引言

　　目前針對便攜式數碼產品市場，主流音頻功放的應用主要集中在幾顆不多的物料上。但是封裝形式的差異以及產品應用外圍的限制，使得終端在產品應用的時候常常因為成本的壓力，缺貨的壓力或者是客戶的要求，而需要不停的修改硬件工程師已經設計好的線路板，這就嚴重的阻礙了終端客戶推出新產品的進度。在這種情況下，上海智浦欣微電子有限公司針對數碼類市場，特別是手機市場推出了ClassAB,ClassD全系列兼容的音頻產品線，統一了封裝形式和管腳定義。提出了推薦的PCB畫法，僅需要稍微修改外圍元件，就能實現ClassAB,ClassD的超強兼容，一次設計，一勞永逸。

　　音頻功放產品線介紹

　　上海智浦欣微電子有限公司針對手機市場推出的音頻功放有四款產品：

　　1 1.2W 單端輸入單聲道ClassAB------CS6190T

　　CS6190T適用于移動電話和其他內置揚聲器的便攜式音頻設備。在5V電源供電，保證其總諧波失真和噪聲不超過1%情況下，能夠為8Ω負載提供1.2W、4Ω負載提供1.6W功率的穩定輸出。CS6190采用橋接負載結構在提供高品質音頻功率放大的同時，大大減少了外部元件數，無需外接輸出耦合電容和自舉電容。CS6190內置待機電路，當SHUTDOWN管腳接低電平時，整個電路工作在待機模式，待機電流不超過100nA。CS6190內置了雜音消除電路，可以消除芯片啟動和關斷過程中的咔嗒聲或噼噗聲。還可以通過外接電阻來調節增益。

　　2 2.7W差分輸入單聲道ClassAB------CS6105T

　　CS6105T全差分音頻功率放大器適用于移動電話、音樂播放器、DVD、筆記本電腦以及其他便攜式電子產品。在5V電源供電，輸出信號的THD小于1%的條件下，能夠向8Ω負載提供1.35W,的連續功率, 輸出信號的THD小于10%的條件下，能夠向4Ω負載提供2.7W,的連續功率。CS6105T的工作電源電壓范圍為2.2V~5.5V,可通過外部電阻來設置增益。CS6105T具有卓越的射頻噪聲抑制能力;在217Hz時-90dB的PSRR;內置pop & click雜音抑制電路以及極低的關斷電流。CS6105T提供纖小的DFN2*2_8L封裝形式，極少的外部元件數目，有助于節省PCB面積。以上這些特性讓CS6105T非常適用于手機等便攜式電子產品。

　　3 3.1W 超低EMI,免輸出濾波單聲道ClassD-----CS8120T

　　CS8120T是一款高效率， 超低EMI 3.1W單聲道D 類音頻放大器。CS8120T無需濾波器的PWM調制結構減少了外部元件、PCB面積和系統成本，而且也簡化了設計。高達90%的效率，快速的啟動時間和纖小的封裝尺寸使得CS8120T成為小型手上設備和PDA的上佳選擇。CS8120T的全差分架構和極高的PSRR有效地提高了CS8120T對RF噪聲的抑制能力,并且省去了傳統音頻功放的BYPASS電容。CS8120T采用獨創的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技術,能提供優異的全帶寬EMI抑制能力,在不加任何輔助設計時,在FCC Part15 Class B標準下仍然具有超過20dB的裕量，特別適合FM、CMMB、手機模擬電視等易受EMI干擾的應用。

　　專有的AFS(Advanced Feedback System)技術，使得CS8120T的失真度降低到0.03%,這樣CS8120T就擁有跟ClassAB一樣的高保真度，可以為客戶帶來完美的音樂體驗。

　　4 3.3W超低EMI，免輸出濾波，帶防破音功能單聲道ClassD----CS8115T

　　CS8115T是一款高效率、無破音、超低EMI、免濾波3.3W單聲道D類音頻放大器。獨特的無破音功能可以通過檢測輸出的破音失真,自動調整系統增益,不僅有效避免大功率過載輸出對喇叭的損壞,同時帶來舒適的聽覺感受。

