GaN 器件可以建立在平面技術上，而這對于硅器件來說成本過高。為了具有競爭力，硅器件采用垂直技術制造，因此在同一芯片中不可能有兩個功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面技術沒有這個必須垂直構建的限制，
2022-07-29 11:12:341625 
四十年來，隨著功率 MOSFET 結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術 GaN 技術，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
微反射器和預聚焦 LED 制造工藝顯著節省空間
2022-08-24 18:04:59969 
可以在各種襯底上生長，包括藍寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵（GaN）外延層可以使用現有的硅制造基礎設施，從而
無需使用高成本的特定生產設施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 功率 GaN 技術：高效功率轉換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技術是行業夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
付出更大的成本？本文會以適配器（Adaptor）的應用來做說明。圖1目標產品應用種類氮化鎵（GaN）是橫向結構的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的閘極電荷（
2022-12-09 14:41:082746 
寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉換，射頻功放，以及極端環境電子應用方面具有優異的材料優勢。
2023-08-09 16:10:10555 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11292 
保證了HEMT器件產品在0-850V的電壓區間上的安全穩定工作，在國內市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開發出650V、900V、以及1200V HEMT產品，推動氮化鎵向更高壓、更高功率應用領域邁進。
2023-11-16 11:56:22596 
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
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