驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 09:19:28
4847 
SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
2019-05-04 23:15:4813824 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 東芝的人體傳感器“SilmeeTM”系列可通過佩戴者的日常生活采集并分析各種各樣的生活日志數(shù)據(jù)，在促進健康、提高安全性、預(yù)防疾病等方面擁有廣闊的應(yīng)用前景。
2015-10-10 10:12:141270 市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此同時，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533169 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 。 ? 近年來，全球電信運營商不斷擴大通訊領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，也為GaN和SiC功率半導(dǎo)體提供了廣闊的應(yīng)用場景，比
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
(51, 51, 51) !important]隔離式柵極驅(qū)動器的要求已經(jīng)開始變化，不同于以前的。對于SiC和GaN，寬柵極電壓擺幅、快速上升/下降時間和超低傳播延遲。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器
2019-07-16 23:57:01
各位您好！誰擁有用51單片機制作電流和電壓表的成功案例？
2012-11-02 08:47:07
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
在消費類應(yīng)用領(lǐng)域，由于快速充電器的快速增長，GaN 技術(shù)在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應(yīng)用場景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅(qū)動程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準
2021-08-04 11:50:58
應(yīng)用領(lǐng)域加速采用并推廣擁有合適的封裝方式、高性能以及高可靠性的GaN技術(shù)，從而為它提供更廣闊的市場發(fā)展空間。
2018-09-11 14:04:25
針對電源應(yīng)用領(lǐng)域加速采用并推廣擁有合適的封裝方式、高性能以及高可靠性的GaN技術(shù)，從而為它提供更廣闊的市場發(fā)展空間。
2018-09-10 15:02:53
【MiCO普及貼】米客 : 我們的征途，是星辰大海！一.MiCO是什么? 對于我們的嵌入式開發(fā)者來說，大家對物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)的熱情已經(jīng)到了一定的渴望，我們在這里用最通俗的語言來講述一下 MiCO 到底做了
2015-07-27 18:11:41
潤和軟件OpenHarmony業(yè)務(wù)速覽：攜手生態(tài)伙伴和行業(yè)客戶，共赴OpenHarmony的星辰大海！
2022-04-24 09:42:53
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
硅代工廠生產(chǎn)，擁有相應(yīng)的規(guī)模經(jīng)濟優(yōu)勢。但GaN on SiC支持高得多的功率密度，支持更高的功率輸出。這是因為SiC具有更優(yōu)秀的導(dǎo)熱率：大約比Si高三倍。GaN on SiC功率密度約為5W/mm，約
2018-12-05 15:18:26
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
時間會給我答案！ O(∩_∩)O~----------------------------- 人生看到的不應(yīng)該只是眼前的卑微和茍且，還應(yīng)有美麗的星辰和大海！
2015-04-03 21:01:14
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
，從而達到讓受眾群自主自愿的去觀賞廣告而不是被強迫觀賞的效果。另外，由于其擁有半透明的面板，斯博銳意自主研發(fā)生產(chǎn)透明顯示屏產(chǎn)品還給顯示產(chǎn)品帶來了更廣泛的應(yīng)用，特別是一些櫥窗展示、奢侈品專賣店、一些高端
2014-04-15 13:12:44
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅(qū)動逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513 “功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預(yù)計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
與SiC/GaN開關(guān)的驅(qū)動相關(guān)的一個關(guān)鍵方面是它們需要其在高壓和高頻條件下工作。在這些條件下，根本不允許使用容性或感性寄生元件。設(shè)計必須精雕細琢，在設(shè)計電路板路由、定義布局時務(wù)必特別小心。
2018-10-11 10:26:173807 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
2019-07-25 06:05:001892 新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:002723 預(yù)計2030年（與2018年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。
2019-06-28 16:03:582825 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3111724 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
，最優(yōu)質(zhì)的單晶GaN是通過幾種需要昂貴的一次性碳化硅（SiC）襯底的外延工藝生長而成的，這限制了其在包括消費電子產(chǎn)品在內(nèi)的更廣泛市場中的商業(yè)化。IBM TJ Watson研究中心科學(xué)家最近的一項發(fā)現(xiàn)可能會在稱為直接范德華外延的單晶GaN薄膜生長過程中改變所有這些