　　CS8115T的全差分架構和極高的PSRR有效地提高了CS8115對RF噪聲的抑制能力。無需濾波器的PWM調制結構及增益內置方式減少了外部元件、PCB面積和系統成本,并簡化了設計。高達90%的效率,快速啟動時間和纖小的封裝尺寸使得S8115T成為手機和其他便攜式音頻產品的最佳選擇。

　　CS8115T也采用獨創的AERC(Adaptive Edge RateControl)技術,能提供優異的全帶寬EMI抑制能力,在不加任何輔助設計時,在FCC Part15 Class B標準下仍然具有超過20dB的裕量，特別適合FM、CMMB、手機模擬電視等易受EMI干擾的應用。

　　CS8115T也使用了專有的AFS(Advanced Feedback System)技術，失真度可以降低到0.03%,CS8115T和CS8120T一樣，可以為客戶帶來完美的音樂體驗。

　　智浦欣微電子音頻功放IC全系列產品都采用DFN2*2_8L的封裝形式，并統一了管腳定義。跟傳統的WCSP封裝類型相比，該系列產品線有產品具備如下優點：

　　1 散熱好：針對功率器件，在產品使用過程中會產生大量的熱量，如果IC本身的熱量無法通過比較好的封裝載體而散發出去，則就會導致芯片的內部溫度過高而引起芯片性能的下降。而DFN封裝天然的良好散熱性能能夠使得IC發揮出本身最佳的性能。

　　2 抗損傷：DFN封裝是普通常規的封裝形式，相對于芯片級封裝的IC來說，塑封膠體的抗損傷能力大大高過芯片級封裝的IC.

　　3 易焊接：芯片級封裝的IC是通過芯片表面的植球和PCB上的焊點相連，通常焊接只能一次，而不能重復焊接。而DFN封裝引腳是常規引腳可以重復焊接。

　　4 較少的封裝質量問題：DFN封裝完全可以避免芯片級封裝所遇到的諸如掉球，粘帶，拋料等質量問題。

　　上海智浦欣微電子有限公司針對ClassD的專有技術介紹

　　1: AERC(Adaptive Edge Rate Control)技術--超低EMI

　　傳統的Class D一直倍受EMI的困擾，Chipstar采用AERC技術的新一代Class D最大程度的降低了EMI干擾，使得在AM，FM，手機系統中應用基本不受影響。

　　傳統ClassD　EMI的來源主要有下面幾個方面：

　　(1)輸出方波在高低切換過程中釋放的高頻能量

　　(2)由于“死區”時間的存在，死區釋放后，功率管體二極管反向恢復引起尖峰能量

　　(3)PCB上雜散的電容和電感引起的輸出方波上疊加的振鈴能量

　　傳統的Class D一般都是用開關管直接驅動功率管輸出功率，可以說對輸出方波的上升和下降時間以及波形完全是失控的。如圖1,2所示，實際應用中傳統Class D的輸出方波有很大的過沖和很長時間的振鈴，并且上升時間和下降時間完全是失控的。這就是傳統ClassD　EMI問題突出的主要原因。

　　圖1 傳統ClassD　PWM信號上升沿 圖2 傳統ClassD　PWM信號下降沿

　　Chipstar采用AERC技術的新一代Class D的輸出波形如圖3,4所示，可以明顯的看出，方波上疊加的振鈴明顯減小，甚至消失。同時，高級的自適應技術，可以精妙的控制輸出方波的邊沿上升和下降時間和形狀，最大程度的減小了Class D輸出波形中攜帶的高頻EMI能量。

　　圖3 智浦欣ClassD　PWM信號上升沿 圖4 智浦欣ClassD PWM信號下降沿

　　2: AFS( Advanced Feedback System)技術—體現完美的音質

　　為了帶來更為逼真的聲音還原和體驗，Chipstar新一代的Class D創新的使用了AFS高階反饋技術，在系統的復雜度和穩定度之間做到完美的折中和平衡。更高階的反饋系統，使得Chipstar新一代的Class D的失真度減小到0.03%。圖5是智浦欣微電子的ClassD和ClassAB音頻功放失真度的對比。

　　圖5 智浦欣ClassD和ClassAB失真度對比

　　上海智浦欣微電子有限公司還針對數碼類市場，例如MID，GPS，小音箱市場等等，特別推出了上述產品MSOP8的封裝類型，同樣具備產品的全系列兼容的特性。