規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管低頻放大器晶體管低頻放大器主要是用來放大低頻小信號(hào)電壓的放大器，頻率從幾十赫到一百千赫左右一、晶體管的偏置電路為了使放大器獲得線性的放大作用，晶體管不僅須有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，而且必須使
2021-06-02 06:14:09
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開關(guān)工作方式時(shí)，因?yàn)殡娫措妷汉图姌O電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
簡單記為“晶體管電路的通斷就是由b極電壓與恒定的e極電壓比較高低決定”。換句話說，這個(gè)三極管的b極電壓相對(duì)e極為低電平時(shí)三極管就會(huì)導(dǎo)通，相對(duì)e極為高電平時(shí)三極管就會(huì)截止。從這里可以看出，晶體管的導(dǎo)
2021-01-13 16:23:43
基區(qū)中由發(fā)射結(jié)逐漸流向集電結(jié)，形成集電極電流;最后，由于集電結(jié)處存在較大的反向電壓，阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，并將聚集在集電結(jié)附近的自由電子吸引至集電區(qū)，形成集電極電流。2.場效應(yīng)晶體管
2016-06-29 18:04:43
管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺(tái)
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
組成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射極放大電路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，則ICQ為( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子由轉(zhuǎn)子鐵心、轉(zhuǎn)子繞組、風(fēng)扇、換向器等組成。 ×5.單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)中有( )個(gè)PN結(jié)。 CA.
2021-09-02 06:19:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發(fā)射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設(shè)計(jì).pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
。 7．音頻功率放大互補(bǔ)對(duì)管的選用音頻功率放大器的低放電路和功率輸出電路，一般均采用互補(bǔ)推挽對(duì)管（通常由1只NPN型晶體管和1只PNP型晶體管組成）。選用時(shí)要求兩管配對(duì)，即性能參數(shù)要一致。 低放電路中
2012-01-28 11:27:38
晶體管進(jìn)行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負(fù)就行。如果要從基極電流、集電極電流、發(fā)射極電流的組成、流動(dòng)，PN結(jié)的能級(jí)等等方面來講清晶體管的放大機(jī)理，就更復(fù)雜了。這在許多專業(yè)
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
從事家電維修的朋友總少不了有一臺(tái)晶體管耐壓測試器，用來檢查晶體管的反壓（耐壓）值、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值，甚至電容的漏電流、電機(jī)繞組的絕緣電阻大小等等。
2021-05-07 06:21:48
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
電流可以調(diào)節(jié)巨大的發(fā)射極集電極電流。II. 什么是PNP晶體管？PNP 晶體管是將一種 n 型材料與兩種 p型材料摻雜在一起的晶體管。它是一種由電流供電的設(shè)備。適量的基極電流調(diào)節(jié)了發(fā)射極和集電極電流
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
晶體管由具有低供體雜質(zhì)摻雜濃度的n型半導(dǎo)體材料制成。發(fā)射器摻雜的受體雜質(zhì)濃度高于集電極，收集物摻雜的濃度低于發(fā)射器。BE結(jié)通過向基極施加較低的電位來實(shí)現(xiàn)正向
偏置，而BC結(jié)通過向集電極施加相當(dāng)?shù)偷碾妷?/div>
2023-02-03 09:50:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
場效應(yīng)管的演變 鰭式場效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
雙極晶體管，具有三個(gè)引腳，集電極、基極和發(fā)射極。晶體管的增益在 110 到 800 之間，這是決定該晶體管放大率的值。集電極的最大電流為 100mA，因此消耗超過該電流的負(fù)載不能連接到該晶體管。偏置
2022-08-30 07:23:58
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流。 如果我們達(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