2021-04-04 06:17:001404 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223 在大象轉(zhuǎn)身成功后，廣汽埃安又構(gòu)筑起了星辰大海。 這屆廣州車展，又多了一個我們陌生而又熟悉的新能源品牌廣汽埃安。 11月20日，在第十八屆廣州車展上，廣汽集團總經(jīng)理馮興亞宣布廣汽埃安品牌將正式獨立運營
2020-11-24 10:03:021406 ? 地球上最富裕的兩個人，都在把更多精力聚焦在星辰大海。 馬斯克是這樣。現(xiàn)在，57歲的貝佐斯也是這樣。 為了“擠”出更多時間，杰夫·貝佐斯，亞馬遜創(chuàng)始人、CEO，公開宣布： 不再繼續(xù)擔(dān)任亞馬遜CEO
2021-02-19 10:07:061352 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0010175 
操作系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)峰會2021上，以逐夢數(shù)字時代星辰大海為主題進行展開討論。
2021-11-09 11:03:151584 
openEuler Summit開發(fā)者峰會：開放原子開源基金會理事長楊濤發(fā)言稱，openEuler逐夢數(shù)字時代星辰大海，服務(wù)數(shù)字化全場景。
2021-11-10 09:33:341899 
歐拉（openEuler）Summit2021上，第一個主題演講是凝聚創(chuàng)新力量，逐夢數(shù)字時代的星辰大海。
2021-11-10 09:42:251063 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級結(jié)MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:193412 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211644 
半導(dǎo)體應(yīng)用中替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。新世紀之初，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已經(jīng)足夠成熟，并獲得足夠的牽引力，將其他潛在的替代品拋在身后，并得到全球工業(yè)制造商的充分關(guān)注。
2022-07-27 15:52:59735 我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計的前沿。
2022-07-27 15:44:03490 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 
由氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾恚@使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:57996 
該 氮化鎵產(chǎn)業(yè) 的目的是證明氮化鎵的解決方案至少有相同的預(yù)期壽命為硅MOSFET，理想，美好的生活。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會正在努力為 GaN 和 SiC 器件定義一系列測試、條件
2022-08-05 08:05:03898 
GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產(chǎn)和供應(yīng)需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用性。這是因為隨著氮化鎵 (GaN) 和碳化硅
2022-08-08 15:19:37658 
C型USB 1.2版——USB具有更廣闊的市場
2022-11-02 08:16:180 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 云計算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗，但它們成為標(biāo)準技術(shù)還需要一些時間。
2023-01-11 14:23:18348 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:15677 GaN與SiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響，市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業(yè)取得了快速發(fā)展。
2023-02-24 14:25:42941 人類的生命是難過百年的一段橫向延續(xù)，宇宙卻無垠而浩瀚。智者曾言：“不要溫順地走進良夜。”人們站在科學(xué)巨人之肩，妄圖超脫物種的限制，以航天之力將有限的生命軌跡與無限宇宙接軌，終點是駛向星辰大海。
2023-03-29 10:01:121289 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備，其中許多每天運行數(shù)小時，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212338 
星辰大海地球的表面存在著海洋和陸地，其總面積約為3.6億平方公里，地球表面約百分之七十一的面積被海洋所覆蓋，海洋從古至今對于人類來說都是神秘之地。目前，沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)的研究人員開發(fā)
2022-02-09 11:23:49356 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：
2023-10-09 14:24:361332 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 設(shè)計人員正在尋求先進技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:001163 
近日，國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布，并在行家極光獎頒獎典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”。
2023-12-19 10:27:38378
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