目前，國(guó)內(nèi)外采用的電壓閃變測(cè)試方法主要有三種：半波有效值法、平方解調(diào)法和全波整流法[2]。但就實(shí)際電路而言，使用半波有效值法，即要將均方根值的計(jì)算時(shí)間準(zhǔn)確地整定在半個(gè)工頻周期上，實(shí)現(xiàn)起來(lái)相當(dāng)困難
2018-10-15 07:34:00
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短路故障進(jìn)行快速精確檢測(cè)定位的問(wèn)題；宇芯電子提供一種SRAM芯片地址引腳線(xiàn)短路檢測(cè)方法，包括以下步驟： 一、根據(jù)芯片地址引腳的排列特性，列出地址引腳間可能短路的待檢引腳組； 二、獲得sram芯片的起始
2020-06-16 13:59:36
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?．了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展技術(shù)3．用proteus設(shè)計(jì)、仿真基于AT89C51單片機(jī)的RAM擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
2021-12-08 06:14:13
生產(chǎn)線(xiàn)上非接觸檢測(cè)、控制軋材外徑的智能化精密儀器，它集光學(xué)、精密機(jī)械、計(jì)算機(jī)于一體，通過(guò)物方遠(yuǎn)心平行光束對(duì)被測(cè)物進(jìn)行高速測(cè)量，單片機(jī)實(shí)時(shí)采樣處理，顯示在線(xiàn)軋材的直徑。單向測(cè)徑儀成本低、周期短、可靠性髙
2018-09-12 09:11:17
單向測(cè)徑儀是一種集成化數(shù)字式測(cè)量?jī)x器，在生產(chǎn)過(guò)程中可對(duì)產(chǎn)品外徑進(jìn)行非接觸或連續(xù)自動(dòng)檢測(cè)，測(cè)量速度快，精度高，測(cè)量結(jié)果以數(shù)字顯示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">單向測(cè)徑儀不僅能測(cè)量外徑尺寸，還能給出與標(biāo)準(zhǔn)尺寸偏差值所相應(yīng)
2018-10-08 09:54:53
可進(jìn)行寬度測(cè)量、厚度測(cè)量、狹縫測(cè)量、深度測(cè)量、位置測(cè)量、同心度測(cè)量，也可以定制成雙測(cè)頭測(cè)單軸、雙測(cè)頭測(cè)雙軸的產(chǎn)品。 單向測(cè)徑儀以不變應(yīng)萬(wàn)變，對(duì)各種軋制生產(chǎn)中的圓形軋材進(jìn)行外徑及其它幾何尺寸的測(cè)量，通過(guò)組合形式完成各種不同需求的在線(xiàn)檢測(cè)。`
2019-04-12 16:03:55
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">單向測(cè)徑儀： 單向測(cè)徑儀可以對(duì)生產(chǎn)中的線(xiàn)纜進(jìn)行動(dòng)態(tài)檢測(cè)，垂直于線(xiàn)纜安裝，實(shí)時(shí)自動(dòng)檢測(cè)外徑，超差報(bào)警，閉環(huán)控制，其為光電測(cè)量方式，無(wú)損檢測(cè)，不會(huì)讓線(xiàn)纜變形，可應(yīng)用于高溫、柔軟的軋材測(cè)量，因此可放
2019-04-03 16:13:45
, SP-SRAM）有兩套獨(dú)立的讀寫(xiě)端口，因而有更高的帶寬，尤其適用于上述系統(tǒng)中：雙端口SRAM 可以給多核系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單、可靠、高效的通信方法，也可以為信號(hào)處理系統(tǒng)中提供更高的并行性，近年來(lái)國(guó)內(nèi)外發(fā)表的相關(guān)
2020-07-06 16:26:25
負(fù)反饋電路分析最常見(jiàn)的方法是雙端口分析（TPA）和回歸比（RRA）分析，這兩者之間有什么區(qū)別呢？
2019-08-07 07:00:26
準(zhǔn)備就緒，即使SRAM的時(shí)鐘頻率為100MHz也不需要這樣做？）3.有沒(méi)有更好的方法來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，假設(shè)我的目標(biāo)是在沒(méi)有50MHz系統(tǒng)的任何額外延遲的情況下實(shí)現(xiàn)_registered_ SRAM輸出？非常感謝
2019-07-03 12:51:27
