在驅動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標準的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:26
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為什么有時候需要MOSFET柵極電阻？它應該是什么價值？它應該在下拉電阻之前還是之后？事實上，有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個可以防止一些潛在的問題。1000Ω很可能會起作用。
2023-07-06 11:10:48950 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據MOS管的Qg和導通時間計算柵極驅動電流約5A。按照一般的說法，如果驅動電流設計的太大，會引起電壓過沖和振蕩，除此之外，還會有什么不利后果？會損壞MOS管嗎？根據經驗一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
。 而當柵極開路的時候，這個電流只能給下方的Cgs電容充電，然后就會導致柵極電壓突然升高。當超過MOS管的門線電壓VTH的時候，MOS管就會很容易誤導通。 所以我們需要保護MOS管的柵極電壓來防止誤導
2023-03-15 16:55:58
的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010
2012-08-15 21:08:49
工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關
2018-10-31 13:59:26
在開啟后，才會出現導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS》VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。這些特性使得耗盡
2021-01-15 15:39:46
，很多MOS管都內置穩壓管強行限制柵極電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓時，會造成較大的靜態功耗。同時，如果單純利用電阻分壓原理來降低柵極電壓，當輸入電壓比較高時，MOS管工作良好
2021-12-03 16:37:02
數字電路中MOS管常被用來作開關管，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，根據構成和導通特性可分為四類MOS管：g被稱為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實際生產中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
高端驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得...
2021-10-29 06:54:59
通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多...
2021-10-29 07:22:17
1、首先看一個普通SOT-23封裝mos管的開關參數Qg表示MOS管開關導通時柵極需要的總的電荷量，這個參數直接反應mos管的開關速度，越小的話MOS管的開關速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來MOS管只是由柵極電壓控制的一個開關，或者說是由柵極電壓控制一個可變電阻。請前輩們來解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于
2019-02-14 11:35:54
時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比
2021-01-11 20:12:24
在設計開關電源或者逆變器時，我們經常需要用到MOS管，可是有些朋友對于如何選取MOS管的驅動電阻不太熟悉，今天本人就分享一份來自網絡資源的資料，希望對大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比
2011-11-07 15:56:56
MOS管具有正溫度系數，網上很多說不需要均流電阻。三極管是負溫度系數，才需要在發射極串接均流電阻。網上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯。現在
2021-01-05 18:19:30
`一般情況下普遍用于高端驅動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得
2019-07-05 08:00:00
`一般情況下普遍用于高端驅動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得
2019-07-05 07:30:00
一般情況下普遍用于高端驅動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統里，要得
2019-07-03 07:00:00
過二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開啟速度較關斷速度慢，形成硬件死區。限流當使用含內部死區的驅動或不需要硬件死區時，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當開啟mos管為結電容充電瞬間，驅動電路電壓源近似短接到地，當驅動電驢電壓源等價電源內阻較小時，存在過流燒毀驅動（可能是三態門三
2021-11-16 08:27:47
關于mos管的驅動知識點不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線數量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復到高阻或無窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導線
2021-10-23 15:15:38
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
全橋逆變后接的是容性負載，全橋的高壓是220v整流的，驅動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
管的輸入端，為了保護MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個適當的充電限流電阻R，如圖2-3-A所示。充電限流電阻R的阻值的選取；要根據MOS管的輸入
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對MOS管起到偏置作用，使之進入飽和區。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現象同上。來源：網絡，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
我們知道，mos管是電壓控制器件，與雙極性三極管不同的是，mos管的導通只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，不需要柵極電流。所以本質上，MOS管柵極上無需串聯任何電阻。 對于普通的雙
2023-03-10 15:06:47
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應該可以測得到電阻一般為幾千歐以內。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅動電路分析下面是常見的MOS管驅動電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅動信號是低電平時起到快速關斷的作用。一般在H橋驅動電路中需要加此二極管起到“慢開快關
2021-12-31 06:20:08
被控制部分的電源，因為柵極是隔離，所以也可以用5v信號控制3v系統的某處是否接地。 3、MOS管放大區應用 工作于放大區，一般用來設計反饋電路，需要的專業知識比較多，類似運放，難以進行細說。主要需要
2019-03-08 11:04:10
，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。 （8）結型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
本帖最后由 酷雪豹 于 2014-9-5 18:58 編輯
1、我我要用一個功率NMOS，置于直流電源（0~7V）和負載之間作為開關，短路置于MOS管漏源之間的電阻（20歐姆），具體請見附件
2014-09-04 11:23:26
不能用。 保持上述狀態；此時用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時表針指示歐姆數應該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時是正電荷通過100K電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極
2018-11-01 15:21:31
兩個mos管，第一個MOS管柵極接單片機io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷，開關頻率要求不高，對開關時間和導通電阻有要求，開關時間和導通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個時候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個電容呢？這個地方加一個MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
