橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。在橫向型MOSFET的晶胞結構中，電流的流動方向是與晶圓襯底的橫截面方向保持平行的，因此稱之為橫向型MOSFET。下圖中的紅線方向就是示意的在橫向型MOSFET中電流的流動方向。

Source，源極，綠色的區域。Drain，漏極，黃色的區域。Gate，柵極藍色的區域。三個都是在芯片的上表面，金屬的電極片，用于導電和加壓。

在三個極下面的很大的區域是襯底，這里的結構中的是P型襯底。

灰色區域是反型層和導電溝道的區域。當我們給柵極和源極施加一個正向電壓的時候，柵極于下面與襯底區域的接觸面，由原來的耗盡層逐漸發生變化，排斥空穴，吸引電子，參雜的電子聚集在該區域，形成了多子導電區域，也就是反型層，能夠導通電流。如下圖所示，加壓前與加壓后的變化。

加壓前

加壓后

當我們在漏極加一個電壓源和負載的時候，就會有電流從漏極，穿過N+區域，然后再經過反型層的溝道，再經過源極形成回路。整個MOSFET就處于導通狀態。如下圖所示。

垂直型MOSFET，又稱為垂直導電型MOSFET，其結構如下圖所示。對比橫向型的定義和結構可以看到，垂直型的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底橫截面方向相互垂直。對應圖中的電流（紅線）是從底面的漏極垂直向上，依次經過了漏極、襯底、N Drift、導電溝道、N+區域到達源極。

Source：源極，上表面第一層綠色區域。Gate，柵極，藍色的區域。Drain，漏極，最下層灰色區域，晶圓襯底背面。

溝道區域，是和源極和柵極相關，兩者通過 P base區域連接在一起。通過在源極和柵極之間施加電壓，就能夠形成溝道區域，溝道區域在柵極下方一個比較窄的區域，如下圖所示。圖中的黃色區域就是加壓后形成的反型層，導通電流。

在漏極和源極之間施加電壓的時候，整個電場會施加落在N Drift區域（N型的漂移區）。可以通過調整N Drift區域的摻雜濃度和厚度來實現。摻雜濃度提高，厚度就可以做薄一點，就可以承受較高的電壓；摻雜濃度降低，就需要把漂移區域的厚度做厚一點才能承受較高電壓。（所以為什么會聽到有的硅片材料用的是輕摻還是重摻的說法）。如果用SiC材料來做漂移區就會有更好的優勢，SiC的臨界擊穿電場的強度Ec，是硅的10倍左右。簡單做個比較，同樣的電壓等級，用SiC材料來做可能只需要硅材料的1/10厚就能夠實現，器件晶胞尺寸大大減小。同時，因為厚度非常薄，電阻量就可以做到非常低（電流流過的路徑降低，電阻降低）。所以SiC的MOSFET在電壓上面比硅材料有天然的優勢。

另外整個垂直結構中N Drift區域中可以全是導通電流，電流的密度非常高，可以不用做的太小，充分利用到面積的優勢，提高電流、電壓等級，如下圖所示。