失效分析是指研究產品潛在的或顯在的失效機理,失效概率及失效的影響等,為確定產品的改進措施進行系統的調查研究工作,是可靠性設計的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:233510 節能燈功率管失效機理分析
---------------------------------------------------------------------
1引言
節能燈作為一種環保型的電源,在全世界得到了廣泛的
2009-07-29 12:20:19824 失效模式:各種失效的現象及其表現的形式。失效機理:是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗,這些損耗以熱的形式耗散,使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系數( Coefficient of Thermal Expansion,CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 失效分析(FA)是根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。
2023-09-06 10:28:051332 眾所周知,IGBT失效是IGBT應用中的難題。大功率IGBT作為系統中主電路部分的開關器件,失效后將直接導致系統癱瘓。宇宙射線作為一個無法預知的因素,可能就是導致IGBT發生意外故障的關鍵。
2023-12-27 09:39:34676 和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。 IGBT失效機理:IGBT由于上述原因發生短路,將產生很大的瞬態電流——在關斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在,將導致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
和結構函數分析進行模塊內部結構的缺陷辨識和失效機理分析,并利用仿真的方式對于不同邊界條件的動態熱傳導過程進行有限元仿真,更直觀地觀察到模塊的熱傳導的過程,同時驗證了實驗方法的準確性。 他們發現在溫度波動
2020-12-10 15:06:03
IGBT傳統防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
似)。在圖 1 所示的電路中,在市電電源 Us 的正半周期,將 Ug2.4 所示的高頻驅動信號加在下半橋兩只 IGBT 的柵極上,得到管壓降波形 UT2D。其工作過程分析如下:在 t1~t2 時刻,受
2019-12-27 08:30:00
IGBT的失效機理 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
完整性、品種、規格等方面)來劃分材料失效的類型。對機械產品可按照其相應規定功能來分類。 2.2 按材料損傷機理分類 根據機械失效過程中材料發生變化的物理、化學的本質機理不同和過程特征差異
2011-11-29 16:46:42
分析委托方發現失效元器件,會對失效樣品進行初步電測判斷,再次會使用良品替換確認故障。如有可能要與發現失效的人員進行交流,詳細了解原始數據,這是開展失效分析工作關鍵一步。確認其失效機理,失效機理是指失效
2020-08-07 15:34:07
`v失效:產品失去規定的功能。v失效分析:為確定和分析失效器件的失效模式,失效機理,失效原因和失效性質而對產品所做的分析和檢查。v失效模式:失效的表現形式。v失效機理:導致器件失效的物理,化學變化
2011-11-29 17:13:46
丟失、數據寫入出錯、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問題,嚴重影響了IC卡的廣泛應用。因此,有必要結合IC卡的制作工藝及使用環境對失效的IC卡進行分析,深入研究其失效模式及失效機理,探索引起失效
2018-11-05 15:57:30
`對于LED產品在可靠性的視角來看,光輸出功率以及電性能隨著時間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對產品可靠性的要求,研究失效機理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對負電極脫落開展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
分析對象的背景,確認失效現象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機理,最后提出后續預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數千個失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類: 1.封裝
2020-10-22 09:40:09
分析對象的背景,確認失效現象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機理,最后提出后續預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數千個失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類: 1.封裝
2020-10-22 15:06:06
MOSFET的失效機理至此,我們已經介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET,首先不能超過MOSFET規格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
`請問SMT焊點的主要失效機理有哪些?`
2019-12-24 14:51:21
參考資料:《 STM32F4xx 中文參考手冊》 RCC 章節。STM32時鐘可大致分為系統時鐘和其它時鐘兩大類,總共包含5個時鐘源 HSI(High Speed Internal Clock
2021-08-12 06:18:55
Simulink電路分析應用 1. “Connectors”模塊庫其中包括接地點和中間節點兩大類共10個模塊 Simulink電路分析應用 1. “Connectors”模塊庫其中包括接地點和中間
2009-08-20 18:40:15
WiFi模塊主要有網卡類和AP類兩大類。網卡類WiFi模塊通信接口、通信信道、綜合功能可以大體分成八大類;AP類的WiFi模塊可以分為嵌入式AP模塊(核心板方式,只引出接口pin腳)和AP主板(也就是不帶殼子和天線的成品).
