損耗是MOSFET的Qg乘以驅動器電壓和開關頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術規格書。驅動器電壓或者實測，或者參考IC的技術規格書。
2020-04-05 11:52:00
3550 
從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:57740 
特征?6-V至60-V工作電源電壓范圍?1.7 A源極和2.3 A陷波柵驅動電流能力?用于減少電磁干擾的轉換速率控制?具有100%占空比支持的引導門驅動器?6或3個PWM輸入模式?增益和偏移可調的雙
2020-09-14 17:31:17
最近遇到一個棘手的問題，請大神們幫忙解決一下，能解決必有重謝！問題：用MOSFET 驅動BLDC電機，用的是光耦隔離驅動，采用上下橋互補驅動。在未加母線電壓時，MCU輸出的PWM（光耦前端
2021-01-08 22:52:39
、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
的效果。然后，降低驅動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統效率會降低，MOSFET的溫度會升高，對于器件和系統的可靠性會產生問題。短路保護最好通過優化短路保護電路的設計、減小保護的延時來調節，不
2016-12-21 11:39:07
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
這是MOSFET驅動電壓，請大神指點，其中的高電平電壓波動原因是什么？
2022-05-24 09:32:29
類型。 MOSFET的工作原理： MOSFET是一種可控制的三極管，由 Gate（門） 、 Drain（漏極）和Source（源極）構成。當在Gate上施加一個能通過MOSFET的電壓，則形成電場
2023-03-08 14:13:33
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
（off-chipload）的驅動器阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且
2020-07-06 11:28:15
MOSFET 晶體管是可以電壓驅動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機控制器。這是一個典型的 MOSFET開關電路。由于電動機負載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
為什么呢？因為我根本沒有加驅動電壓，MOS怎么會導通？用下面的圖，來做個仿真： 去探測G極的電壓，發現電壓波形如下： G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導通，這是因為MOSFET
2011-08-17 16:08:07
源電壓在12V左右，以保護Q1；3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時間，如下圖：分別為添加電容和不添加電容Q1門極電壓變化情況結論：通過在開關g s 并聯電容，可以有效提升開關mosfet抗干擾能力，尤其在mosfet需要通過外部按鍵使能的應用，另外并聯的電容可以有效濾除由
2021-12-30 07:40:23
，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，使用與源極接VCC
2016-11-24 15:27:49
電路設計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設計上有問題，希望大家幫忙，目前源極沒有接負載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
, Cgd2, Ld2共同組成。由于震蕩， 并聯MOSFET的門極驅動電壓并不能保持一致，門極電壓高于Vgsth的MOSFET仍然開通，門極電壓低于Vgsth的MOSFET關閉，使得各MOSFET之間
2018-12-10 10:04:29
mosfet沒有上電時，mosfet驅動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
IGBT門極驅動器能夠在太陽能和風力發電應用中，為Mitsubishi生產的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅動。該驅動器具有較高的集成度和優越的抗EMI性能，便于實現緊湊且高可靠性的功率變換器設計，是一種靈活且即時可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
IGBT/MOSFET等全控型開關器件在現代電力電子系統中的應用日趨廣泛，相應的驅動芯片集成度也越來越高，其中欠壓保護功能由于可以防止開關管在門極電壓較低時飽和導通，被各大驅動芯片公司集成到了自家
2019-08-22 04:45:14
（1）門級電路的功耗優化綜述 門級電路的功耗優化(Gate Level Power Optimization，簡稱GLPO)是從已經映射的門級網表開始，對設計進行功耗的優化以滿足功耗的約束，同時
2021-11-12 06:14:26
Figure 4 是具有驅動器源極引腳的 MOSFET 的驅動電路示例。它與以往驅動電路（Figure 2）之間的區別只在于驅動電路的返回線是連接到驅動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
PWM輸入變高時，高壓側驅動器將通過從CBST中抽出電荷開始打開高壓側MOSFET，Q1當Q1打開時，SW引腳將上升到VIN，迫使BST引腳達到VIN+VC（BST），這是足以保持Q1打開的門到源電壓
2020-07-21 15:49:18
FOD8342TR2是一款 3.0 A 輸出電流門極驅動光耦合器，能夠驅動中等功率 IGBT/MOSFET。它適用于電機控制逆變器應用和高性能電源系統中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速
2022-01-17 09:31:39
和三極管，它們倆功能上差不多，但是原理和應用范圍還是有較大的區別的。這里主要討論一些MOSFET的應用，說得比較淺顯。MOSFET的門極（G極，gate），顧名思義就是將MOSFET導通的電壓，起到一...
