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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源設(shè)計(jì)應(yīng)用>負(fù)載開(kāi)關(guān)比分立MOSFET更具優(yōu)勢(shì)

負(fù)載開(kāi)關(guān)比分立MOSFET更具優(yōu)勢(shì)

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2021-04-20 06:36:55

過(guò)壓故障保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)對(duì)分立保護(hù)器件的替代

的模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器代替分立 保護(hù)器件能夠在模擬性能、魯棒性和解決方案尺寸方面提供 顯著的優(yōu)勢(shì)。過(guò)電壓保護(hù)器件位于敏感下游電路和受到外部 應(yīng)力的輸入端之間。一個(gè)例子是過(guò)程控制信號(hào)鏈中的傳感器 輸入端
2019-07-26 08:37:28

采樣電阻加運(yùn)放的電流采樣方法運(yùn)用那種更具優(yōu)勢(shì)

采樣電阻加運(yùn)放的電流采樣方法運(yùn)用那種更具優(yōu)勢(shì)
2022-02-23 07:46:41

采用負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率排序參考設(shè)計(jì)包括BOM及框圖

調(diào)節(jié)時(shí)序閾值引腳對(duì)引腳封裝方式允許根據(jù)不同的電壓、電流和 Ron 要求在多個(gè)負(fù)載開(kāi)關(guān)之間交換負(fù)載開(kāi)關(guān)可幫助實(shí)現(xiàn)較分立MOSFET 解決方案更小的解決方案尺寸和更少的組件數(shù)量
2018-10-12 09:18:58

集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗分析

圖1:開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段(圖
2022-11-16 08:00:15

高頻負(fù)載對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響

可帶20A負(fù)載開(kāi)關(guān)電源帶由兩個(gè)IRF540N的MOSFET管組成高頻開(kāi)關(guān)負(fù)載時(shí),發(fā)現(xiàn)僅3A電流就把開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓(空載24V)拉低到了11V多一點(diǎn)。開(kāi)關(guān)電源沒(méi)有問(wèn)題。是什么原因,請(qǐng)教各位前輩???謝謝!!!
2014-03-14 14:07:45

可替代集成MOSFET分立器件#mosfet

MOSFET元器件分立器件FET
EE_Voky發(fā)布于 2022-08-16 14:59:35

分立元件式聲控開(kāi)關(guān)電路圖

分立元件式聲控開(kāi)關(guān)電路圖
2009-05-08 15:31:282335

分立元件觸摸開(kāi)關(guān)電路

分立元件觸摸開(kāi)關(guān)電路 分立元件觸摸開(kāi)關(guān)電路如下圖所示,該電路由感應(yīng)放大器、存儲(chǔ)器、交流驅(qū)動(dòng)器等組成。手指觸摸絕緣金屬板
2010-02-08 17:54:011916

開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃

開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃  功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為開(kāi)關(guān)電源(switch-mode power supplies,SMPS)整流組件的最佳選擇,專
2010-03-01 11:00:181505

AccuPower系列負(fù)載開(kāi)關(guān)器件FPF2700、FPF27

  AccuPower系列負(fù)載開(kāi)關(guān)包括FPF2700、FPF2701和FPF2702三款器件,它們與需要分立MOSFET加外部保護(hù)電路的現(xiàn)有解決方案不
2010-11-17 08:48:171858

電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)

微處理器通過(guò)控制電源的工作來(lái)實(shí)現(xiàn)負(fù)載管理,負(fù)載管理也可以由微處理器與多個(gè)負(fù)載開(kāi)關(guān)組成。負(fù)載開(kāi)關(guān)是一種功率電子開(kāi)關(guān)
2011-12-29 17:32:223543

MOSFET開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

MOSFET開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45204

功率MOSFET在電子負(fù)載中的應(yīng)用

功率MOSFET在電子負(fù)載中的應(yīng)用,電子負(fù)載的制作時(shí)功率模塊的應(yīng)用。
2016-02-22 15:08:5042

負(fù)載開(kāi)關(guān)是什么?