端口防浪涌有哪些好的方法？1、隔離法即在端口與負(fù)載間加入隔離電路（隔離器件），以隔絕高頻尖峰干擾，同時(shí)又可使次級(jí)等電位聯(lián)接便于進(jìn)行。主要有光耦隔離、帶屏蔽層的隔離變壓器等。示例；以太網(wǎng)口保護(hù)2、吸收
2017-11-14 10:55:14
的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。另外，針對(duì)SRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如TAA（地址變化到數(shù)據(jù)輸出有效時(shí)間
2019-07-23 08:26:45
單向測(cè)徑儀是采用光電檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的，做到了無(wú)損在線(xiàn)檢測(cè)，單向測(cè)徑儀適用于各種圓形軋材的外徑檢測(cè)，包括但不限于線(xiàn)纜電纜、橡膠、塑料等?！ 」怆娮詣?dòng)檢測(cè)技術(shù)隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)以及復(fù)雜自動(dòng)控制系統(tǒng)
2019-04-08 16:02:45
AD7793，想請(qǐng)問(wèn)一下INL的測(cè)試采用什么方法比較合理？
2023-12-01 07:30:13
地址進(jìn)行檢測(cè)后SRAM的數(shù)值，完全符合程序設(shè)計(jì)要求。[/url]SRAM測(cè)試通過(guò)后，釋放所有的SRAM，還原為0x00，如圖4所示。[url=http://www.eefocus.com/data
2011-08-02 10:30:41
的性能指標(biāo)，設(shè)計(jì)有效的方法來(lái)測(cè)試。實(shí)際上入侵檢測(cè)系統(tǒng)的測(cè)試是一個(gè)難度較大的問(wèn)題，也是一件費(fèi)時(shí)耗力的工作。對(duì)于這一工作，許多研究機(jī)構(gòu)都進(jìn)行了相應(yīng)的研究，給出了自己的測(cè)試方法和測(cè)試結(jié)果。例如MIT的林肯實(shí)驗(yàn)室
2019-08-19 06:55:17
。兩種測(cè)試方法的目的都是測(cè)量各種情景下的性能。采用容量測(cè)試系統(tǒng) 運(yùn)營(yíng)商和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)在全面部署網(wǎng)絡(luò)之前進(jìn)行容量測(cè)試。運(yùn)營(yíng)商需要結(jié)合部署計(jì)劃測(cè)試容量，以評(píng)估供應(yīng)商設(shè)備端到端性能，包括新建網(wǎng)絡(luò)和升級(jí)
2019-05-27 05:00:05
針對(duì)目標(biāo)板上的雙口RAM芯片的右端口進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試，來(lái)檢測(cè)右端口和內(nèi)部存儲(chǔ)地址的正確性。原理圖1：RS422接口：MCU:LDO:DB9接口：PCB LAYOUT:PCB 3D view：
2018-08-30 09:48:15
一定幅度時(shí)，就會(huì)影響系統(tǒng)的正常通信。在蜂窩通信中，無(wú)源互調(diào)是運(yùn)營(yíng)商十分關(guān)注的問(wèn)題。在POI系統(tǒng)出廠(chǎng)之前，會(huì)對(duì)每個(gè)端口的無(wú)源互調(diào)指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量，這些測(cè)量都是針對(duì)某個(gè)頻段進(jìn)行的，比如GSM900體制的880-915MHz/925-960MHz頻段。在本文中，通過(guò)實(shí)測(cè)案例討論了一種POI系統(tǒng)無(wú)源互調(diào)的在線(xiàn)測(cè)試方法。
2019-07-17 06:36:27
應(yīng)用于外徑尺寸的在線(xiàn)檢測(cè)當(dāng)中，消除了軋材振動(dòng)帶來(lái)了測(cè)量精度不準(zhǔn)現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)了在線(xiàn)實(shí)時(shí)檢測(cè)，并通過(guò)PID進(jìn)行尺寸在線(xiàn)控制，實(shí)現(xiàn)了高精度外徑尺寸在規(guī)定范圍內(nèi)不間斷的生產(chǎn)，單向測(cè)徑儀是自動(dòng)化的檢測(cè)設(shè)備，可以
2019-04-11 16:05:29
本文將描述一種替代方案，該方案采用一種標(biāo)準(zhǔn)的低成本雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻（4焊盤(pán)布局）以實(shí)現(xiàn)高精度開(kāi)爾文檢測(cè)。
