高頻去耦電容CHF應(yīng)為0.1μF~10μF，X5R或X7R電介質(zhì)的陶瓷電容，它有極低的ESL（有效串聯(lián)電感）和ESR（等效串聯(lián)電阻）。較大的電容電介質(zhì)（如Y5V）可能使電容值在不同電壓和溫度下有大的下降，因此不是CHF的最佳材料。

　　圖3b為降壓轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵脈沖電流回路提供了一個(gè)布局例子。為了限制電阻壓降和過孔數(shù)量，功率元件都布放在電路板的同一面，功率走線也都布在同一層上。當(dāng)需要將某根電源線走到其它層時(shí)，要選擇在連續(xù)電流路徑中的一根走線。當(dāng)用過孔連接大電流回路中的PCB層時(shí)，要使用多個(gè)過孔，盡量減小阻抗。

　　圖4顯示的是升壓轉(zhuǎn)換器中的連續(xù)電流回路與脈沖電流回路。此時(shí)，應(yīng)在靠近MOSFET QB與升壓二極管D的輸出端放置高頻陶瓷電容CHF.

　　圖5是升壓轉(zhuǎn)換器中脈沖電流回路的一個(gè)布局例子。此時(shí)關(guān)鍵在于盡量減小由開關(guān)管QB、整流二極管D和高頻輸出電容CHF形成的回路。

　　圖5，本圖顯示的是升壓轉(zhuǎn)換器中的熱回路與寄生PCB電感（a）；為減少熱回路面積而建議采用的布局（b）。

　　圖6和圖7（略）提供了一個(gè)同步降壓電路的例子，它強(qiáng)調(diào)了去耦電容的重要性。圖6a是一個(gè)雙相12VIN、2.5VOUT/30A（最大值）的同步降壓電源，使用了LTC3729雙相單VOUT控制器IC.在無負(fù)載時(shí)，開關(guān)結(jié)點(diǎn)SW1和SW2的波形以及輸出電感電流都是穩(wěn)定的（圖6b）。但如果負(fù)載電流超過13A，SW1結(jié)點(diǎn)的波形就開始丟失周期。負(fù)載電流更高時(shí)，問題會(huì)更惡化（圖6c）。

　　在各個(gè)通道的輸入端增加兩只1μF的高頻陶瓷電容，就可以解決這個(gè)問題，電容隔離開了每個(gè)通道的熱回路面積，并使之最小化。即使在高達(dá)30A的最大負(fù)載電流下，開關(guān)波形仍很穩(wěn)定。