車規(guī)級SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展

隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速

國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于完整,在材料、制造、設(shè)計等方面與國際領(lǐng)先水平的差距正在迅速縮小

編輯：黃飛

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新能源汽車(97584) 新能源汽車(97584)
SiC(61351) SiC(61351)
功率半導(dǎo)體(42383) 功率半導(dǎo)體(42383)
充電樁(81551) 充電樁(81551)
功率芯片(15221) 功率芯片(15221)

談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力

談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力

2023-08-25 08:16:13

1020

SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢

下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹

2023-11-01 14:46:19

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SIC MOSFET

有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。

2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等

2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET體二極管特性

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET

2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。　　因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。　　如果

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望

2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)合作開發(fā)，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產(chǎn)品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導(dǎo)通電阻（以往產(chǎn)品的1

2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET DC-DC電源

`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`

2018-11-09 11:21:45

SiC MOSFET SCT3030KL解決方案

與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET

2019-07-09 04:20:19

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術(shù)

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC SBD 晶圓級測試求助

SiC SBD 晶圓級測試求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝

2020-08-24 13:03:34

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果

2019-05-07 06:21:55

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

車規(guī)級MCU缺貨持續(xù)2年，上海航芯助力國產(chǎn)市場

℃~155℃的寬溫范圍，出錯率更是要求接近于0，在如此嚴(yán)苛的要求下，國內(nèi)MCU企業(yè)此前主攻門檻更低的消費類和工業(yè)級產(chǎn)品，車規(guī)級則因研發(fā)成本高、技術(shù)門檻高、國際巨頭優(yōu)勢凸顯等原因，鮮少涉及。不過受疫情

2023-02-03 12:00:10

車規(guī)級的器件選型

`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的，但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`

2015-10-15 14:22:18

車規(guī)二級管

車規(guī)二級管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對所有汽車電子設(shè)計有幫助，產(chǎn)品特點：1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級管： 0402/0603/0805/1206/2010

2018-02-09 15:22:44

車規(guī)電容標(biāo)準(zhǔn)知多少？

`汽車電子由于其涉及人身安全的特殊性，對元器件等質(zhì)素都提出了更高的要求，汽車中使用的包含電容在內(nèi)的元器件與手機(jī)、家電等一般消費電子有所不同，也就誕生了車規(guī)電容，顧名思義，為符合汽車生產(chǎn)規(guī)格的電容

2021-01-06 13:44:43

車用SiC元件討論

個月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業(yè)

2019-06-27 04:20:26

車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的最新進(jìn)展

`直播主題及亮點:在介紹中國車聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展歷史的基礎(chǔ)上，分析目前的車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品類型和技術(shù)路線，分析5G的技術(shù)特點、優(yōu)勢和未來市場發(fā)展趨勢，介紹北斗與GPS的區(qū)別和北斗衛(wèi)星的最新進(jìn)展和應(yīng)用。針對即將成為車

2018-09-21 14:01:58

GW2A系列FPGA(車規(guī)級)數(shù)據(jù)手冊

GW2A 系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)數(shù)據(jù)手冊主要包括高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)特性概述、產(chǎn)品資源信息、內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹、電氣特性、編程接口時序以及器件訂貨信息，幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級)特性，有助于器件選型及使用。

2022-09-29 07:47:16

LT9211D龍迅車規(guī)級顯示橋接,MIPI轉(zhuǎn)1/2PortLVDS

龍迅2023年Q4推出了車規(guī)級LT9211D_U2Q07CAN，通過AEC-Q100 二級測試合格。本篇技術(shù)資料為R1.1更新版本，PDF添加TS/TJ和ESD數(shù)據(jù)。LT9211D為目前大陸市場

2024-03-11 22:26:05

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國

2018-10-23 16:22:24

PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦

PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣

2021-05-24 09:43:54

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology

2023-03-29 15:06:13

i.MX RT1170車規(guī)級產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？

大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？

2023-03-15 08:24:23

【RK3588】工業(yè)級與車規(guī)級的主板現(xiàn)已全面上市

Firefly推出了專門為工業(yè)和汽車領(lǐng)域而打造的RK3588產(chǎn)品系列，除了之前已發(fā)布的核心板系列之外，目前同步推出了以下兩款主板產(chǎn)品：8K AI工業(yè)主板：AIO-3588JQ車規(guī)級AI主板

2022-10-28 16:39:48

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】2500W級LED電源

項目名稱：2500W級LED電源試用計劃：1.我司是業(yè)內(nèi)超大功率LED燈具和投影設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者，作為關(guān)鍵技術(shù)點之一的2500W級LED電源是我司一直邊研發(fā)邊生產(chǎn)邊應(yīng)用的項目。2. 作為下一代有希望代替硅基MOS的SiC-MOS一直是我司關(guān)注的重點，欣聞貴司有此有利行業(yè)發(fā)展的善舉，特別高興

2020-04-24 18:02:56

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要

2020-04-24 18:09:12

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試

SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊

2020-06-07 15:46:23

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于SIC-MOSFET評估板的開環(huán)控制同步BUCK轉(zhuǎn)換器

是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)

2020-06-10 11:04:53

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>

2020-04-24 18:08:05

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率

2023-06-16 06:04:07

為何使用 SiC MOSFET

。設(shè)計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時，也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.

