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新IP將閃存與EEPROM元件相結合，增強數據保持能力，具備同類最佳的運行可靠性
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中國北京，2024年12月5日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPROM。
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通過采用獨特的方法，將閃存和EEPROM元件都置于單個宏單元內，并共享必要的控制電路。這意味著使用更簡單的布局從而減少組合元件的總體占用面積，并為支持Grade-0，175°C的32KBytes存儲解決方案設定了新的行業(yè)基準。
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該嵌入式閃存為客戶帶來市場上最先進的數據訪問能力，能夠在整個-40°C至175°C溫度范圍內讀取數據，而EEPROM也能在高達175°C的溫度下寫入數據。EEPROM適用于需要頻繁寫入數據的應用，可提高閃存的耐用性與靈活性；它還可以有效地充當緩存，在工作條件不適合寫入閃存時將數據編程至EEPROM，然后當溫度降至125°C以下時再寫入閃存。得益于出色的穩(wěn)健性、持續(xù)的數據存儲完整性和顯著的空間節(jié)省，該IP旨在滿足汽車、醫(yī)療和工業(yè)應用的需求。
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這款新型NVM組合IP采用64位總線，閃存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，這使得集成該IP所部署的器件實現零PPM誤差性能。用于輕松訪問存儲器和DFT的專用電路可大幅縮短測試時間，并將相關成本降至最低。如有需要，X-FAB還可提供BIST模塊和測試服務。
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“通過這款采用我們專有SONOS技術的新型NVM IP，X-FAB實現了最高水準的可靠性。這一IP將為我們客戶的嵌入式系統(tǒng)提供一流的數據保持能力和溫度穩(wěn)定性。”X-FAB NVM開發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch介紹說，“通過將閃存和EEPROM兩種不同的NVM元件集成到單個宏單元上，我們現在可以構建一種能夠應對最嚴苛的工作情況的嵌入式數據存儲解決方案。”
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“憑借更小的占用空間和更快的訪問速度，我們的NVM組合IP將在高邏輯密度應用的開發(fā)中發(fā)揮關鍵作用。”X-FAB NVM解決方案技術營銷經理Nando Basile補充道，“這將使下一代智能傳感器和執(zhí)行器CPU系統(tǒng)設計無論是在ARM或RISC-V等成熟CPU架構上，還是在客戶的專有設計中具備更廣泛的功能范圍。”
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縮略語：
BCD?????? Bipolar-CMOS-DMOS ：雙極型晶體管-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體
NVM???????????? Non-Volatile-Memory：非易失性存儲
BIST?????? Build-In Self-Test：內建自測試
DFT??????? Design for Testability：可測性設計
ECC??????? Error Checking and Correcting：錯誤檢查和糾正
EEPROM?????? 帶電可擦可編程只讀存儲器
PPM????????????? 百萬分率
SOI??????? 絕緣體上硅
SONOS? Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅
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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數據存儲解決方案
- 存儲(85723)
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2566X-FAB攜手合作伙伴推出高性價比的OTP存儲器解決方案
X-FAB射頻技術總監(jiān)Greg U‘Ren博士補充道：“與Attopsemi的緊密合作為我們的客戶使用XR013創(chuàng)造了一個高性價比的OTP存儲器解決方案，這將對我們的客戶增加其片上功能起到關鍵作用，為他們進一步創(chuàng)新打下堅實的基礎，并使不同地理位置的要求得到關注。”
2020-10-14 17:29:252820
2820Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產品加強邊緣AI能力
Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445971
5971X-FAB與派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產業(yè)發(fā)展
模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。
2021-09-07 10:06:421421
1421X-FAB宣布將擴展其SubstrateXtractor工具應用范圍
應用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝
2022-04-22 15:39:39592
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銳成芯微發(fā)布車規(guī)級嵌入式多次可編程存儲IP系列產品
5月5日，成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡稱：銳成芯微）發(fā)布旗下全新品牌商標——SuperMTP?，該新商標用于統(tǒng)一已推出的MTP IP產品線中面向汽車電子應用的車規(guī)級嵌入式多次可編程存儲IP系列產品。
2022-05-05 10:27:441328
1328Imagination推出32位嵌入式解決方案IMG RTXM-2200
Imagination Technologies宣布推出其首款實時嵌入式IMG RISC-V CPU- RTXM-2200。這款高度可擴展、功能豐富、設計靈活的32位嵌入式解決方案適用于多種類型的大容量設備。
2022-06-22 10:07:551022