2021-07-05 07:18:34
驅動電壓提供優化應用所需的靈活性，包括門電荷和傳導損耗之間的權衡。自適應零穿透保護集成到防止上下mosfet傳導同時盡量減少死區時間。這些產品增加了操作過電壓保護功能在VCC超過其開啟閾值之前相節點連接
2020-09-30 16:47:03
，MOSFET Q1門極驅動信號關斷，諧振電感電流開始流經MOSFET Q2的體二極管，為MOSFET Q2產生ZVS條件。這種模式下應該給MOSFET Q2施門極信號。由于諧振電流的劇增，MOSFET
2019-09-17 09:05:04
一般說明 LM9061是一種電荷泵裝置，它提供門驅動到任何尺寸的外部功率MOSFET配置作為高壓側的駕駛員或開關。CMOS邏輯兼容電路開/關輸入控制輸出柵極驅動電壓。在在ON狀態下，電荷泵電壓
2020-07-14 14:53:05
MOS管門極驅動電路問題1.Q2的存在為什么可以加速Q門極輸入電容的放電？2.D1的作用?是加速Q導通？
2021-09-29 10:30:09
，那柵極電流需要多少呢？所以在柵極或者三極管的基極會有一些增強驅動的電路，比如互補推挽、圖騰柱、上拉、復合管、門極驅動器等。這是除了考慮柵極或者基極的驅動電壓，還要考慮基極的驅動電流？柵極電容也是要考慮的一個參數吧？
2022-05-30 14:11:34
描述：NCP302155MNTWG是一款集成了MOSFET驅動器，高?側面MOSFET而且很低?將側邊MOSFET封裝成單個封裝。驅動器和MOSFET已經過優化，以實現高性能?現在的直流?直流降壓
2021-07-14 19:55:16
SCALE-2技術可優化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內的功率逆變器和變換器的效率、性能和深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號
2021-09-09 11:00:41
`羅姆低門驅動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅動類型。 這種廣泛的驅動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低。 4. 驅動門極電壓和導通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
，CoolSiCTM MOSFET推薦驅動電壓為15V，與現在Si基IGBT驅動需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型閾值電壓4.5V, 高于市面常見的2~3V的閾值電壓。比較高的閾值電壓可以避免門
2019-04-22 02:17:17
ID迅速下降，較高的電流變化率在功率源極雜散電感Lsource上產生負壓降LSource*（dID）/dt（上負下正），該電壓降使得MOSFET芯片上的門極電壓VGS_int在關斷的第一瞬間并不是驅動
2023-02-27 16:14:19
漏源電壓保持截止時高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大;t3-t4區間：柵極電壓從平臺上升至最后的驅動電壓(模塊電源一般設定為12V)，上升的柵壓使導通電
2019-09-25 07:00:00
確保漏極檢測電路不會啟動時觸發錯誤。可以設置此時間常數從幾微秒到幾秒鐘。但是，非常長時間的延遲可能會使MOSFET面臨被摧毀的危險由于短路情況。（參見應用程序信息第節）。狀態Pin狀態引腳是一個低驅動
2020-09-08 17:28:16
?當輸入與輸出電壓之間有正電壓時，運放肖特基二極管電路使MOSFET導通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅動
2021-04-08 11:37:38
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅動
2018-09-01 09:53:17
在通孔板上建立電路數小時后，我發現使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經過搜索，我發現我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當
2018-08-23 10:30:01
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
目前想設計一個關于MOSFET的DG極驅動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關斷，帶負載時GS極始終存在4V電壓無法關斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
驅動電壓提供優化應用所需的靈活性，包括門電荷和傳導損耗之間的權衡。自適應零穿透保護集成到防止上下mosfet傳導同時盡量減少死區時間。這些產品增加了操作過電壓保護功能在VCC超過其開啟閾值之前相節點連接
2020-09-29 17:38:58
了。一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：（1）開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2019-02-21 06:30:00
1.直接驅動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關斷時提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關斷
2018-11-16 11:43:43
利用IR2103驅動mosfet實現電壓輸出，幫忙看看這個電路是怎么工作的？其中PULSE1是PWM脈沖，HIV_ADJ1是50-130的直流電壓，要求將50-130的直流電變成脈沖實現輸出
2018-01-19 10:32:04
一、功率MOSFET的正向導通等效電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
施加正電壓，打開漏極和源極引腳之間的通道，并允許電流流過 LED。P溝道MOSFETP溝道MOSFET開關電路圖二、場效應管MOSFET用作電機驅動電路N溝道MOSFET如下圖所示，兩個二極管反向偏置
2022-09-06 08:00:00
，尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節的問題，從而優化MOSFET的驅動性能，提高整個系統的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何連接MOSFET和MOSFET的驅動，還有MOSFET的驅動如何選型
2016-04-24 18:05:56
MOSFET一般工作在橋式拓撲結構模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅動電壓的參考點為地，較容易設計驅動電路，而上橋的驅動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅動上橋MOSFET成了設...