2021-02-03 06:37:37
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。如用兩端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量雙工器，除了第一次連接以外，在測(cè)試過(guò)程中還需要變換兩次連接，測(cè)試者要另外做出四次連接
2023-09-21 07:50:32
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-24 16:14:38
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-02-10 10:52:31
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-02-11 10:22:43
晶體管連在一起。IMEC的方法則將SRAM單元的電源線(xiàn)埋在硅襯底內(nèi)，然后利用節(jié)省出來(lái)的空間使關(guān)鍵的互連線(xiàn)更寬，從而降低導(dǎo)線(xiàn)電阻。在仿真中采用這種方法的SRAM存儲(chǔ)單元的讀取速度比采用傳統(tǒng)方法的SRAM
2020-05-11 15:40:48
（PG）。這種六管存儲(chǔ)單元具有很好的健壯性、低功耗和低電壓工作特性，所以非常受歡迎；下文中的兩端口和雙端口存儲(chǔ)單元以及在分析SRAM 單元的操作、特性時(shí)都將采用這種結(jié)構(gòu)，并簡(jiǎn)稱(chēng)為六管單元。 圖 2 單
2020-07-09 14:38:57
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-31 15:23:00
任一特定系統(tǒng)內(nèi)，可用的輸入功率總是受限的。那么在多端口系統(tǒng)中，應(yīng)該如何在不同端口之間進(jìn)行功率分配呢？一種顯而易見(jiàn)的電力共享方法是限制每個(gè)端口的功率，從而確保輸出的總功率不超過(guò)輸入功率。但在這種情況下
2018-08-30 14:51:22
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-30 10:21:30
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-01-21 09:42:26
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-01-11 14:00:15
。但現(xiàn)實(shí)中，大型ASIC和SoC設(shè)計(jì)常常需要使用很多片SRAM，簡(jiǎn)單采用這種MBIST方法會(huì)生成很多塊MBIST控制邏輯，從而增大芯片面積，增加芯片功耗，甚至加長(zhǎng)芯片測(cè)試時(shí)間。
2019-10-25 06:28:55
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-02-14 09:58:07
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-01-19 13:46:35
如何測(cè)試單向晶閘管的好壞？
2021-05-13 07:32:59
本文給出了用對(duì)稱(chēng)分步傅里葉法求解耦合模方程組的方法，并通過(guò)該方法采用Matlab對(duì)光脈沖在雙芯和三芯非線(xiàn)性耦合器中的傳輸進(jìn)行了仿真。
2021-04-14 06:27:58
一個(gè)端口提供高功率輸出，但對(duì)其余端口的供電實(shí)行嚴(yán)格限制。采用這種方法，可以讓用戶(hù)對(duì)功率較大的電子設(shè)備進(jìn)行快速充電。但是，大多數(shù)用戶(hù)不會(huì)去閱讀相關(guān)的產(chǎn)品標(biāo)簽和說(shuō)明書(shū)。他們也許會(huì)疑惑：為什么電子設(shè)備在某些
2022-11-16 06:30:01
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口微波器件時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。
2019-08-12 06:23:52
求大佬分享一款用兩個(gè)單向電流檢測(cè)放大器組成一個(gè)雙向電流檢測(cè)放大器？
2021-04-07 06:17:57
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-12-27 09:30:18
