?

　　功率器件

　　由于IGBT技術(shù)的進(jìn)步，自從SPM系列首次在工業(yè)市場(chǎng)出現(xiàn)以來(lái)，一直不斷地經(jīng)歷著升級(jí)。隨著亞微米設(shè)計(jì)規(guī)則的引入，不僅芯片尺寸減小的速度加快，同時(shí)電流密度大幅度地增加。最新一代的IGBT芯片實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷損耗和導(dǎo)通壓降之間更好的性能平衡關(guān)系，同時(shí)確保擁有足夠的SOA。圖1表示IGBT技術(shù)方面的改進(jìn)。顯然，V5 IGBT具有出色的器件性能，從而可以在更小的封裝中增大功率容量。

　　低功耗運(yùn)作常常需要更快的開(kāi)關(guān)速度，這造成了恢復(fù)電流的增加和dv/dt的升高，會(huì)帶來(lái)較大的電磁干擾(EMI)、高浪涌電壓和電機(jī)泄漏電流。在SPM系列的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，已經(jīng)考慮了EMI問(wèn)題，并優(yōu)化了柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，犧牲高開(kāi)關(guān)速度以控制集成IGBT的開(kāi)關(guān)速度。正是由于IGBT具有低導(dǎo)通壓降，能夠保持總體功耗不變，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低EMI特性。圖2所示為SPM的典型dv/dt特性。在其額定電流下，開(kāi)啟和關(guān)斷dv/dt低于5kV/μs。

　　此外，為了獲得更佳的ESD保護(hù)，在柵極和發(fā)射極之間使用了具有足夠的箝位電壓的多硅背靠背二極管。2,350×2,350平方微米的芯片面積能夠獲得HBM 2.5kV和MM 300V的ESD電平。使用集成式保護(hù)二極管，所有的SPM產(chǎn)品都達(dá)到工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ESD電平。

?

　　圖1. SPM制造過(guò)程中IGBT的改進(jìn)

?

　　圖2. 開(kāi)關(guān)dv/dt特性(Vpn=300V、Vcc=15V、25度、20A額定電流)

　　驅(qū)動(dòng)器IC

　　由于成本效益的原因，HVIC和LVIC設(shè)計(jì)為具有最少的必要功能，特別適合于消費(fèi)電器的逆變器驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)方面的考慮包括：借助精細(xì)工藝技術(shù)減小芯片尺寸;由3V饋入微控制器直接驅(qū)動(dòng)有效的“高電平”接口;低功耗;更高的抗噪聲能力;抗溫度變化的更好穩(wěn)定性等等。

　　HVIC的一個(gè)特性是內(nèi)置高電平偏移功能，如圖3所示，能夠?qū)?lái)自微控制器的PWM輸入直接轉(zhuǎn)換至高邊功率器件。此外，使用外部充電反向電容，可以采用單一控制電源驅(qū)動(dòng)SPM。

?

　　圖3. 高邊驅(qū)動(dòng)器配置

　　另一方面，HVIC對(duì)于外部噪聲敏感，因?yàn)槠?a target="_blank">信號(hào)是通過(guò)脈沖信號(hào)和SR鎖存器進(jìn)行轉(zhuǎn)換的。對(duì)于這種脈沖驅(qū)動(dòng)HVIC，高dv/dt開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)IGBT是最危險(xiǎn)的開(kāi)關(guān)類型。假設(shè)從漏極看LDMOS寄生電容是CM，高邊IGBT的導(dǎo)通dv/dt是dVS/dt，CM必須采用大電流(CM*dVS/dt)充電，才能使LDMOS漏極電壓跟隨快速變化的VB電壓，該電壓通過(guò)自舉電容CBS與VS耦合。大充電電流在R1和R2上引起過(guò)大的壓降，從而誤觸發(fā)SR鎖存器。

