初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48
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恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時(shí)間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過(guò)采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來(lái)改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開(kāi)關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個(gè)減少到4個(gè)。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時(shí)的結(jié)果最理想，無(wú)論哪種SiC-MOSFET的效率均超過(guò)Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類(lèi)型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類(lèi)似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
ADuM4135框圖ADuM4135 采用 16 引腳寬體 SOIC 封裝，包含米勒箝位，以便柵 極電壓低于 2 V 時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的 SiC/GaN MOS 或 IGBT 單軌電源關(guān) 斷。輸出側(cè)可以由單電源
2018-10-30 11:48:08
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究。 實(shí)驗(yàn) 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個(gè)夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
）Buck變換器模塊 圖3采用3D封裝的SiC器件 2010年格勒諾布爾電氣工程實(shí)驗(yàn)室ERIC VAGNON利用3D封裝技術(shù)搭建了單相400 V/40 A高頻（HF）整流器及Buck變換器模塊。實(shí)驗(yàn)
2023-02-27 14:22:06
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無(wú)恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請(qǐng)關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
月版）中詳細(xì)介紹。二極管的擊穿電壓為650 V，1200 V和1700 V，在標(biāo)準(zhǔn)封裝和裸片中的額定電流為5A-100A。裸露裸片和TO-247的MOSFET分別為45 mOhm，80 mOhm
2019-10-25 10:01:08
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
創(chuàng)新的電流控制頻率反走(CCFF)技術(shù)使模擬功率因數(shù)校正(PFC)控制器能夠在完整負(fù)載范圍內(nèi)提供高能效，其它已知優(yōu)勢(shì)還包括快速瞬態(tài)響應(yīng)及簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2019-08-14 06:15:22
——其升壓開(kāi)關(guān)采用最新的HighSpeed 3 IGBT技術(shù)。從經(jīng)濟(jì)角度看，該IGBT是平面MOSFET的具有吸引力的替代品，而該升壓二極管是英飛凌最新的ThinQ! SiC二極管。該組合器件的工作頻率為
2018-12-07 10:16:42
）來(lái)降低次級(jí)損耗；四是采用更好的磁芯材料來(lái)降低磁芯損耗。表1列出了主要軟開(kāi)關(guān)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可供設(shè)計(jì)時(shí)參考。表1. 主要軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié) 改善次級(jí)能效同步降壓轉(zhuǎn)換器是提高能效的好方案，采用DC-DC軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
2011-12-13 10:46:35
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過(guò)Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
可對(duì)導(dǎo)通損耗、整個(gè)器件和產(chǎn)品的性能產(chǎn)生重要影響。此外，由于這種最新技術(shù)的器件導(dǎo)通電阻尤其低，需要采用低電阻封裝，避免器件的應(yīng)用受封裝特性限制。如今，多數(shù)廠商的30V MOSFET器件技術(shù)，其芯片導(dǎo)通阻抗
2018-12-07 10:21:41
表說(shuō)明了每種封裝技術(shù)對(duì)于主要參數(shù)影響因素如能效、功率密度和可靠性的不同效應(yīng)。這些組件包含一個(gè)采用IR硅技術(shù)的幾乎相同的30V MOSFET芯片。表1 幾種封裝的對(duì)比 基于所有上述特性，PQFN5×6
2018-09-12 15:14:20
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒(méi)有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來(lái)說(shuō)，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實(shí)際應(yīng)用中需要加強(qiáng)散熱才可以。不過(guò)，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測(cè)試，屬于
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過(guò)使用新型開(kāi)關(guān)管以提高開(kāi)關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
的比較明顯對(duì)應(yīng)TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件首先在官網(wǎng)下載了開(kāi)發(fā)板的user guide進(jìn)行學(xué)習(xí)，有個(gè)整體的了解，開(kāi)發(fā)板
2020-05-19 16:03:51
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來(lái)講，最重要的參數(shù)是門(mén)極電荷
2020-07-16 14:55:31
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復(fù)速度。安森美半導(dǎo)體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相
2020-10-27 09:33:16
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過(guò)渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
各類(lèi)應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問(wèn)市以來(lái)，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2018-10-29 08:51:19
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
的trr/VF 比和恢復(fù)軟度。 3.2. 超結(jié)MOSFET: SLLIMM-nano系列產(chǎn)品所用的N溝道600 V超結(jié)MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二極管技術(shù)。改進(jìn)的壽命控制技術(shù)使
2018-11-20 10:52:44
CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級(jí)組成，每個(gè)級(jí)使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動(dòng)板
2019-04-29 09:18:26
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽(yáng)能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
。最大直流母線電壓為 425V，電池為 450V。考慮到電壓降額可靠性要求，在 OBC 應(yīng)用中首選 650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW的輸出功率，采用TO-247封裝
2023-02-27 09:44:36
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)渲械倪B續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
Lee650V 增強(qiáng)模式(E-Mode)氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在1 MHz開(kāi)關(guān)用于旅行適配器應(yīng)用Ann Starks分立的1200V SiC MOSFET – 表面貼裝(SMD)封裝的優(yōu)勢(shì)和高功率
2018-10-30 09:06:50
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復(fù)速度。安森美半導(dǎo)體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相
2018-10-30 08:57:22
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
如何利用模塊化平臺(tái)去實(shí)現(xiàn)高能效IoT設(shè)備？
2021-05-19 07:07:35
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
碳化硅（SiC） MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT和汽車(chē)功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專(zhuān)知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
`海飛樂(lè)技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFN50N120SIC場(chǎng)效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù): SiC 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體
2020-03-04 10:34:36
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
設(shè)計(jì)人員提供了空間，如果設(shè)計(jì)為提供相同的功率，則可以減小其PFC設(shè)計(jì)的體積，或者在相同體積的設(shè)計(jì)中增加功率。圖2.SiC MOSFET 采用 3 相 PFC 封裝，與基于 IGBT 的設(shè)計(jì)相比，功耗降低
2023-02-22 16:34:53
0V關(guān)閉SiC MOSFET時(shí)，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時(shí)，這種影響可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，尤其是當(dāng)一個(gè) SiC MOSFET 導(dǎo)通，而第二個(gè) SiC
2023-02-24 15:03:59
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類(lèi)產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過(guò)電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
的輸出功率，采用TO-247封裝的C3M0060065D 650V 60mohm SiC MOSFET，為CCM圖騰柱PFC的高頻半橋選擇了并聯(lián)的兩個(gè)部分。選擇單個(gè)C3M0060065D作為PFC的低頻半
2019-10-25 10:02:58
請(qǐng)問(wèn)如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)的高能效創(chuàng)新？
2021-06-17 08:57:28
的兩種SiC功率MOSFET，電流強(qiáng)度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專(zhuān)為SiC功率元件而設(shè)計(jì)，以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體
2019-06-27 04:20:26
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)渲械倪B續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低 35%左右。此次，針對(duì) SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。
2020-11-25 10:56:00
30 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET
2022-05-11 11:29:332312 英飛凌科技股份公司??通過(guò)推出具有增強(qiáng)功能的 M1H 技術(shù) 1,200-V SiC MOSFET擴(kuò)展了其CoolSiC產(chǎn)品組合。這些器件將采用 .XT 互連技術(shù)以 Easy 模塊和分立封裝形式提供
2022-07-29 18:24:59785 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機(jī)型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221217 
2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-16 14:40:01389 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
/引言/近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247
2023-06-13 09:39:58534 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:36:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:28:290
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