于STM32F4205/7應(yīng)用手冊(cè)，從圖中可以看出這個(gè)模式用于SRAM和PSRAM，PSRAM也叫做偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器， CRAM全稱(chēng)是 Cellular RAM 。圖中有OE togging二字，如字面意思，這個(gè)模式的讀處理是有OE引腳電平觸發(fā)參與的。我們可以與Mode1進(jìn)行比較。由上圖可以看出，N
2022-01-07 07:20:20
選用不易損壞的，目前單向測(cè)徑儀的使用壽命超過(guò)了8年?！ 〔⑶覟榱搜娱L(zhǎng)使用壽命，光電測(cè)徑儀采用無(wú)旋轉(zhuǎn)部件的光電測(cè)量法，是傳統(tǒng)的激光測(cè)徑儀的升級(jí)替代產(chǎn)品，它的使用壽命更長(zhǎng)，維護(hù)更簡(jiǎn)單?！ ‰娎|線(xiàn)徑測(cè)量采用單
2019-04-15 15:43:35
對(duì)雙余度角度傳感器進(jìn)行故障檢測(cè)，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了方法的有效性。引言隨著無(wú)人機(jī)技術(shù)的發(fā)展，無(wú)人機(jī)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣，續(xù)航時(shí)間和任務(wù)半徑越來(lái)越大，并且在執(zhí)行任務(wù)的過(guò)程中攜帶的任務(wù)載荷和偵察打擊設(shè)備越來(lái)越多
2018-10-18 10:45:44
你好，由于我還沒(méi)有PSoC5（只有PSoC4），因?yàn)槲矣?jì)劃在PSoC5中使用UDB來(lái)制作雙端口RAM，我想知道，這是可能的嗎？16x16BIT將是32字節(jié)，也許不是使用雙端口PIN，一端口實(shí)際上是內(nèi)部RAM位置？謝謝任何提示或幫助。
2019-09-10 06:37:11
請(qǐng)問(wèn)一下模擬電路中單端口管腳驅(qū)動(dòng)雙LED的方法是什么？
2021-04-12 06:57:37
單端口和雙端口ram的區(qū)別是什么，能具體介紹下嗎，非常感謝！
2015-02-10 14:00:57
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-25 16:43:43
原理及方法目前企業(yè)而言，在電纜故障查找的領(lǐng)域，對(duì)故障電纜檢測(cè)的原理以及基本情況一致，不同之處在于學(xué)生通過(guò)使用這種工作原理處理的方式研究方法也是不一樣，就電纜故障測(cè)試儀為例，采用“低壓脈沖法”和“高壓閃絡(luò)
2020-12-29 11:14:25
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2022-01-13 11:29:32
你好，我想知道簡(jiǎn)單的雙端口和真正的雙端口RAM之間的資源使用差異？ True雙端口Ram中的額外讀寫(xiě)端口是否在不使用fpga結(jié)構(gòu)資源的情況下處理？如果這是真的那么為什么要專(zhuān)門(mén)使用簡(jiǎn)單的雙端口配置呢
2019-06-10 07:15:24
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-29 18:13:58
在設(shè)計(jì)SRAM電路時(shí)，使用雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)可以使電路的容錯(cuò)能力變好，請(qǐng)問(wèn)大家雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)是什么？
2019-10-11 11:40:47
在FPGA中怎樣去構(gòu)造存儲(chǔ)器？如何利用庫(kù)函數(shù)去構(gòu)造雙端口RAM？庫(kù)函數(shù)法構(gòu)造雙端口RAM的有哪些步驟？其它存儲(chǔ)器的構(gòu)造方法有哪些？雙端口RAM在高速數(shù)據(jù)采集中有什么應(yīng)用？
2021-04-14 06:57:55
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種？如何對(duì)SRAM工藝FPGA進(jìn)行有效加密？如何利用單片機(jī)對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密？怎么用E2PROM工藝的CPLD實(shí)現(xiàn)FPGA加密？
2021-04-13 06:02:13
繼電器來(lái)選擇所需的測(cè)試。圖 1 是整體測(cè)試電路。在圖 2 至圖 13 中，信號(hào)路徑以紅色顯示，以便與前兩篇文章中所介紹的方法進(jìn)行比較。圖 1.該電路整合了用于測(cè)試運(yùn)算放大器的自測(cè)試電路及雙運(yùn)算放大器環(huán)路