　　為了克服噪聲敏感性，因此開(kāi)發(fā)了具有獨(dú)特拓?fù)涞脑肼曄鳎鐖D3所示。V/I轉(zhuǎn)換器將電平變換器的輸出轉(zhuǎn)換成電流信息。對(duì)于具有高dv/dt的共模噪聲，V/I轉(zhuǎn)換器會(huì)給出相同的輸出。但是，對(duì)于正常運(yùn)作，V/I轉(zhuǎn)換器輸出是互不相同的，因?yàn)閮蓚€(gè)LDMOS中只有一個(gè)工作于正常的電平轉(zhuǎn)換器運(yùn)作狀態(tài)。這樣可以方便地確定V/I轉(zhuǎn)換器的輸出是否是由于噪聲引起。一旦噪聲消除器識(shí)別出有共模噪聲侵入，它便吸收V/I轉(zhuǎn)換器的電流輸出。然后，V/I轉(zhuǎn)換器重建電壓信號(hào)，這個(gè)信號(hào)來(lái)自V/I轉(zhuǎn)換器的電流輸出，在VB和VS電源軌之間擺動(dòng)。最后，經(jīng)放大的信號(hào)送到SR鎖存器。

　　V/I和I/V轉(zhuǎn)換的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是允許負(fù)VS電壓不再受電路的閾值電壓支配。由于其獨(dú)特的拓?fù)洌w兆半導(dǎo)體的HVIC展示了出色的噪聲免疫能力，能夠耐受高達(dá)50V/ns的高dv/dt噪聲，并且擴(kuò)展負(fù)電壓運(yùn)作范圍，在VBS=15V左右達(dá)到VS=-10V。

　　LVIC負(fù)責(zé)所有的保護(hù)功能及其向微控制器的反饋。它的保護(hù)電路檢測(cè)控制電源電壓、LVIC溫度以及帶外部并聯(lián)電阻的IGBT集電極電流，并在錯(cuò)誤狀態(tài)中斷IGBT的操作。有關(guān)的保護(hù)應(yīng)該不受溫度和電源電壓的影響。例如在表1中給出了LVIC中過(guò)電流保護(hù)的探測(cè)電平。

?

　　表1. LVIC (典型值0.5V) 的過(guò)電流探測(cè)電平

　　錯(cuò)誤信號(hào)用于通知系統(tǒng)控制器保護(hù)功能是否已經(jīng)激活。錯(cuò)誤信號(hào)輸出是在低電平有效的集電極開(kāi)路配置。它一般通過(guò)上拉電阻被拉升至3.3V到15V。當(dāng)錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)，錯(cuò)誤線拉低，低邊IGBT的所有柵極被中斷。如果錯(cuò)誤是過(guò)電流引起的，輸出則出現(xiàn)一個(gè)脈沖，然后自動(dòng)復(fù)位。首選的低信號(hào)持續(xù)時(shí)間取決于它的應(yīng)用。例如，對(duì)于家電首選幾毫秒，但是在工業(yè)應(yīng)用中首選一至兩倍的IGBT開(kāi)關(guān)頻率。SPM的LVIC提供外部電容，并根據(jù)各種要求設(shè)定該持續(xù)時(shí)間。

　　自舉二極管

　　除了基本的三相逆變器拓?fù)洌嗟募墒前雽?dǎo)體公司面臨的挑戰(zhàn)之一。約束不是技術(shù)問(wèn)題，受限的是成本和封裝尺寸。從這一點(diǎn)來(lái)看，自舉二極管似乎成為集成的合適器件。實(shí)際上，市場(chǎng)上已出現(xiàn)了數(shù)種內(nèi)置自舉二極管的產(chǎn)品，但是從技術(shù)角度來(lái)看，其方式略有不同。其中之一是使用HVIC上的高壓結(jié)終止區(qū)域作為自舉二極管。其應(yīng)用局限于額定值在100W以下的低功率應(yīng)用，因?yàn)檫@種方式具有較大的正向壓降和較差的動(dòng)態(tài)特性。功率在400W左右時(shí)，采用分立FRD作為自舉二極管，但是由于其封裝尺寸有限，沒(méi)有串聯(lián)電阻(RBS)，因此需要對(duì)大充電流進(jìn)行特殊處理，尤其在初始的充電期間。在高于400W的應(yīng)用中，最常見(jiàn)的應(yīng)用是將分立FRD和分立電阻進(jìn)行組合。這種方式的唯一缺點(diǎn)是占用空間較大和相應(yīng)的成本增高。

