LTE芯片可謂是LTE發展的一道短板，但隨著運營商部署的推進，相關芯片廠商也在加速攻關。一件引人注目的事件是聯芯科技發布了INNOPOWER原動力系列芯片的最新產品。具有標志意義的是LTE多模芯片LC1761系列，一款是可支持到4G、3G、2G的LC1761，該款芯片是率先支持祖沖之算法的LTE多模芯片；另外一款是純4G版本，即支持TD-LTE和LTEFDD的雙?；鶐酒琇C1761L，該芯片不但可以滿足純LTE數據終端市場需求，也可與其他各種制式靈活適配，滿足多樣化的市場需求。雖然芯片“成熟度”的提升將為LTE加快商用破解最后一道“難關”，但其發展仍面臨重重挑戰。

　　多模多頻成為挑戰

　　多模多頻對終端設備的技術要求很高，芯片的設計和算法也應根據多模特性進行優化。

　　多模LTE解決方案面臨多重挑戰，主要挑戰是要支持日漸增多的頻段，以滿足部署和漫游需求。

　　目前，在多模頻段上，不同國家有不同的頻段。在TD-LTE方面，中國、日本、美國的應用頻段各不相同，中國TD-LTE應用在38頻段、39頻段和40頻段，日本和美國是在41頻段部署TD-LTE技術。此外，在LTEFDD方面，使用的光譜頻段更具多樣性。

　　多模多頻的具體挑戰表現在兩個方面：一方面由于需要支持LTE和2G、3G多個模式、多個頻段，對終端設備的技術有很高的要求，需要支持近17個不同的頻段；另一方面，對于不同的國家和地區之間該如何協調頻段間的資源，這也是一個至關重要又比較棘手的問題。

　　“多模需要克服系統互操作性、芯片復雜度、系統干擾、芯片面積與成本、終端結構等技術挑戰?！敝剜]信科市場總監彭大芹也指出。

　　Marvell移動產品市場總監張路博士強調，在設計上，需要能夠適應不斷提升的LTE互操作需求；在技術上，需要提供穩健的切換能力及低功耗性能。

　　“整個芯片的設計和算法都要根據多模的特性進行優化，射頻芯片設計的復雜度和配套外圍器件的復雜度也都很高。還需要根據實際需求定制相關的元器件?！闭褂?a href="http://m.1cnz.cn/v/tag/1301/" target="_blank">通信有限公司市場經理王舒翀認為。

　　北京創毅訊聯科技股份有限公司董事長兼CEO張輝博士指出：“多模TD-LTE產品重點在消費類市場，會隨著中國移動的布局和用戶的需求逐步成為市場的主流。在實現多模技術上，主要解決互操作性問題?！?/p>

　　面臨多模多頻的技術挑戰，各家企業也在技術上進行探索實現，也看到一些顯著的成效。

　　Marvell研制的多模TD-LTE調制解調芯片PXA1802，在技術上能夠支持無縫的移動通信。重郵信科CYIT前期主要側重支持LTE/TD-SCDMA/GSM多模。創毅已經出貨TDD/FDD共模的芯片WarpDrive5000，未來還將陸續推出支持TDL和TDS的多模芯片WarpDrive6000，并和采用28nm工藝的LTEadvanced的基帶芯片一起，成為LTE多模全平臺的智能手機turnkey方案。展訊去年發布首款基于40nm工藝的TD-LTE多?；鶐酒琒C9610，該單顆芯片集成了多模通信標準，包括多頻段TD-LTE/TD-SCDMA和四頻EDGE/GSM/GPRS。

　　LTE規模商用還需2～3年

　　終端的話音、功耗、體積、應用等問題解決后，LTE才能規模發展。

　　LTE目前大部分是數據類終端，多模手機LTE模塊僅用于數據業務，語音解決方案尚不成熟，LTE商用進度如何，何時能夠規模商用，這些也成為業界關注的問題。

　　張路指出，由于多模LTE智能手機一般需要配備3G芯片和LTE基帶芯片，這樣的架構對功耗優化帶來很大的挑戰。因為3G和4G無線接收發射器各自獨立運行，這樣在測量、處理、協調等方面會造成許多重復。

　　“目前基于3G手機的大部分方案是65nm，平均待機時間為1天半，已經獲得市場的認可；對于LTE手機來說，40nm可以達到商用標準。創毅已率先推出國內LTE/TDS的多模手機，功耗達到了移動二階段試驗網的要求，未來的手機功耗將隨著智能機的普及越來越會受到大家的關注，芯片將會演進到28nm工藝?！睆堓x認為。

　　TD-LTE未來市場廣闊，展訊已開始配合國內外客戶開發支持TD-LTE的各種終端產品。

　　張路提到，目前TD-LTE在全球的部署正在展開，但市場表現不一。由于各國頻譜管制政策和法規不同，TD-LTE可能首先在中國之外的地區實現商業化部署。然而，中國仍然是最大的TD-LTE移動市場，中國移動為部署TD-LTE也出臺了一系列的策略，推動TD-LTE不斷走強。Marvell推出的基于40nm工藝的LTE基帶芯片PXA1802能夠支持包括數據軟件狗、LTEMiFi及LTE智能手機在內的多種技術。Marvell將在2013年致力于單芯片片上系統解決方案的開發，將領先的基帶集成到高性能、多核應用處理器技術中。

　　中興通訊微電子研究院技術總監朱曉明告訴記者：“從目前的應用上講，45nm工藝終端芯片支持多模手機是沒有問題的。LTE模塊耗電雖然有些高，但是傳輸速度大，耗時就會短，實際上是省電的。LTE真正要把潛能發揮出來，比如容量更大、傳輸速度更高、能耗更低，則需要28nm的工藝。LTE大規模的推出需要等到2013年?！?/p>

　　TD-LTE技術優勢主要體現在數據業務上。在TD-LTE發展初期和此后較長一段時間內，支持數據業務的數據卡、MIFI等數據類終端產品將是市場主要的產品形態。

　　“LTE智能終端只有在話音、功耗、體積、應用等終端環節解決后才可能規模發展，預計將在2014年之后?！迸泶笄壅J為。

　　未來TD-LTE將向TD-LTE-A演進，需要支持更高速率的傳輸，這對芯片廠商提出了更高的要求。