科銳首席執行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽度,是我們長期且優質的商業伙伴。這項協議的簽署,體現了科銳SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充,同時將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用,這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要。”
2018-04-04 09:00:597450 本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。 它與硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新換代,SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段,有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術的進步,未來還將面臨挑戰,例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場前景隨著信息科技的飛速發展,我國對半導體需求越來越多,我國已經成為全球最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的比重
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板;在引擎室中,由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求,現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間,能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件導通損耗對溫度的依存度很小,隨溫度的變化也很小,這與傳統的Si器件也有很大差別。4) 開關速度快SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍,飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導體,其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計,功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件? 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時,碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
(Kelvin source)封裝的碳化硅MOSFET,特別在大電流應用中。例如,在3.3kW連續導通模式(CCM)圖騰PFC中,關斷電流可以達到25A至30A。CoolSiC IMZA65R048M1H 的開通
2023-03-14 14:05:02
13)。給出了實際測試滿載20KW(550V/35A輸出)工作下主要器件(MOSFET,二極管,變壓器和電感)溫度,測試環境問題為30度,測試采用風冷散熱,變換器沒有外殼處于開放式工作狀態。實測碳化硅
2016-08-05 14:32:43
》 Gen3 02 電源效率對比 碳化硅肖特基二極管應用在1500W電源的PFC電路中(位置如下圖)。 測試條件: 輸入電壓 100V、220V 輸出電壓 48V 輸出電流30A 圖(3
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數,減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫,所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視,三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案,搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強,穩定的超快速本體二極管,因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
通時間。對于 ≥150kW 牽引逆變器應用,隔離式柵極驅動器應具有 >10 A 的驅動強度,以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過米勒平臺,并利用更高的開關頻率。碳化硅場效應晶體管具有
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 2017年6月30日,德國慕尼黑和紐倫堡訊—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。
2017-07-03 10:13:261770 金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 具體來說,在新能源發電系統中,采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中,英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度,從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:019155 2018年5月16日,“2018英飛凌碳化硅發展論壇”在深圳順利落幕。
2018-05-28 14:22:174503 據外媒報道,在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上,英飛凌(Infineon)推出了首款車用碳化硅產品,肖特基(Schottky)二極管,并為其新創了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:504540 碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內企業有哪些?國內碳化硅產業鏈企業盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創企業Siltectra,獲得后者創新技術ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00138137 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產,并打入多個應用市場。日前,在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上,該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216460 英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協議,合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48992 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業,率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 來源:中國電子報 日前,國際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成,未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25872 前言:碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節,襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體,碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢,隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后,更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 當地時間12日,英飛凌宣布,正在擴大與碳化硅(SiC)供應商合作,已與Resonac簽署一份新采購合作長單,補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54230 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值,繼續升高溫度,導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息: 【英飛凌公司正推動其碳化硅(SiC)供應商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 如果要說當前半導體行業最熱的話題是什么,無疑是第三代半導體,而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究,在長達30年的時間里,英飛凌不斷地進行技術打磨
2023-05-19 10:27:03592 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展,一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 11月14日,英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能,榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎,再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力
2023-12-21 08:14:09305 碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明,延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31302 。 ? 5月3日在天岳先進上海工廠產品交付儀式舉辦當天,英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議,天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米(6英寸)碳化硅晶圓和晶錠,其
2023-05-06 01:20:002328
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