2021-09-15 07:42:00

產(chǎn)品推薦 | Abracon 的車規(guī)級共模扼流圈

車規(guī)級共模扼流圈過濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號噪聲 Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線和信號線的應(yīng)用。此外，信號線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲

2023-09-12 14:48:02

什么是車規(guī)級芯片

`　　誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片？`

2019-10-18 10:55:55

什么是車規(guī)電容

`電容會分成很多種，電解電容、鉭電容等等，那什么是車規(guī)電容？`

2019-09-30 14:46:18

低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計。SiC能夠應(yīng)對高場應(yīng)力，因此很多設(shè)計都是為了應(yīng)對這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨特特性，SiC技術(shù)

2018-10-29 08:51:19

使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易

業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率

2022-07-27 11:00:52

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計一個高性能門極驅(qū)動電路

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。

2018-08-27 13:47:31

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-03-12 03:43:18

有知道國內(nèi)生產(chǎn)車規(guī)級器件的嗎？求大神

求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級器件。求推薦

2017-05-12 10:21:28

武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級MCU，CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

的研發(fā)、制造、銷售、技術(shù)服務(wù)等各個方面，確保產(chǎn)品高可靠度。 CW32A030C8T7車規(guī)MCU產(chǎn)品性能優(yōu)勢特性 1、高性能架構(gòu)設(shè)計 CW32A030C8T7是基于ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核

2023-11-30 15:47:01

求一種基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電應(yīng)用解決方案

基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢？

2021-08-06 06:19:11

求推薦幾款芯片，一種是PWM輸出信號芯片，一種是繼電器控制輸出芯片，都需要車規(guī)級

PWM輸出信號芯片類似于PCA9685這種，引腳越多越好，需要是車規(guī)級。繼電器控制輸出芯片類似于TLE6244X這種，也需要是車規(guī)級，急需，感謝大家

2021-05-25 15:31:03

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極

2018-12-05 10:04:41

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)

2019-09-17 09:05:05

碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅(qū)動碳化硅場效應(yīng)管？

應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因為它

2023-02-24 15:03:59

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點

：“通過比較發(fā)現(xiàn)，電動汽車整車半導(dǎo)體平均總成本是傳統(tǒng)汽車的兩倍，而電動汽車50%的總成本與功率器件有關(guān)。”　　他認(rèn)為，SiC在電動車制造中可以節(jié)約成本。在電動汽車驅(qū)動電機(jī)和逆變器中，采用SiC

2023-02-27 14:28:47

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗

2019-03-18 23:16:12

能推薦一些國內(nèi)車規(guī)級電子元器件原廠嗎？

誰能推薦一些國內(nèi)車規(guī)級的電子元器件廠商？主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復(fù)位IC、高低邊IC等等，其它的分立元器件也可以推薦，要國產(chǎn)的，謝謝！本人在國內(nèi)一線整車廠上班。

2019-12-04 11:38:53

設(shè)計中使用的電源IC：專為SiC-MOSFET優(yōu)化

本文將從設(shè)計角度首先對在設(shè)計中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設(shè)計中所使用的電源IC，是可將

2018-11-27 16:54:24

請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？

請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？

2021-06-18 07:56:37

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低

2018-12-04 10:11:50

重慶電感供應(yīng)/TS16949認(rèn)證對車規(guī)級電感廠家的重要性--谷景電子

汽車類電子的客戶首先選擇車規(guī)級電感廠家看的是什么呢？是規(guī)模嗎？是質(zhì)量嗎？是服務(wù)嗎？都不是，首先看車規(guī)級電感廠家有沒有TS16949認(rèn)證。為什么汽車類電子客戶首先要求車規(guī)級電感廠家擁有TS16949

2020-06-22 11:59:24

量產(chǎn)發(fā)布！國民技術(shù)首款車規(guī)級MCU N32A455上市

2023年2月20日，國民技術(shù)在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級高可靠性等優(yōu)勢特性的N32A455系列車規(guī)級MCU并宣布量產(chǎn)。這是繼N32S032車規(guī)級EAL5+安全芯片之后，國民技術(shù)發(fā)布

2023-02-20 17:44:27

驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

微電子所在SiC MOSFET器件研制方面的進(jìn)展

近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET

2017-11-08 15:14:36

三張圖了解微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展

近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。

2018-04-20 11:33:00

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劉奧將發(fā)表《車用SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講

在本次峰會上，中國電科五十五所高級工程師劉奧將發(fā)表《車用SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講。

2021-03-09 10:54:08

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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

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SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

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SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？

2022-12-28 09:51:20

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大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊

2023-01-03 14:40:29

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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。

2023-02-08 13:43:23

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低邊SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為

本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

2023-02-09 10:19:20

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低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...

2023-02-09 10:19:20

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SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

2023-02-12 15:29:03

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SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，

2023-02-16 09:40:10

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溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 11:48:18

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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方）由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中，為SiC MOSFET選擇合適的柵極

2023-02-27 14:42:04

SiC MOSFET的設(shè)計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

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SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 11:00:52

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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

2023-11-29 16:16:06

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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 17:10:21

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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 16:00:26

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怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？

可行的解決方案。首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境

2023-12-21 11:15:52

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SIC MOSFET在電路中的作用是什么？

SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。首先，讓我們簡要了解一下SIC

2023-12-21 11:27:13

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