2019-08-02 06:44:13
用的數量很大,并且是一種消耗功率的元件,由電阻器失效導致電子設備故障的比率比較高,據統計約占15%。電阻器的失效模式和原因與產品的結構、工藝特點、使用條件等有密切關系。電阻器失效可分為兩大類,即致命
2018-01-03 13:25:47
次的失效原因即是下一層次的失效現象。越是低層次的失效現象,就越是本質的失效原因。基本概念 1.1 失效和失效分析 產品喪失規定的功能稱為失效。 判斷失效的模式,查找失效原因和機理,提出預防再失效
2011-11-29 16:39:42
伺服電機分為交流伺服和直流伺服兩大類。交流伺服電機的基本構造與交流感應電動機(異步電機)相似。在定子上有兩個相空間位移90°電角度的勵磁繞組Wf和控制繞組WcoWf,接恒定交流電壓,利用施加到Wc上
2021-06-28 09:45:02
失效分析基本概念定義:對失效電子元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理,提出糾正措施,防止這種失效
2016-12-09 16:07:04
元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理,提出糾正措施,防止這種失效模式和失效機理的重復出現。3、失效
2016-10-26 16:26:27
單片機最小系統電路包括哪兩大類
2023-10-31 07:28:49
上一篇文章,我們只是粗略地介紹了一下吸波材料的類型和與吸波原理相關的知識。那么您可能會問:吸波材料為什么會吸收電磁波?在接下來的文章中,我們會向您較詳細地介紹吸波材料的兩大類吸波機制。今天我們向您
2019-07-01 08:12:47
封裝有兩大類;一類是通孔插入式封裝(through-hole package);另—類為表面安裝式封裝(surface mounted package)。每一類中又有多種形式。表l和表2是它們的圖例
2018-08-23 08:13:05
。標準的嵌入式系統架構有兩大體系,RISC處理器和CISC處理器體系。嵌入式主板分為比較常見的兩大類:1、基于X86的嵌入式主板,Intel的X86 處理器就屬于CISC體系,(一般使用INTEL、AMD、威盛、或其他產家的...
2021-12-16 06:41:20
兩大類,即致命失效和參數漂移失效。現場使用統計表明,電阻器失效的85%~90% 屬于致命失效,如斷路、機械損傷、接觸損壞、短路、絕緣、擊穿等,只有1 0 % 左右的是由阻值漂移導致失效。 電阻器電位器失效
2018-01-05 14:46:57
電子設備中使用的數量很大,并且是一種消耗功率的元件,由電阻器失效導致電子設備故障的比率比較高,據統計約占15% 。電阻器的失效模式和原因與產品的結構、工藝特點、使用條件等有密切關系。電阻器失效可分為兩大類
2018-01-02 14:40:37
本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究,得到較為完整的可靠性數據,并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿,從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應用等方面提供有價值的數據。
2021-04-14 06:37:09
作為現今大力發展的無線接入技術,大體上可分為移動式接入和無線方式的固定接入兩大類。
2019-09-12 09:02:02
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面:1、IGBT過壓失效,Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流,一定程度
2012-12-19 20:00:59
`以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應用,但廣泛的應用場景也意味著可能會出現各種各樣令人頭疼的失效情況,進而導致機械設備發生故障!因此,正確分析電力電子器件的失效情況,對于
2019-10-11 09:50:49
型、功能型失效模式和其他失效模式。在此針對系統中導致電機驅動系統失效,影響整車正常運行的元件或部件失效進行分析。(2)電機驅動系統失效機理分析針對電機控制器,選取以下幾種失效模式進行機理分析。①過壓
2016-04-05 16:04:05
/Intranet功能的網絡化電子設備的實質是在電子設備的基礎上實現網絡化和信息化,其核心是使電子設備本身實現TCP/IP網絡通信協議。? 總體上講,電子設備網絡化的方案可分為兩大類,一類是直接在電子設備上實現
2019-06-28 07:56:04
`電容器的常見失效模式和失效機理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路;致命失效――開路;致命失效――電參數變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
3.2 電容器失效機理分析3.2.1潮濕對電參數惡化的影響3.2.2銀離子遷移的后果3.2.3高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機理3.2.4高頻精密電容器的低電平失效機理3.2.5金屬化紙介電容失效機理
2011-12-03 21:29:22
誰來闡述一下電感式傳感器可分為哪兩大類?