2018-09-07 11:04:41
（蒸餾水，回流6h）的溶出量不大于0.05 mg/kg，是采用滴定的方法對(duì)溶液中游離的酚進(jìn)行定量計(jì)算。歐盟: 歐盟2002/72/EC法則規(guī)定BPA/雙酚A在塑料食品接觸材料中的遷移限量為3 mg/kg
2021-04-26 16:31:25
SRAM 故障模型的檢測(cè)方法與應(yīng)用馮軍宏 簡(jiǎn)維廷 劉云海（中芯國(guó)際品質(zhì)與可靠性中心, 上海,201203 ）摘 要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測(cè)試用來(lái)檢測(cè)
2009-12-15 15:07:46
44 Adaboost 方法是目前較流行的一種人臉檢測(cè)方法，本文根據(jù)傳統(tǒng)Adaboost 方法與改進(jìn)的Adaboost 方法分別設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的boosting 分類(lèi)器，采用基于bioid 的人臉庫(kù)進(jìn)行訓(xùn)練。測(cè)試階段對(duì)包
2010-01-22 16:09:3322 摘要:提出了一種基于單端口SRAM的FIFO電路。此模塊電路應(yīng)用于視頻圖像處理芯片中，完成同步經(jīng)過(guò)處理后產(chǎn)生相位差的亮度Y信號(hào)和色度U，V信號(hào)的功能。電路的邏輯控制部分用Veril
2010-06-18 16:09:2616 針對(duì)原有磁后坐電機(jī)檢測(cè)裝置標(biāo)定方法存在測(cè)試誤差大、步驟繁瑣等缺點(diǎn)，提出用光電探測(cè)方法對(duì)磁后坐電機(jī)檢測(cè)裝置進(jìn)行精確標(biāo)定，并對(duì)該裝置加力板速度進(jìn)行測(cè)試。該方法通過(guò)
2010-11-24 18:28:4615 本文介紹單向數(shù)傳電臺(tái)的常用方法。
2006-03-11 13:15:02777 
采用FLUKE 1508絕緣測(cè)試儀進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試
絕緣電阻測(cè)量的基礎(chǔ)知識(shí)
絕緣電阻測(cè)試是測(cè)試和檢
2008-11-23 11:23:571964 單色LED的檢測(cè)測(cè)試方法
一、主體思路：因?yàn)榘l(fā)光二極體具有單向導(dǎo)電性，所以我們使用 R × 10k 檔可測(cè)出其正、反向電阻。一般正
2009-05-11 09:48:561273 硅單向開(kāi)關(guān)(SUS)的特點(diǎn)及檢測(cè)
硅單向開(kāi)關(guān)SUS(Silicon Unidirectional Switch)亦稱(chēng)單向觸發(fā)晶體管，上繼雙向觸發(fā)二極管（DIAC）之后發(fā)展起來(lái)
2010-03-03 11:50:21327 瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。
2011-01-18 15:28:291000 
文章給出了一種基于雙端口 SRAM 技術(shù)的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。采用將高速雙端口SRAM 映射為主機(jī)內(nèi)存并構(gòu)造成環(huán)狀緩沖區(qū)的方法，實(shí)現(xiàn)了高速ADC數(shù)據(jù)流實(shí)時(shí)采集與主機(jī)處理的并行操
2011-07-13 17:59:3199 介紹了液控單向閥的工作原理、類(lèi)別及應(yīng)用注意事項(xiàng)，對(duì)正確使用液控單向閥避免事故的發(fā)生進(jìn)行了舉例說(shuō)明。同時(shí)，也列出了液控單向閥常出現(xiàn)的故障、產(chǎn)生原因及排除方法。對(duì)于掌
2011-10-28 16:56:0662 本文基于MBIST的一般測(cè)試方法來(lái)對(duì)多片SRAM的可測(cè)試設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，提出了一種通過(guò)一個(gè)MBIST控制邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)多片SRAM的MBIST測(cè)試的優(yōu)化方法。
2011-12-15 10:25:223104 
高精度SRAM端口時(shí)序參數(shù)測(cè)量電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)_李恒