2021-07-27 06:44:41
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
瞬態操作。圖1所示為硬開關關斷瞬態下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉換器中的MOSFET的典型關斷瞬態波形 當驅動器發出關斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
電路中U1 為電壓檢測IC ， IC 是當1和2兩腳電壓會3.3V以上時輸出腳3電壓為3.3V， 那么當R1電阻上電壓3.3V以上的時候，IC 輸出3.3V 電壓驅動 MOSFET 短路掉電阻R1
2012-11-09 20:09:35
重要了。一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：（1）開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
關系。若適當增大器件的開通時間，即可在很大程度上減小振蕩幅值，因此考慮在驅動芯片與MOSFET柵極間加設緩沖電路，即人為串接驅動電阻，在MOSFET柵源極間并聯電容以延長柵極電容的充電時間，降低電壓
2018-08-27 16:00:08
求一款低邊MOSFET驅動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
的門極驅動問題做了一些總結，希望對廣大IGBT應用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅動要求 1.1 柵極驅動電壓 因IGBT柵極-發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行驅動，但
2016-11-28 23:45:03
的門極驅動問題做了一些總結，希望對廣大IGBT應用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅動要求 1.1 柵極驅動電壓 因IGBT柵極-發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行驅動，但
2016-10-15 22:47:06
（1)直接驅動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關斷時提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關斷
2018-12-24 14:39:02
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
通過金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導通。當柵極沒有加驅動電壓時，功率MOSFET通過反向偏置的P-體區和N-^^的epi層形成的PN結承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來
2023-02-20 17:21:32
MOSFET基本上已經導通。圖1：AOT460柵極電荷特性對于上述的過程，理解難點在于：(1) 為什么在米勒平臺區，VGS的電壓恒定？(2) 驅動電路仍然對柵極提供驅動電流、仍然對柵極電容充電，為什么柵極
2016-11-29 14:36:06
上一節我們講了由NMOS與PMOS組成的CMOS，也就是一個非門，各種邏輯門一般是由MOSFET組成的。上圖左邊是NMOS右邊是PMOS。上圖兩圖是非門兩種情況，也就是一個CMOS，輸入高電壓輸出
2023-02-15 14:35:23
;lt;br/>門極電壓不能超過Vgs的最大值。在設計驅動線路時，應考慮驅動電源電壓和線路的抗干擾性，確保MOSFET在帶感性負載且工作在開關狀態時柵極電壓不超過Vgs的最大值
2009-12-03 17:25:55
to 125IXRFDSM607X2IXYS18+17080 門驅動器 15A Low-Side RF MOSFET DriverUCC5390ECDRTexas Instruments18+17080 門驅動器 10A/10A 3-kVRMS
2018-08-01 09:29:40
MOSFET DriverTC4424COE713Microchip Technology18+9800 門驅動器 3A DualSI8234BB-D-IS1RSilicon Labs18+9800 門驅動
2018-08-02 09:39:35
供的電阻要小得多。正因為如此，當與等效功率 MOSFET 相比，電流額定值要高得多。與其他類型的晶體管器件相比，使用絕緣門雙極性晶體管的主要優點是其高電壓能力、低開關電阻、易于驅動、相對快速的開關速度以及
2022-04-29 10:55:25
的外延層epi厚度N-決定。功率MOSFET的N+源極和P-體區形成的結通過金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導通。當柵極沒有加驅動電壓時，功率MOSFET通過反向偏置的P-體區和N-的epi層形成
2016-09-06 15:41:04
絕大多數情況下都取決于IC的規格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優化的電源IC應該是上策。具體一點來講，在規格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
MOS管的門極開通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門極開通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
當今多種MOSFET 技術和硅片制程并存，而且技術進步日新月異。要根據MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET 驅動器與MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:05
95 MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 如何驅動碳化硅MOSFET以優化高功率系統的性能和可靠性
2018-08-20 01:10:008382 如何驅動碳化硅MOSFET以優化高功率系統的性能和可靠性
2018-08-02 01:20:005114 器件尺寸的挑戰也增加了。這種降低通常是通過提高工作頻率來實現的。反過來，這種增加需要更復雜的驅動器和碳化硅 (SiC) MOSFET 或 IGBT 的驅動電壓優化。 提高效率同時減小器件尺寸的目標增加了對高性能功率器件和柵極驅動器的需求。因
2022-08-08 09:56:58185 
使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
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