碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53
807 
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯
2023-01-07 10:24:371060 在有限的封 裝空間內，如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環境中以降低芯片結溫及器件內部各封裝材料的工作溫度，已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結構
2023-04-18 09:53:235974 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰：傳統封裝
2023-09-24 10:42:40391 
降低，為充分發揮 SiC 器件的優勢需要改進現有的封裝技術。針對上述挑戰，對國內外現有的低寄生電感封裝方式進行了總結。分析了現有的高溫封裝技術，結合新能源電力系統的發展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。
2023-12-27 09:41:37621 
近年來，SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發熱潮。 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SBD串聯技術，實現6支器件串聯，研制了39 kV/100 A SiC SBD組件，并在24 kV換流閥功率模塊中得到應用。 圖1 ZPOC封裝示意圖 應用ZPOC封裝技術的模塊使用了焊接與壓接
2023-02-27 14:22:06
隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
半導體相比，損耗更低，高溫環境條件下工作特性優異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導體已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性要求很嚴苛的車載設備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列 而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
，需要不斷完善各種應用電路、易用封裝、復合品、額定電流、額定電壓的產品陣容，要求具備多元化的技術積累。 在功率元器件領域，羅姆擁有業界頂級水平的產品陣容，在Si基超級結（SJ）-MOSFET
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內部結構和優化了散熱設計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優勢–高頻驅動，不僅
2018-12-04 10:24:29
是基于技術規格書中的規格值的比較，Eon為開關導通損耗，Eoff為開關關斷損耗、Err為恢復損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒有Irr而極其微小。結論是開關損耗
2018-11-27 16:37:30
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
大功率白光LED封裝從實際應用的角度來看，安裝使用簡單，體積相對較小的大功率LED器件，在大部分的照明應用中必將取代傳統的小功率LED器件。小功率的LED組成的照明燈具為了達到照明的需要，必須集中
2013-06-10 23:11:54
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
功率開關技術也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經從5年前的商業起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關相當，特別是在考慮到連鎖效益的情況下。 隨著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
方面的所有課題。而且，與傳統產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創的安裝技術，還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
，采用特別是模塑或三維立體封裝技術，開發新一代功率模組，如圖6所示。圖6 : 新一代功率模組（here 3D）考量到SiC是一種相對較新的材料，SiC元件的工作溫度和輸出功率高于矽，有必要在專案內開發
2019-06-27 04:20:26
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 高可靠功率器件金屬封裝外殼的技術改進
2017-09-12 14:30:47
14 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813797 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能。
2020-03-09 08:42:353498 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應用中具有極大優勢。據悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優異的物理和化學特性，能夠極大地提升現有能源的轉換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:32653 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010174 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:0957 碳化硅器件正在幾個大容量功率應用中取代其現有的硅對應物。隨著 SiC 市場份額的持續增長，該行業正在消除大規模商業化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
鎵 (GaN) 等技術所需的最高開關速度和系統尺寸限制而設計。架構的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813 
寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的生產已經開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰和最新發展。第一部分重點
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 ? ? ? 針對要求最嚴苛的功率開關應用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢，從而引入改進的半導體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯著提高功率開關應用的性能，尤其是汽車牽引逆變器
2022-11-16 10:57:40537 
近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 純SiC晶體是通過Lely升華技術生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發明了一種可復制的SiC晶塊生長方法。
2022-12-28 11:44:13717 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導率（60W/m-K）和低熱膨脹系數（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數 （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573191 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 根據市場分析機構 Yole 預測，在未來 5 年內，SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%，SiC 行業（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 隨著電子技術的不斷發展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22843 
SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 
范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
航天器的重要組成部分——供配電系統和二次電源的發展面臨兩方面的挑戰，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設計要求，限制了宇航電源技術的發展，因此SiC功率器件的替代應用已勢在必行。
2023-10-18 10:34:31378 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發展SiC功率器件業務。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導通電阻和快速開關等優點備受矚目。然而，如何充分發揮碳化硅器件的性能卻給封裝技術帶來了新的挑戰。傳統封裝技術在應對
2024-01-26 16:21:39218 
采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結技術與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47105 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43106 
SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的3倍以上，有利于高功率應用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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