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SICMOSFET的特性及對驅(qū)動的要求

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2018-10-20 10:35:515489

車用電機驅(qū)動系統(tǒng)電磁騷擾特性及傳播機制分析

基于電動汽車的特點和應(yīng)用要求,對車用電機驅(qū)動系統(tǒng)電磁騷擾特性及傳播機制進行了分析,采用騷擾源抑制、系統(tǒng)接地、電磁屏蔽、系統(tǒng)合理布局等措施實現(xiàn)了系統(tǒng)電磁兼容性能的有效提升。文中給出的整改方案已應(yīng)用于某款純電動汽車,滿足了國標(biāo)要求,證明文中給出的電磁兼容方案是行之有效的。
2019-01-09 15:52:464026

電阻的峰值特性及可靠性設(shè)計要求

電阻通常都會有一個標(biāo)準(zhǔn)的阻值、功率及最大耐壓,除此常規(guī)參數(shù)以外,很少有人關(guān)注電阻的峰值特性,也不會計算,更不用提可靠性要求了,其實器件的失效往往就在這些不關(guān)注的地方。
2019-08-18 11:24:276086

Power Integrations高效率單通道門極驅(qū)動器具有先進的安全和保護特性

?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅(qū)動電壓要求,并具有先進的安全和保護特性。
2020-03-19 09:56:073102

SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

(SiC)器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對雜散參數(shù)影響的敏感性,對其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。 通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時間分段、機理解耦與參數(shù)解耦,突出器件開關(guān)特性,弱化物理機理,
2022-12-09 10:22:55517

風(fēng)閥驅(qū)動器的基本特性都包括著哪些

風(fēng)閥驅(qū)動器的基本特性包括電機靜態(tài)數(shù)據(jù)特性、不斷運動健身特性(動態(tài)特性)、電機啟動特性和電機剎車系統(tǒng)特性(暫態(tài)過程特性)。下邊各自作詳細介紹: 1、靜態(tài)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)距特點 風(fēng)閥驅(qū)動器的磁鐵線圈通交流電
2021-02-25 11:17:32453

多種柵極驅(qū)動供電選項和基本驅(qū)動要求

為半橋配置的高端柵極供電起初似乎是一項棘手的任務(wù),因為大部分系統(tǒng)都有較高的電平轉(zhuǎn)換和驅(qū)動強度要求。本文論述讓設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)的可行解決方案。
2021-03-15 10:56:463194

隔離式柵極驅(qū)動器的特性及應(yīng)用綜述

隔離式柵極驅(qū)動器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3021

歐盟關(guān)于LED驅(qū)動電源的安規(guī)、性能要求

歐盟關(guān)于LED驅(qū)動電源的安規(guī)、性能要求
2022-03-07 15:34:1611

通過GaN特性優(yōu)化門極驅(qū)動電路

  對于GaN開關(guān),需要仔細設(shè)計其門極驅(qū)動電路,以實現(xiàn)更高能效、功率密度及可靠性。此外,謹慎的布板,使用專用驅(qū)動器如安森美半導(dǎo)體的NCP51820,及針對高低邊驅(qū)動器的一系列特性,確保GaN器件以最佳性能工作。
2022-05-09 15:01:322209

總線電流要求與收發(fā)器驅(qū)動能力

總線電流要求與收發(fā)器驅(qū)動能力
2022-11-07 08:07:300

IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求

IGBT的驅(qū)動電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動電路的合理設(shè)計。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能不好,常常會造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:431771

專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果

這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進行特性對比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時,作為柵極誤導(dǎo)通對策,增加微法級的CGS,對VGS施加-5V作為負偏壓(搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊)。
2023-02-27 13:38:59221

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(二)SiC特性以及對驅(qū)動要求

SIC MOSFET的特性 1、導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。2、隨著門極電壓的升高,導(dǎo)通電阻越小,表現(xiàn)更接近于壓控電阻。3、開通需要門極電荷較小
2023-02-27 14:37:383

步進電機的基本特性

  另外,步進電機的牽入轉(zhuǎn)矩特性和失步轉(zhuǎn)矩特性會因勵磁方法和驅(qū)動電路而異。因此,對步進電機的特性研究中,需要進行包括驅(qū)動方法和電路在內(nèi)的整體評估。
2023-03-09 11:52:28454

如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間

SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間,Easy模塊保證2us的短路時間,因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來具體
2022-05-24 15:09:571074

學(xué)技術(shù) | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件,以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性,已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅(qū)動碳化硅MOSFET,發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢,盡可能
2022-11-30 15:28:282647

伺服驅(qū)動器的技術(shù)要求

的控制目的。既然伺服驅(qū)動器如此的重要,那我們對于它都應(yīng)該有哪些要求呢?簡單的來說說:1、伺服驅(qū)動器的調(diào)速范圍一定要夠?qū)挘抢媳3忠环N電機轉(zhuǎn)速,那我們要它沒有任何意
2023-01-13 16:20:16814

LED驅(qū)動電源CE認證要求是什么?

)等。LED驅(qū)動電源出口歐盟的話是需要辦理CE認證的,那么LED驅(qū)動電源CE認證的要求是什么呢?19107516775 LED驅(qū)動電源CE認證要求包括2個部分:EMC和LVD, 一、EMC,包括EMS和EMI
2023-08-01 16:57:43670

6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)

新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:56430

如何更好的使用EiceDRIVER? IC驅(qū)動SiC MOSFET

、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用,但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER1
2023-08-17 09:27:25581

igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響?

igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622

MOS管的特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路

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2023-11-14 10:18:270

IGBT驅(qū)動電路的基本要求

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2023-11-14 10:22:462

如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動要求設(shè)計過流保護

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2023-11-14 14:15:190

LED燈具對低壓驅(qū)動芯片的要求

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2023-11-15 11:20:200

基于逆變器的解決方案及驅(qū)動和信號隔離要求

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2023-11-29 09:20:191

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對SiC MOSFET驅(qū)動的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低,開關(guān)速度快,dv/dt高,短路時間小,對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應(yīng)時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212

電流互感器的特性和使用要求

電流互感器的特性和使用要求? 電流互感器是一種常用的電流測量和保護裝置,其主要功能是將高電流通過互感器變換成低電流,以便于測量、保護和控制。它廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中的輸配電設(shè)備和裝置中,如變電站
2023-12-20 14:34:29299

SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求

SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417

低壓線性恒流驅(qū)動芯片的產(chǎn)品特性與應(yīng)用領(lǐng)域

低壓線性恒流驅(qū)動芯片的產(chǎn)品特性與應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-05 14:25:53201

汽車驅(qū)動電機的特性

汽車驅(qū)動電機是電動汽車的核心部件,它將電能轉(zhuǎn)換為機械能,驅(qū)動汽車行駛。隨著全球能源危機和環(huán)境污染問題日益嚴重,電動汽車作為一種清潔、高效的交通工具,越來越受到關(guān)注。本文將對汽車驅(qū)動電機的特性進行詳細
2024-01-09 15:12:57277

推動SiCMOSFET國產(chǎn)化,華秋獲“芯塔電子”優(yōu)秀媒體合作伙伴獎

隨著新能源市場的爆發(fā),電動汽車,光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾年可以看到,國內(nèi)外各大廠商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:49:54359

簡述igbt對驅(qū)動電路的要求有哪些

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對驅(qū)動電路的要求
2024-03-12 15:27:38209

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