1022Microchip推出與云無關的嵌入式物聯網解決方案
Microchip Technology Inc. 推出新產品，讓物聯網開發(fā)人員能夠更輕松地安全連接到任何云與云無關的全棧嵌入式開發(fā)解決方案。交鑰匙開發(fā)解決方案使開發(fā)人員能夠使用 Wi-Fi、藍牙、和窄帶 5G 技術，同時維護其 CryptoAuthentication 系列的信任平臺。
2022-08-18 17:23:21500
500X-FAB領導歐資聯盟助力歐洲硅光電子價值鏈產業(yè)化
來源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑，實現高產能制造 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25869
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車聯網車載T-BOX系統(tǒng)解決方案_汽車TBOX 嵌入式arm應用-飛凌嵌入式
車聯網車載T-BOX系統(tǒng)解決方案_嵌入式arm在汽車TBOX 中的應用，飛凌嵌入式推出基于嵌入式arm技術的核心板在T-Box的解決方案中得到廣泛應用，為用戶縮短研發(fā)周期、提升產品整體競爭力提供有效的保證。
2021-10-27 15:31:113179
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X-FAB將CMOS直接集成到其電流隔離解決方案中
X-FAB Silicon Foundries SE正在以進一步實質性的方式推進其電流隔離技術。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設計，現在可用
2023-11-07 16:02:34716
716X-FAB推出一款新近紅外（NIR）增強型SPAD
據麥姆斯咨詢報道，領先的模擬和混合信號器件專業(yè)代工廠X-FAB Silicon Foundries SE為其單光子雪崩二極管（SPAD）產品組合推出了一款新的近紅外（NIR）增強型SPAD
2023-11-20 09:11:53857
857X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件
x-fab推出了最新版本的產品，擴大了spad產品的選擇范圍，提高了解決近紅外線功能重要的新應用領域的能力。這些新應用包括飛行時間感知、車輛lidar影像、生物光學和flim研究工作以及醫(yī)療領域的各種相關活動。
2023-11-21 10:47:26989
989X-FAB推出新的XIPD工藝,實現全集成緊湊射頻系統(tǒng)設計
模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進一步增強其在射頻領域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00818
818X-FAB近期宣布通過背照式技術增強圖像傳感器性能
X-FAB向醫(yī)療、汽車和工業(yè)客戶展示結合了更高靈敏度、更大像素尺寸和更大傳感面積的代工路線。
2024-04-09 09:19:05582
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佰維存儲發(fā)布了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片
近日，佰維存儲發(fā)布了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片，該產品傳輸速率高達4266Mbps，容量覆蓋2GB~8GB，可適應-40℃~95℃寬溫工作環(huán)境；
2024-05-06 10:06:19519
519佰維存儲推出工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片
近日，佰維存儲重磅推出了工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片。這款芯片憑借其出色的性能，傳輸速率飆升至4266Mbps，同時容量靈活多變，從2GB到8GB均可選擇。令人矚目的是，它能在極端溫度條件下穩(wěn)定運行，適應-40℃至95℃的寬廣溫度范圍。
2024-05-06 15:47:25504
504佰維存儲發(fā)布工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片
在工業(yè)領域對高性能存儲需求日益增長的背景下，佰維存儲近日重磅推出了其全新的工規(guī)級寬溫LPDDR4X嵌入式存儲芯片。這款芯片以其卓越的性能和廣泛的適用性，再次刷新了工業(yè)存儲領域的標準。
2024-05-11 14:34:24858
858X-FAB更新XP018高壓CMOS半導體制造平臺
全球知名的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布了一項重要更新。公司對其XP018高壓CMOS半導體制造平臺進行了全面升級，推出了全新的40V和60V高壓基礎器件。
2024-05-23 10:38:09488
488X-FAB為其CMOS傳感器工藝平臺引入背照技術
來源：《半導體芯科技》雜志 模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受
2024-05-29 16:27:11369
369X-Fab與Soitec攜手推進碳化硅功率器件生產
近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動碳化硅（SiC）功率器件的生產。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術生產碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:20550
550EVASH Ultra EEPROM：助力ChatGPT等AI應用的嵌入式存儲解決方案
EVASH Ultra EEPROM：助力ChatGPT等AI應用的嵌入式存儲解決方案
2024-06-26 18:13:54864
864X-FAB推出四款新型高性能光電二極管
全球領先的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（簡稱“X-FAB”）宣布，在其專為光學傳感器優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺XS018上，成功推出了四款新型
2024-10-11 17:27:02678
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工商網監(jiān)
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