2017-01-07 19:00:390 技術(shù)研究，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。
2017-09-19 08:34:5818 )等部分組成。對(duì)FPGA進(jìn)行測(cè)試要對(duì)FPGA內(nèi)部可能包含的資源進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，經(jīng)過(guò)一個(gè)測(cè)試配置(TC)和向量實(shí)施(TS)的過(guò)程，把FPGA配置為具有特定功能的電路，再?gòu)膽?yīng)用級(jí)別上對(duì)電路進(jìn)行測(cè)試，完成電路的功能及參數(shù)測(cè)試。 2 FPGA的配置方法 對(duì)FPGA進(jìn)行配置有多種方法可以選擇，包括邊界掃描配置方法等。
2017-11-18 10:44:372001 
很難被發(fā)現(xiàn)。因此在運(yùn)用的階段，為防止存儲(chǔ)單元損壞而導(dǎo)致系統(tǒng)出錯(cuò)，通過(guò)軟件的方式對(duì)SRAM進(jìn)行檢測(cè)是必要的。 1 SRAM運(yùn)行狀態(tài)分析 SRAM是存儲(chǔ)非CONSTANT變量(如RW)，它具有掉電即失的特點(diǎn)。由CortexM3的啟動(dòng)步驟可知，系統(tǒng)上電后，首先執(zhí)行復(fù)位的5個(gè)步
2017-12-01 06:10:07368 
怎樣測(cè)試遠(yuǎn)程UDP端口，我們一般情況下，應(yīng)用服務(wù)都使用的TCP端口，但是某些情況下，我們也需要開(kāi)啟UDP端口。本文簡(jiǎn)要描述怎樣測(cè)試UDP端口是否正常？
2017-12-08 08:48:16123444 
，提出了采用J750EX測(cè)試系統(tǒng)的DSIO及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)SRAM VDSR16M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。
2018-04-27 15:27:003389 
隨著4G/5G移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)天線(xiàn)兼容多頻段的要求越來(lái)越高，對(duì)于設(shè)計(jì)時(shí)需天線(xiàn)的駐波和插損進(jìn)行測(cè)試，但多次使用網(wǎng)分進(jìn)行拔插，不僅繁瑣，而且容易多次拔插導(dǎo)致接觸不好產(chǎn)生的性能變差，無(wú)法很好驗(yàn)證設(shè)計(jì)的正確性，此時(shí)需要有一個(gè)自動(dòng)測(cè)試方法來(lái)替代手工接線(xiàn)測(cè)試。
2018-03-20 15:01:299012 
隨著電信端口越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在各類(lèi)電子信息產(chǎn)品中，電信端口傳導(dǎo)共模騷擾測(cè)試作為電磁兼容檢測(cè)中的重要項(xiàng)目顯得愈發(fā)重要。文章介紹了電信端口傳導(dǎo)共模騷擾原理及測(cè)試系統(tǒng)，闡述了ISN、傳輸數(shù)據(jù)格式、傳輸流量等與標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求相關(guān)的核心影響因素，通過(guò)歸納總結(jié)出規(guī)范的檢測(cè)流程，保持了標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行的一致性及測(cè)試的重復(fù)性。
2018-06-17 03:41:0011153 
由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
2018-11-20 09:28:411966 
一般情況下，單向晶閘管按陰極（K）、陽(yáng)極（A）、門(mén)極（C）的引腳順序排列（見(jiàn)圖5.76），實(shí)際使用時(shí)應(yīng)進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)的方法也比較簡(jiǎn)單。由于單向晶閘管的門(mén)極（G）、陰極（K）之間只有一個(gè)PN結(jié)，因此
2019-09-13 10:57:006977 
Linux開(kāi)放端口和關(guān)閉端口的方法如下
2020-05-18 09:14:269988 
在采用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試多端口時(shí)，測(cè)試過(guò)程中需要更換測(cè)試電纜和DUT不同端口之間的連接。如用兩端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量雙工器，除了第一次連接以外，在測(cè)試過(guò)程中還需要變換兩次連接，測(cè)試者要另外做出四次連接