先生，我使用了兩個(gè)ATF54143晶體管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和連接的電容分流反饋，電容器連接在一個(gè)晶體管的源極和另一個(gè)晶體管的漏極之間。我試圖給兩個(gè)晶體管提供偏置，實(shí)現(xiàn)了一
2019-01-14 13:17:10
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
，如左圖所示。“ DC偏置電平”的功能是通過將其集電極電流（I C）設(shè)置為恒定的穩(wěn)態(tài)值來正確設(shè)置晶體管的Q點(diǎn)，而無需將任何外部輸入信號(hào)施加到晶體管的基極。該穩(wěn)態(tài)或DC工作點(diǎn)由電路DC電源電壓（Vcc
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
先生，我已將一個(gè)晶體管連接到另一個(gè)晶體管。如何實(shí)現(xiàn)兩個(gè)晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個(gè)ATF54143晶體管，并在一個(gè)晶體管X2（如圖所示）Vds = 3v（電壓差為
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
手機(jī)擴(kuò)展內(nèi)存的大小 由什么決定？謝謝
2014-07-30 16:43:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
所有類型的晶體管放大器都使用交流信號(hào)輸入進(jìn)行操作，交流信號(hào)輸入在正值和負(fù)值之間交替，因此需要某種“預(yù)設(shè)”放大器電路以使其在這兩個(gè)最大值或峰值之間工作的方式。這是使用稱為“偏移”的過程來實(shí)現(xiàn)的。偏置在
2020-11-02 09:25:24
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開關(guān)過程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級(jí)側(cè)電流ILr由次級(jí)側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對(duì)晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
的晶體管特性曲線，其線條數(shù)與階梯波的級(jí)數(shù)相同。在每一個(gè)循環(huán)周期中，電容c4的充電次數(shù)由C4 與C3 的比值決定，在本電路中，C4/C3 =5 ，所以階梯波的級(jí)數(shù)為5 級(jí)，調(diào)節(jié)c4可改變階梯波的級(jí)數(shù)。本
2008-07-25 13:34:04
優(yōu)化設(shè)計(jì) 在并聯(lián)配置晶體管時(shí)，另一個(gè)普遍關(guān)注的問題是PCB中寄生電感和電容（器件布局、PCB布線、多層PCB布局），以及所用器件中寄生電感和電容的影響。對(duì)于CoolGaN?晶體管，關(guān)鍵問題是由VGS
2021-01-19 16:48:15
理解為設(shè)置正反偏的電路）。而使晶體管工作在放大狀態(tài)的關(guān)鍵是其基極電壓，因此，基極電壓又稱為偏置電壓。又由于使晶體管工作在放大狀態(tài)的電壓設(shè)置是由其沒有信號(hào)時(shí)直流電源提供的。 因此，晶體管的直流偏置電壓可以
2016-01-04 11:17:51
個(gè)寄生的晶體管，當(dāng)IC大到一定程度，寄生晶體管導(dǎo)通，柵極失去控制作用。此時(shí)，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小。 （6）柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
晶體管工作在放大狀態(tài)的電壓設(shè)置是由其沒有信號(hào)時(shí)直流電源提供的。因此，晶體管的直流偏置電壓可以這么定義：晶體管未加信號(hào)時(shí)，其基極與發(fā)射極之間所加的直流電壓稱為晶體管的直流偏置電壓。
2019-05-23 08:51:55
請問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎？貌似VCC會(huì)對(duì)Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
時(shí)，RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
可折疊的防水晶體管是由哪些部分組成的？什么是生物傳感器（biosensor）？生物傳感器具有哪些功能？防水晶體管在生物傳感器中的應(yīng)用是什么？
2021-06-17 07:44:18
晶體管恒流偏置電路
通常，當(dāng)RL»R時(shí)，流過光敏電阻的電流基本不變，此時(shí)的偏置電路稱為恒流電路。然而，光敏
2009-06-02 00:14:04
4773 
晶體管偏置是將晶體管直流工作電壓或電流條件設(shè)置為正確電平的過程，以便晶體管可以正確放大任何交流輸入信號(hào)
2019-06-24 09:50:189344 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷海瑥亩?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43370 
晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
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