負(fù)載開(kāi)關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)可用來(lái)斷開(kāi)耗電量大的子系統(tǒng)(當(dāng)處于待機(jī)模式時(shí)),或用于負(fù)載點(diǎn)控制以方便電源排序。智能手機(jī)得到普及之后,人們創(chuàng)建了負(fù)載開(kāi)關(guān);由于手機(jī)添加了更多的功能,因此
2017-04-18 11:50:0323175

教你如何選擇正確的負(fù)載開(kāi)關(guān)

集成負(fù)載開(kāi)關(guān)是可用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)為系統(tǒng)帶來(lái)許多其它優(yōu)勢(shì),并且集成通常難以用分立元件實(shí)現(xiàn)的保護(hù)功能。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用,包括但不限于: 配電 上電排序和電源
2017-06-07 10:39:3317

基于MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換速率測(cè)試負(fù)載瞬變

片可將20nH的電感添加到負(fù)載路徑中。很明顯,需要另一種電流汲入方法。大多數(shù)電源評(píng)估模塊可以很容易地被配置為快速汲入電流的模式。圖1舉例說(shuō)明了分立金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)加可直接
2017-11-17 03:18:151402

要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件

LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通(ZVS),MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個(gè)基本條件
2018-06-11 07:51:0020147

集成MOSFET分立器件能用什么進(jìn)行替代?

電源設(shè)計(jì)小貼士42:可替代集成MOSFET分立器件
2018-08-16 00:08:005477

揚(yáng)杰科技||P-100V SGT MOSFET新品發(fā)布

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 1、國(guó)內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品; 2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,電路更簡(jiǎn)潔,高效;
2020-10-21 15:51:542267

超深亞微米無(wú)負(fù)載四管與六管SRAM SNM的對(duì)比

采用基于物理的指數(shù)MOSFET模型與低功耗傳輸域MOSFET模型,推導(dǎo)了新的超深亞微米無(wú)負(fù)載四管與六管SRAM存儲(chǔ)單元靜態(tài)噪聲容限的解析模型.對(duì)比分析了由溝道摻雜原子本征漲落引起的相鄰MOSFET的閾值電壓失配對(duì)無(wú)負(fù)載四管和六管SRAM單元靜態(tài)噪聲容限的影響。
2021-03-26 15:17:546

負(fù)載開(kāi)關(guān)知識(shí)

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān),為什么需要負(fù)載開(kāi)關(guān)??  集成負(fù)載開(kāi)關(guān)是可用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)為系統(tǒng)帶來(lái)許多其它優(yōu)勢(shì),并且集成通常難以用分立元件實(shí)現(xiàn)的保護(hù)功能。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種
2021-10-22 12:21:017

Load Switch負(fù)載開(kāi)關(guān)詳解

繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)為系統(tǒng)帶來(lái)許多其它優(yōu)勢(shì),并且集成通常難以用分立元件實(shí)現(xiàn)的保護(hù)功能。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用,包括但不限于:? 配電? 上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換...
2021-10-22 15:21:0224

什么時(shí)候使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管(BJT)/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。 系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)
2021-11-10 09:40:23554

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān) 集成式負(fù)載開(kāi)關(guān)優(yōu)勢(shì)是什么

電路相比,集成式負(fù)載開(kāi)關(guān)優(yōu)勢(shì)是什么? ? 如圖1所示,典型的分立式解決方案包括一個(gè)P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、一個(gè)N通道MOSFET和一個(gè)上拉電阻器。雖然這對(duì)開(kāi)關(guān)電源軌來(lái)說(shuō)
2021-11-24 14:40:564212

固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)相比誰(shuí)更具優(yōu)勢(shì)

固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)相比,二者之間哪個(gè)更具優(yōu)勢(shì)
2022-02-03 10:13:0015446

東芝推出基于WCSP4G緊湊型封裝的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)TCK127BG

負(fù)載開(kāi)關(guān),從字面意思來(lái)說(shuō)就是為控制負(fù)載通斷而衍生的一種開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)一般需要通過(guò)較大的電流,而且具有快速切換響應(yīng)的特性。以往的負(fù)載開(kāi)關(guān)一般都是采用分立元件搭建的,主要采用MOSFET和電阻等元件進(jìn)行
2022-05-19 17:53:391107

功率MOSFET負(fù)載功率能力的評(píng)估

功率MOSFET負(fù)載功率能力的評(píng)估
2022-07-26 17:43:441860

何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)
2022-11-03 08:04:460

SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)和用例是什么?

SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034

用過(guò)壓故障保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)代替分立保護(hù)元件

設(shè)計(jì)魯棒電子電路的挑戰(zhàn)通常會(huì)導(dǎo)致設(shè)計(jì)中存在大量分立保護(hù)元件,并增加相關(guān)的成本、設(shè)計(jì)時(shí)間和空間。本文討論故障保護(hù)開(kāi)關(guān)架構(gòu),以及與傳統(tǒng)分立保護(hù)解決方案相比的性能優(yōu)勢(shì)和其他優(yōu)勢(shì)。討論了一種新的新型開(kāi)關(guān)架構(gòu)
2023-01-06 11:27:26714

具有熱測(cè)量功能的 MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān) PCB-AN11304

具有熱測(cè)量功能的 MOSFET 負(fù)載開(kāi)關(guān) PCB-AN11304
2023-03-03 20:11:070

何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管(BJT)/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)

負(fù)載開(kāi)關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)可用來(lái)“斷開(kāi)”耗電量大的子系統(tǒng)(當(dāng)處于待機(jī)模式時(shí)),或用于負(fù)載點(diǎn)控制以方便電源排序。智能手機(jī)得到普及之后,人們創(chuàng)建了負(fù)載開(kāi)關(guān);由于手機(jī)添加了更多的功能
2023-04-17 10:25:171263

如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

需要通過(guò)負(fù)載開(kāi)關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開(kāi)有幾個(gè)原因,一個(gè)非常簡(jiǎn)單和常見(jiàn)的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">負(fù)載開(kāi)關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流,由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252215

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立負(fù)載開(kāi)關(guān)

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來(lái)看看不同類型的負(fù)載開(kāi)關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)負(fù)載與電源連接或斷開(kāi),由外部啟用信號(hào)控制開(kāi)關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載
2023-06-07 16:12:171363

如何使用分立元件構(gòu)建雙向開(kāi)關(guān)

現(xiàn)在,讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開(kāi)關(guān),以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的雙向開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2023-06-27 17:26:35676

Littelfuse的≥2 kVHV分立MOSFET器件介紹

在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域,高壓(HV)分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要,Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483

負(fù)載開(kāi)關(guān)原理,負(fù)載開(kāi)關(guān)怎么判斷好壞

負(fù)載開(kāi)關(guān)(LoadSwitch)是一種電子元器件,其主要功能是在電路中控制負(fù)載開(kāi)關(guān)狀態(tài),可以將電路的負(fù)載連接或斷開(kāi)。負(fù)載開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子、通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。接下來(lái),我們將介紹負(fù)載開(kāi)關(guān)的原理以及如何判斷好壞。
2023-07-14 14:13:221258

高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用

高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195

MOSFET作為開(kāi)關(guān)的應(yīng)用

MOSFET作為一種電子開(kāi)關(guān),主要利用了其在柵源電壓控制下的導(dǎo)電能力,通過(guò)改變柵源電壓 VGS,使得元件在短路(ON)和開(kāi)路(OFF)狀態(tài)間轉(zhuǎn)變,從而實(shí)現(xiàn)高效的電壓控制和電源管理。MOSFET開(kāi)關(guān)
2023-11-25 11:30:00406

碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)IC?使用負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的優(yōu)點(diǎn) 負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的便捷功能

負(fù)載開(kāi)關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負(fù)載電路或IC之間的一個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)
2024-02-17 15:57:00461

開(kāi)關(guān)電源是阻性負(fù)載還是感性負(fù)載

開(kāi)關(guān)電源適用于各種不同類型的負(fù)載,無(wú)論是阻性負(fù)載還是感性負(fù)載都可以正常工作。但是,具體使用哪種類型的負(fù)載會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生一定的影響。在選擇負(fù)載類型時(shí),需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)進(jìn)行權(quán)衡和選擇
2024-02-06 09:25:35389

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