Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基硅二極管，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當然也有公司稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝?！ ?3、什么是碳化硅二極管
2012-07-15 15:28:24
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r候，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶〒p耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二極管關(guān)鍵參數(shù)解讀 從應用角度來說，在選擇器件時，需要優(yōu)先考慮器件能否滿足應用要求，然后考慮器件對設備整體性能的提升幅度，綜合這兩個因素，列舉如下二極管的關(guān)鍵參數(shù)： 浪涌電流能力
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽w自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達到國際先進水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
兩類，小電流型（如SS14、SS24）封裝為SMA，大電流型（如MBR20100CT、MBR10100FCT）封裝為TO-220AB、ITO-220AB。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-07-09 11:45:01
值、溫度系數(shù)及耗散功率等等。所以肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管兩個完全不一樣，肖特基二極管做開關(guān)用，特點是正向?qū)妷旱停晒ぷ髋c高頻開關(guān)的場合。穩(wěn)壓二極管起穩(wěn)壓作用，應用場合大多為并聯(lián)在電源、IC器件兩端，防止過電壓，起保護作用。肖特基二極管規(guī)格書：
2020-09-25 15:38:08
選用肖特基二極管的時候需參考以下參數(shù)。1.導通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。2.反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓
2022-01-24 11:27:53
?一、導通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，當通過二極管的電流越大，VF越大；當二極管溫度越高時，VF越小。二、反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-03-15 14:44:01
，大多數(shù)硅用于高達250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
肖特基二極管結(jié)構(gòu)：肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與。PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見的型號，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
電阻率。 碳化硅肖特基二極管的兩種內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路符號如圖1所示，在高摻雜N+陰極電極和低摻雜N-外延層之間插入了一個N型摻雜層。這一層叫作電場終止層，主要用器件在阻斷狀態(tài)下承受電場。這使得外延層可以
2019-01-02 13:57:40
稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝。 13.什么是碳化硅二極管？ 通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料
2017-05-22 14:07:53
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
低壓降肖特基二極管是在肖特基二極管的基礎上研發(fā)的，最大的優(yōu)點就是低壓降二極管的VF值更低，滿足客戶對壓降的需求。MDD辰達行電子生產(chǎn)的20100的低壓降肖特基二極管（SBT20L100）與普通
2022-01-24 15:00:32
二極管，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當然也有公司稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝。13. 什么是碳化硅二極管?通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是
2014-04-26 13:42:10
? 理論上來說硅二極管，由于導通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現(xiàn)在很多二極管會把兩個單管封裝在一起，這樣溫升相對均勻，給并聯(lián)帶來好處。但是碳化硅是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合并聯(lián)的。
2016-11-14 20:04:40
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結(jié)合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的需求，在中國構(gòu)建了與羅姆日本同樣的集開發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的一條龍體制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設計，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓撲中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
，減少了不必要熱阻的增加?！ ?5 總結(jié) 基本半導體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導熱痛點。原作者：基本半導體
2023-02-28 17:06:57
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。 基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復時間短的半導體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過
2023-02-07 15:59:32
二極管都一樣。例如，大多數(shù)硅用于高達250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠
2018-10-19 15:25:32
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
，Littelfuse最近推出了兩個全新產(chǎn)品系列：MBR和DST功率半導體。MBR系列的整流二極管基于硅上肖特基二極管技術(shù)，不僅具有低漏電流，且提供高溫電阻和低正向電壓。它們非常適合用于高頻開關(guān)電源、續(xù)流
2018-11-06 13:48:58
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。13. 什么是碳化硅二極管？通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點
2020-09-18 17:00:12
CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-27 20:10:54
C3D03060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:10:17
C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 12:23:31
C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:37:47
C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 15:55:46
C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:04:58
C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:12:24
C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:18:33
C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:25:05
C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 16:54:16
C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-28 17:04:18
C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:28:06
C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管更堅固
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比標準肖特基勢壘二極管
2022-06-03 19:46:36
碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1429 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘
肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056028 在快充領(lǐng)域商用的大門。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰姷忍攸c，能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:022632 
TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065F（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-252-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D10065E（650V碳化硅二極管，電流10A，貼片TO-263-2L封裝，最小包裝2500只每盤）；KN3D06065N（650V碳化硅
2023-02-21 10:12:241680 
，碳化硅二極管封裝小型化成為趨勢。那么各個碳化硅二極管廠家推出了更小的封裝DFN5X6,DFN8X8,超薄型封裝。主要用于高功率密度電源和PD快充這樣子的應用中。
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34801 7.4結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:412353 
在當今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論