　　在SPM的開(kāi)發(fā)中，采用了新設(shè)計(jì)的自舉二極管，其設(shè)計(jì)目標(biāo)是減小芯片尺寸和獲得適中的正向壓降，以得到20Ω串聯(lián)電阻的等效作用。如圖4所示，其壓降特性等同于串聯(lián)電阻和普通FRD。借助于這種特殊自舉二極管的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)更多的集成同時(shí)保持最低的成本。

?

　　圖4. 內(nèi)置自舉二極管的正向壓降

　　封裝

　　開(kāi)發(fā)SPM封裝的主要因素是改善性價(jià)比，同時(shí)提升熱循環(huán)和功率循環(huán)等封裝的可靠性。因此，以往用于IC和LSI產(chǎn)品的轉(zhuǎn)模封裝技術(shù)被用于功率模塊。與具有塑料或環(huán)氧樹(shù)脂外殼的普通功率模塊相比，SPM具有相對(duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)：功率芯片和IC安裝在銅引線框架上，基底材料與框架連接，最后在環(huán)氧樹(shù)脂中模塑成型。

　　在封裝設(shè)計(jì)中散熱是重要的問(wèn)題，因?yàn)樗鼪Q定了模塊的功率容量限制，且與隔離特性有著很大的折衷平衡關(guān)系。轉(zhuǎn)模封裝SPM系列根據(jù)功率額定值和應(yīng)用，采用幾種隔離基底，如表2所示。

?

　　表2. SPM系列的封裝基底

　　借助現(xiàn)有的可變形基底的優(yōu)點(diǎn)，可在Mini-DIP SPM封裝中實(shí)現(xiàn)600V 3A到30A的功率額定值，同時(shí)保持PCB管腳布局和價(jià)格的競(jìng)爭(zhēng)力，如圖5所示。

?

　　圖5. 不同電流額定值下SPM產(chǎn)品系列的結(jié)和外殼之間的熱阻

　　除了更高的可靠性和熱性能之外，制定模式的靈活性是DBC(直接相連銅)基底的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。這樣可以針對(duì)多種應(yīng)用提供派生產(chǎn)品，比如功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)等，在此只需改變DBC，而其它封裝要素保持不變。

　　DBC的大批量生產(chǎn)還存在幾個(gè)有待解決的技術(shù)問(wèn)題，采用絲網(wǎng)印刷、多芯片安裝技術(shù)以及傳送帶回流焊和助焊劑清理工藝，開(kāi)發(fā)DBC基底和引線框架的多芯片安裝和連接技術(shù)。通過(guò)回流焊溫度曲線調(diào)整，獲得接近零的焊接空洞，增加熔解區(qū)域之間的溫度斜坡，優(yōu)化焊料和絲網(wǎng)印刷掩模設(shè)計(jì)。通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)方法，調(diào)適封裝的熱翹曲以優(yōu)化DBC基底的銅層厚度。

　　結(jié)論

　　受到成本因素的約束，SPM設(shè)計(jì)所需的綜合技術(shù)包括功率器件、驅(qū)動(dòng)器IC、封裝以及系統(tǒng)優(yōu)化。對(duì)于實(shí)際的批量生產(chǎn)，組裝和測(cè)試也是非常重要的。目前，SPM已將自身定位于最強(qiáng)大的低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器解決方案，而其發(fā)展將會(huì)越來(lái)越快。