2019-11-18 15:14:40
,必須對所發生的失效案例進行失效分析。 失效分析的基本程序 要獲得PCB失效或不良的準確原因或者機理,必須遵守基本的原則及分析流程,否則可能會漏掉寶貴的失效信息,造成分析不能繼續或可能得到錯誤
2018-09-20 10:59:15
過壓保護元件按其作用機理可分為兩大類:開關型元件和限壓型(箝位型)開關型元件主要是:陶瓷氣體放電管、半導體放電管、玻璃氣體放電管限壓型(箝位型)主要是:壓敏電阻、TVS二極管
2018-05-24 11:07:01
IGBT損耗計算和損耗模型研究:器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IG
2009-06-20 08:33:5396 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述元件構成的功率模塊檢測標準l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序l 
2024-01-29 22:40:29
的失效分析設備,專注功率器件失效根因分析,可為客戶提供完整的失效根因分析服務。服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述
2024-03-13 16:26:07
節能燈功率管的失效機理分析
節能燈作為一種環保型的電源,在全世界得到了廣泛的應用,國內節能燈的生產
2009-05-13 15:25:19677 從安全工作區探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 器件的損耗對系統設計堯器件參數及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 判斷失效的模式, 查找失效原因和機理, 提出預防再失效的對策的技術活動和管理活動稱為失效分析。
2012-03-15 14:21:36121 高壓IGBT關斷狀態失效的機理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 大功率白光LED的可靠性研究及失效機理分析
2017-02-07 21:04:011 電機驅動系統失效模式分類 根據失效原因、性質、機理、程度、產生的速度、發生的時間以及失效產生的后果,可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為:損壞型、退化型、松脫型、失調
2017-03-09 01:43:231760 元器件長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-19 08:37:3432 高清存儲大環境分析 對于高清存儲,主要是根據存儲規模和部署方式進行分類,一般分為兩大類: 以 NVR、HDVR 為代表的分布式存儲架構: 主要針對中小型的監控環境,如園區、酒店等,一般采用分布式部署
2017-10-29 10:53:084 電流Tsc 1、 引言 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(Safe Operating Area簡稱SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極發射極電壓
2017-12-03 19:17:492531 已有研究表明,鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據IGBT模塊內部鍵合線的結構布局與物理特性,分析鍵合線等效電阻與關斷暫態波形的關系
2018-01-02 11:18:145 對電子元器件的失效分析技術進行研究并加以總結。方法 通過對電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機理等故障現象進行分析。
2018-01-30 11:33:4110912 本文通過大量的歷史資料調研和失效信息收集等方法,針對不同環境應力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機理進行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:456951 薄膜電容是一種電子元件,在很多的家用電器中都有使用,應用范圍十分廣泛!薄膜電容器已經漸漸的取代了鋁電解電容器。薄膜電容器可以分為哪兩大類了,其作用又是什么,一起跟小編了解一下。 薄膜電容器是以金屬
2018-05-30 13:59:193346 本文主要對變壓器線圈常見的三種失效機理進行了介紹,另外還對電感和變壓器類失效機理與故障進行了分析。
2018-05-31 14:41:529637 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,最后用塑料殼封裝,IGBT單元
2018-10-18 18:28:03599 汽車傳感器裝備的目的不同,可以分為提升單車信息化水平的傳統微機電傳感器(MEMS)和為無人駕駛提供支持的智能傳感器兩大類。MEMS 在汽車各系統控制過程中進行信息的反饋,實現自動控制,是汽車的“神經元”。而智能傳感器則直接向外界收集信息,是無人駕駛車輛的“眼睛”。
2019-07-24 14:49:364932 或者全失效會在硬件電路調試上花費大把的時間,有時甚至炸機。 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。 電阻器失效 失效模式:各種失效的
2020-06-29 11:15:216642 隨著LED產品制造技術的逐漸成熟,成本越來越低,性價比越來越高。目前小功率LED產品在大屏幕戶外顯示等商用領域有很大的應用范圍,如何增加使用壽命,減少維護成本也是業界關注的要點所在。解決高成本問題的一個積極態度,就是要分析其失效機理,彌補技術缺陷,以提高LED產品的可靠性,提高LED的性價比。
