MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語集

之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書，一般規(guī)格書（技術(shù)規(guī)格書）中都會記載電氣規(guī)格（spec），其中包括參數(shù)名稱和保證值等。對于MOSFET來說也有很多參數(shù)，在此前的文章中已經(jīng)提到了一些參數(shù)，在這里進(jìn)行了匯總，作為一覽表列出。

需要注意的是，參數(shù)名稱、術(shù)語以及符號可能因制造商不同而略有不同。另外，關(guān)于與條件設(shè)置相關(guān)的定義也存在一些差異。這些情況需要通過確認(rèn)規(guī)格書中給出的測量條件等來理解具體的內(nèi)容。

●絕對最大額定值

參數(shù)術(shù)語	符號	定義與說明
漏極-源極間電壓	V_DSS	在柵極－源極間短路的狀態(tài)下，能夠施加給漏極－源極間的最大電壓值。
漏極電流（直流）	I_D	在指定條件下，可以在漏極-源極間形成的通道中連續(xù)流過的最大直流電流值。
漏極電流（脈沖）	I_DP	在安全工作區(qū)所指定的脈沖寬度和占空比條件下，可以在漏極-源極間形成的通道中流過的最大脈沖電流值。
柵極-源極間電壓	V_GS	能夠施加給柵極－源極間的最大電壓值。
雪崩電流（單次觸發(fā)）	I_AS	雪崩擊穿時容許的最大漏極電流值。
雪崩能量（單次觸發(fā)）	E_AS	雪崩擊穿時容許的最大能量值。
容許損耗	P_D	在指定條件下，MOSFET容許的最大功率損耗值。
結(jié)溫	T_j	元件工作時能夠容許的最大結(jié)溫值。
保存溫度	T_stg	在元件無電氣負(fù)載的條件下保存或運(yùn)輸所允許的溫度范圍。

●熱阻

參數(shù)術(shù)語	符號	定義與說明
熱阻（結(jié)點(diǎn)-外殼間）	R_thJC	從元件的結(jié)點(diǎn)到外殼背面之間的熱阻值。
熱阻（結(jié)點(diǎn)-空氣間）	R_thJA	從元件的結(jié)點(diǎn)到周圍環(huán)境之間的熱阻值。
安裝溫度（波峰焊）	T_sold	安裝MOSFET時的最高焊料熔化溫度值。

●電氣特性

參數(shù)術(shù)語	符號	定義與說明
漏極-源極擊穿電壓	V_(BR)DSS	在柵極-源極間短路的狀態(tài)下，寄生二極管引起擊穿、電流開始在漏極-源極間流動的電壓。
漏極-源極擊穿電壓溫度系數(shù)	⊿V_(BR)DSS/⊿T_j	漏極-源極間擊穿電壓的溫度系數(shù)。
漏極關(guān)斷電流	I_DSS	在指定條件下，在柵極-源極間短路的狀態(tài)下，漏極－源極間流過的泄漏電流。
柵極漏電流	I_GSS	在指定條件下，在漏極-源極間短路的狀態(tài)下，柵極－源極間流過的泄漏電流。
柵極閾值電壓	V_GS(th)	漏極電流開始在MOSFET中流動的柵極－源極間電壓。
柵極閾值電壓溫度系數(shù)	⊿V_GS(th)/⊿T_j	閾值電壓的溫度系數(shù)。
漏極-源極間導(dǎo)通電阻	R_DS(on)	在MOSFET導(dǎo)通期間漏極－源極間的電阻值。
柵極電阻	R_G	MOSFET的內(nèi)部柵極電阻值。
正向傳輸導(dǎo)納	\|Y_fs\|	柵極－源極間電壓變化1V時的漏極電流變化率。
輸入電容	C_iss	在使漏極－源極間交流短路的狀態(tài)下，在柵極-源極間測得的寄生電容值。
輸出電容	C_oss	在使柵極－源極間交流短路的狀態(tài)下，在漏極-源極間測得的寄生電容值。
反饋電容	C_rss	將源極引腳接地，在漏極－柵極間測得的寄生電容值。
有效電容（能量換算）	C_o(er)	漏極-源極間電壓V_DS從0V上升到漏極-源極間電壓絕對最大額定值V_DSS的80%期間積蓄的能量與C_oss等效的固定電容值。
有效電容（時間換算）	C_o(tr)	漏極-源極間電壓V_DS從0V上升到漏極-源極間電壓絕對最大額定值V_DSS的80%期間的充電時間與C_oss等效的固定電容值。
導(dǎo)通延遲時間	t_d(on)	柵極－源極間電壓上升到設(shè)置電壓的10%后，到漏極－源極間電壓下降到設(shè)置電壓的90%之間的時間。
上升時間	t_r	漏極－源極間電壓從設(shè)置電壓的90%下降到10%所需要的時間。
關(guān)斷延遲時間	t_d(off)	柵極－源極間電壓下降到設(shè)置電壓的90%后，到漏極－源極間電壓上升到設(shè)置電壓的10%之間的時間。
下降時間	t_f	漏極－源極間電壓從設(shè)置電壓的10%上升到90%所需要的時間。

●柵極電荷量特性

參數(shù)術(shù)語	符號	定義與說明
柵極總電荷量	Q_g	使MOSFET的柵極電壓從0V上升到指定電壓所需要的柵極電荷量。
柵極-源極間電荷量	Q_gs	使MOSFET的柵極電壓從0V上升到柵極穩(wěn)定電壓所需要的柵極-源極間電容中積蓄的電荷量。
柵極-漏極間電荷量	Q_gd	MOSFET的漏極-源極間電壓V_DS從電源電壓下降至導(dǎo)通電壓所需要的柵極-漏極間電容中積蓄的電荷量。
柵極穩(wěn)定電壓	V_(plateau)	開關(guān)時，米勒電容開始充放電的柵極電壓值。

●內(nèi)部二極管特性

參數(shù)術(shù)語	符號	定義與說明
源極電流（直流）	I_s	在指定條件下，可以在內(nèi)部二極管中連續(xù)流過的最大直流電流值。
源極電流（脈沖）	I_sp	可以在內(nèi)部二極管中流過的最大脈沖電流值。
正向電壓	V_SD	正向電流流過內(nèi)部二極管時的電壓降。
反向恢復(fù)時間	t_rr	在指定的測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的時間。
反向恢復(fù)電荷量	Q_rr	在指定的測量條件下，內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電流消失所需要的電荷量。
反向恢復(fù)峰值電流	I_rrm	在指定的測量條件下，內(nèi)部二極管反向恢復(fù)工作時的峰值電流值。

　　審核編輯：湯梓紅

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2021-06-20 09:16:42

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2022-12-19 10:24:35

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