2014年9月26日 – 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發及共同推廣基于氮化鎵（GaN）的產品和電源系統方案，用于工業、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。

　　這策略合作充分發揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏（V）GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開關穩壓器到全定制專用集成電路（ASIC）電源管理方案。

　　GaN在電源應用已證明能提供優于硅基器件的重要性能優勢。安森美半導體和Transphorm合作開發的新世代封裝產品將提供可靠及授證的方案，令工程師實現前所未有的高能效和功率密度水平。

　　安森美半導體標準產品部執行副總裁兼總經理賀彥彬（Bill Hall）說：“安森美半導體充分認識到GaN技術可帶給功率電子市場的固有優勢，我們非常高興與這領域公認的領袖合作，此外我們也有自己的GaN開發工作。這項新的重要合作，在策略上結合了我們可觀的電源系統方案實力及Transphorm的GaN專知和技術。我們的合作能夠增強客戶對此新技術的信心，及加速它廣泛的市場采納?！?/p>

　　Transphorm首席執行官（CEO） Fumihide Esaka說：“跟像安森美半導體這樣的領先電源半導體公司合作，確認了Transphorm在GaN的領先地位，將為我們客戶提供更寬廣的基于GaN的產品及方案。我們的合作不僅對加快GaN的市場滲透具有重要作用，還對整個電源轉換行業富有意義?！?/p>

　　首批共同開發的基于600 V GaN晶體管方案預計將于2014年底前開始提供樣品。這些方案將用于200 W至1000 W功率范圍的高功率密度應用，用于電信及服務器市場的緊湊型電源。根據合作條款，共同開發的封裝晶體管產品將包括安森美半導體的用于共源共柵（cascoded）開關的低壓MOSFET硅片，及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率晶體管（HEMT）。這些器件將在安森美半導體的制造廠聯合封裝、組裝及測試。

　　電源系統參考設計將提供給客戶，使他們能夠應用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技術優勢。

　　關于Transphorm

　　Transphorm正在重新定義電源轉換，提供具成本競爭力、易于嵌入的電源轉換模塊，降低代價高昂的電能損失超過50%，簡化用于太陽能面板及電動汽車的電機驅動器、電源和變頻器的設計及生產。從材料技術及器件制造到電路設計及模塊封裝，Transphorm均設計及提供符合全球客戶需求的電源轉換器件及模塊。Transphorm創建了一個電氣系統制造商生態系統，加速專用電源模塊的采用，為優化能效的下一代電氣系統開辟道路。

　　關于安森美半導體

　　安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。