（因為我在做電機時候，逆變橋用自舉驅動MOS管是要GND網絡的，不知道這個是否需要），我有個想法就是不需要此GND網絡，但是在柵極和源極之間需要并個大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-10-12 16:47:54
維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
大家在電路設計時，經常需要通過主電源給各個模塊供電，而且這些模塊的供電經常是需要可以控制的。如何控制電源的通斷，我想最簡單的就是選用MOS管去控制，主要兩個方面的原因：1.MOS管導通電
2023-02-28 16:32:33
構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。MOS管的基本特性：MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在
2018-10-25 16:36:05
一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
一個開關電源問題，開關電源有個開關管MOS管的柵極上串有一個電容和一個電阻，分別起什么作用呢？降低開關管導通速度嗎？增加上升沿和下降沿時間嗎？那為何還要串個電容呢？
2018-06-29 11:28:43
怎樣去計算MOS管柵極的驅動電流呢？如何對MOS管的驅動波形進行測試呢？
2021-09-28 07:36:15
強型、P溝耗盡型和加強型四大類。 MOS管應該如何檢測呢？MOS管的外形、結構及符號如下圖所示，三個電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國產N溝道管典型產品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用MOS管必須清楚這個參數是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同，所以這是柵極電壓要比Vcc大4V
2018-12-03 14:43:36
，為了盡可能降低MOS管的開關損耗，工程師在電源設計過程中需要選擇同等規格下Qg更低的MOS管作為主功率開關管。如圖2所示是柵極電荷Qg與Vgs的曲線圖： MOS管選型 針對開關電源的應用，美國
2018-11-06 13:45:30
整流管使用時柵極的電壓應當取多少合適？作為整流的mos管Q1,Q2,Q3,Q4是否與S1,S2,S3,S4的導通時間形成互補？感謝！
2017-08-03 14:31:02
開關MOS管與線性MOS管的區別，1.是不是開關MOS管的只有“開”與“關”2種狀態？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導通的比率?3.開關的MOS管是使用數字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
。 求問MOS管關斷延遲大怎么調？ 搞搞前級，搞搞后級。就可以了。。。斷掉前級，測試MOS輸入電平。是低就上拉，高就下拉。總之跟他對著干。然后把前級加上去。試試看。調柵極的電阻啊或許
2019-01-08 13:51:07
對MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源
2018-10-26 14:32:12
的MOS管運行時，由于在Flyback時功率MOS管的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。 四、由寄生振蕩導致的破壞此破壞方式在并聯時尤其容易發生 在并聯功率MOS管時未插入柵極電阻而直接
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受過高的di／dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
` MOS管的導通電阻小而且柵極驅動也不需要電流，所以它造成的損耗較小。除此之外還具備熱特性好、自動保護二極管等優點，這也使它獲得了大多數廠商的青睞。現如今，有許多的電子行業廠家都會采用性能優秀
2018-12-27 13:49:40
為0，此時mos管柵極電壓變為-6.3V（正常情況下，AI+輸入0時，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無法開通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請大家幫忙分析下什么原因？謝謝
2018-08-22 11:27:10
一個電流，因為電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源
2017-12-05 09:32:00
詳解MOS管驅動電路在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀
2017-08-15 21:05:01
會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓
2018-11-27 13:44:26
Rg具體會影響到那些參數？我個人的理解是①這個電阻對MOS管的開關頻率有關，決定了對mos管的輸入輸出電容的充放電時間②匹配集成驅動的驅動能力，電阻越到，集成驅動所需的最大驅動電流也就越小。大家有什么看法，請教一下
2017-06-05 11:28:22
這個是一個升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發現不同的柵極電阻R6，PWM經過R6后，波形失真很嚴重，請問這個R6是如何影響到后級波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經過R6后的柵極門波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個電阻取值是的依據是什么。
2018-10-24 15:51:49
傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩壓管保護。 現在的MOS管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二極管保護。 VMOS柵極電容大，感應
2022-05-14 10:22:39
，工程師在電源設計過程中需要選擇同等規格下Qg更低的MOS管作為主功率開關管。如圖2所示是柵極電荷Qg與Vgs的曲線圖： [url=http://m.1cnz.cn/uploads
2016-12-23 19:06:35
一般情況下普遍用于高端驅動的MOS管，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里
2021-10-29 08:34:24
文章介紹了MOS管柵極電阻會影響開通和關斷時的損耗，應該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 過二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開啟速度較關斷速度慢，形成硬件死區。限流當使用含內部死區的驅動或不需要硬件死區時，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當開啟mos管為結電容充電瞬間，驅動電路電壓源近似短接到地，當驅動電驢電壓源等價電源內阻較小時，存在過流燒毀驅動（可能是三態門三
2021-11-09 15:21:0019 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎知識。場效應管根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507347 如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:296053 級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導致MOS管發燙。過于頻繁地導通會使熱量來不及發散，MOS溫度迅速升高。 ? ? 3、在高壓下，PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導線不要與母線電壓平行分
2022-11-04 13:37:245045 在高壓下，PCB的設計也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫絕緣柵型場效應管，屬于電壓控制電流型元件，是開關電路中的基本元件。其特點是柵極（G）的內阻極高。場
效應管分為P型和N型，P型場效應管由于跨導小、閾值電壓高等原因，已經逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會控制MOS管導通。
2023-06-25 14:49:24759 
中，我將詳細探討為什么電阻和MOS管的單位cell需要設計成偶數個，其具體原因如下。 首先，我們需要了解MOS管和電阻的構成方式。MOS管是由氧化物-半導體材料構成的三端口器件，包括源極、漏極和柵極。而電阻則是由電阻材料構成的兩端口器件。這些器
2023-09-20 16:23:38336 MOS芯片是一種常見的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:25857
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