2020-10-26 10:41:001 cpu與其周邊控制器等類(lèi)似需要直接訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器或者需要隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)緩沖器之類(lèi)的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售sram芯片，PSRAM等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問(wèn)題。 從存儲(chǔ)單元來(lái)看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個(gè)
2020-07-23 13:45:021927 
嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對(duì)于SRAM的研究也從未終止過(guò)。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413473 1.引言 獨(dú)學(xué)而無(wú)友，則孤陋而寡聞。 本文以SURGE測(cè)試中通訊端口防護(hù)器件損壞為例，進(jìn)行損壞機(jī)理分析、不同測(cè)試方法帶來(lái)的影響分析、不同應(yīng)用場(chǎng)景的測(cè)試方法選擇，以及SURGE防護(hù)設(shè)計(jì)中的注意點(diǎn)等內(nèi)容
2020-10-14 15:51:374462 
電動(dòng)牙刷制造商如何進(jìn)行防水檢測(cè)（測(cè)試）？ 進(jìn)行防水測(cè)試時(shí)，一個(gè)很簡(jiǎn)單而又粗魯?shù)?b class="flag-6" style="color: red">方法就是：將產(chǎn)品放入水中并觀察是否產(chǎn)生氣泡，或者在一定時(shí)間后將產(chǎn)品取出以測(cè)試其性能是否良好。這種方法（泡水法）可以有效地檢測(cè)產(chǎn)品的防水性能，但是它
2020-10-29 14:06:591034 單向測(cè)徑儀為光、機(jī)、電、計(jì)算機(jī)通信一體化成套設(shè)備。采用物方遠(yuǎn)心光路和CCD成像法進(jìn)行工件尺寸檢測(cè)。用于修磨線(xiàn)的棒材直徑檢測(cè)。
2020-12-26 20:06:39252 任一特定系統(tǒng)內(nèi)，可用的輸入功率總是受限的。那么在多端口系統(tǒng)中，應(yīng)該如何在不同端口之間進(jìn)行功率分配呢？
一種顯而易見(jiàn)的電力共享方法是限制每個(gè)端口的功率，從而確保輸出的總功率不超過(guò)輸入功率。但在
2022-01-26 16:28:041262 先進(jìn)的封裝和集成電路制造技術(shù)導(dǎo)致多端口器件難以使用傳統(tǒng)的雙端口甚至四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）進(jìn)行表征。新型測(cè)試裝置將傳統(tǒng)VNA的功能擴(kuò)展到N端口，從而為多端口器件提供完整的S參數(shù)表征。
2022-10-27 14:20:171393 產(chǎn)商越來(lái)越重視產(chǎn)品的氣密性測(cè)試，而根據(jù)產(chǎn)品自身情況需要采用哪種檢測(cè)方法呢？下面連拓精密介紹下檢測(cè)方法其中一種差壓式氣密性測(cè)試儀檢測(cè)方法的優(yōu)勢(shì)：
2023-01-03 14:39:52718 
浮地測(cè)試是電氣工程中常用的測(cè)試方法之一，其主要作用是檢測(cè)電氣設(shè)備和電路中的接地故障。
2023-11-02 15:41:42490 常用的變頻器檢測(cè)方法靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試? 變頻器是一種電力調(diào)節(jié)裝置，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)的調(diào)速和節(jié)能。在使用變頻器時(shí)，經(jīng)常需要對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，以確保其正常工作。常用的變頻器檢測(cè)方法主要包括靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)
2024-02-01 15:47:24607
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