2020-06-14 09:07:461111 IGBT的封裝失效機理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標準下,器件進行要求作用的工作能力,一般用使用期表明。因為半導體材料器件主要是用于完成電流量的轉換,會造成很大的輸出功率耗損,因而,電力
2020-12-09 16:34:121379 電子發燒友網為你提供IGBT失效防護機理及電路資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:50:2222 電子發燒友網為你提供鉭電容失效的兩大類原因資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-08 08:53:3559 ,我已經做好了思維導圖,點個分享再收藏,支持一下,也方便以后查閱。 分布式鎖三個屬性和兩大類 多線程編程通常使用 mutex 或信號量等方式進行同步;在同一個操作系統下的多進程也能通過共享內存等方式同步;但在分布式系統多進
2021-10-22 17:30:121712 或斷裂;致命失效 ――絕緣子破裂;致命失效 ――絕緣子表面飛弧;部分功能失效 引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結構、制造工藝、性能和使用環境各不相同,失效機理也各不一樣。 各種常見失效模式的主要產
2021-12-11 10:13:532688 失效模式:各種失效的現象及其表現的形式。
失效機理:是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 接上一篇討論了IGBT應用的環境,在什么條件下算是高濕?而高濕環境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內容我們接著討論,從用戶端的角度,如何預防IGBT模塊因為高濕失效?
2022-07-10 11:55:271964 通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結構和工作機理都是以IGBT芯片為基礎,一代IGBT芯片技術決定了一代IGBT模塊?IPM?DIPIPMTM等以IGBT為基礎的關聯器件的主要性能。
2022-07-21 11:45:34789 失效分析是根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析
2022-10-12 11:08:484175 MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:08829 、線路短路等,但最終的失效都可歸結為電擊穿和熱擊穿兩種,其中電擊穿失效的本質也是溫度過高的熱擊穿失效。目前對IGBT芯片失效的研究主要集中在對引起失效的各種外部因素,如過電壓、過電流、過溫等進行分析上,
2023-02-22 15:05:4319 實際應用中,IGBT常見的兩種失效機理:
突發失效:即自發的,不可預知的失效
漸變失效:可預測的失效,隨著時間推移慢慢產生,制造商起著決定性的作用
1、突發失效:應用工程師的主要任務是通過
2023-02-24 15:08:582 MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041120 隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大,以及工作環境嚴苛,使得IGBT模塊產生大量的熱量,由于模塊內的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25513 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 驅動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導致的輸出不穩定。這個問題導致的后果是,驅動狀態發生波動,系統最壞情況出現概率增加。
2023-06-16 10:34:23734 為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據或因不當順序引人新的人為的失效機理,封裝失效分析應按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315 本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當,以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數以及封裝環境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結,闡述了鍵合工藝不當及封裝不良,造成鍵合本質失效的機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932 肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關元件,在電子設備中得到了廣泛的應用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 電壓型逆變電路分類解讀 逆變電路可分為哪兩大類 電壓型逆變電路是一種將直流電轉化為交流電的電路,是現代電力電子技術中的重要應用之一。根據不同的控制方式和輸出波形,逆變電路可以分為幾種類型,下面我們
2023-10-16 15:52:161169 保護器件過電應力失效機理和失效現象淺析
2023-12-14 17:06:45267 壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724
評論
查看更多