防止兩個MOSFET管直通，通常串接一個0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特點是結構簡單。 功率MOSFET 屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
，幾乎沒有開關特性的溫度依存性。圖3: 開關溫度特性關于MOSFET的VGS(th)(界限値)關于MOSFET的VGS(th)MOSFET開啟時，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱為VGS(th
2019-04-10 06:20:15
布局和互連線帶來)等寄生效應的半橋電路。共源電感(CSI)傾向于降低控制FET(高邊FET)的導通和關斷速度。如果與柵極驅動串聯，通過CSI的電壓加至柵極驅動上，可使FET處于導通狀態(條件：V
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
電路設計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設計上有問題，希望大家幫忙，目前源極沒有接負載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
）可能會嚴重影響全局開關損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當電源開關關閉時，驅動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現感應導通的現象。圖3
2019-07-09 04:20:19
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構成中，SiC-MOSFET切換（開關）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
免 MOSFET 的誤工作，但這種寄生電感的影響是三種主要寄生電感中最小的。整個器件的過沖電壓通常由功率回路電感（有時也稱為開關回路電感）造成，而這會產生高開關損耗。共源極電感會在開關瞬變過程中產生對柵極驅動
2022-03-24 18:03:24
）開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。（3）關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。（4）驅動電路
2017-01-09 18:00:06
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？一是為場效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
結構 引言 功率MOSFET以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉換過程中，柵極驅動信號
2018-08-27 16:00:08
通。我們可以通過以下方法來避免柵極電壓被誤抬升。 第一我們可以減少由米勒電容產生的對柵極電容充電的電流，由于米勒電容無法減少，所以要減少的就是漏極的電壓變化率。 它在半橋中的作用就是拉長高邊Mos管
2023-03-15 16:55:58
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ，漏極一個低電壓，漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的？在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態中，作為開關電路是怎么計算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
的生產成本也更低，因此價格更低，性能高于 p 溝道 MOSFET。在P溝道MOSFET中，源極連接到正電壓，當柵極上的電壓低于某個閾值（Vgs 0）時，FET導通。這意味著，如果您想使用 P 溝道
2023-02-02 16:26:45
溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電（PoE）輸入整流器中，低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道
2018-03-03 13:58:23
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
應用角度來看，驅動回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個電壓型控制的開關器件，其開通關斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來決定。 從圖1模型來看，有幾個參數是我們需要
2023-02-27 16:14:19
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
導電溝道越大，則導通電阻越小；但是柵極驅動電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關管的速度，減少開關管的關斷時間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
驅動器以差分方式驅動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅動半橋的各個柵極。在這種應用中，脈沖變壓器具有顯著優勢，不需要用隔離式電源來驅動副邊MOSFET。圖3. 脈沖變壓器半橋柵極驅動器然而，當感應線圈中流
2018-07-03 16:33:25
整流的輸出。針對MOSFET M1的VGS顯示的是LM74670-Q1對于流經MOSFET的正向傳導的控制方式，以及如何通過關斷柵極來阻斷反向電壓。圖4：LM74670-Q1智能橋式經整流輸出圖5比較了
2018-09-03 15:32:01
的方向為：上負下正。 圖2：電感的感應電動勢 源極的封裝電感LS同時在主功率回路和柵極的驅動回路中，上、下管由于漏極的電流方向不同，那么，LS對于開關特性的影響也不同，下面分別進行分析。 1、上
2020-12-08 15:35:56
測器件，而上管開關用作dv/dt發生器。當上管器件導通時，下管器件的漏源極電壓不斷上升，dvDS/dt導致產生柵極電壓上升；并且，柵極關斷電阻越小，發生寄生導通的概率越低。本試驗旨在為給定的測試用例
2023-02-27 13:53:56
TG傳輸門電路中。當C端接+5，C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起，為什么當輸入信號改變時，其導通程度怎么還會改變？導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊！而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變？為什么?求詳細解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
在通孔板上建立電路數小時后，我發現使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經過搜索，我發現我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當
2018-08-23 10:30:01
逆變器中驅動 SiC，尤其是在功率級別&amp;gt;100kW和使用800V電壓母線的情況下，系統需要一款具有可靠隔離技術、高驅動能力以及故障監控和保護功能的隔離式柵極驅動器。牽引
2022-11-03 07:38:51
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
在功率MOSFET的數據表的開關特性中，列出了柵極電荷的參數，包括以下幾個參數，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，導致Cp上的電壓降低。反激開關MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉折點的分析。 很多工程師在電源開發調試過程中，測的的波形的一些關鍵點不是很清楚，下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
通時由電容驅動的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關。 硅MOSFET設計中在此類問題一般可以通過柵極驅動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
用的MOSFET必須具有一個小于等于3V的柵源電壓 (VGS) 閥值，以及低柵極電容。另外一個重要的電氣參數是MOSFET體二極管上的電壓，這個值必須在低輸出電流時為0.48V左右。德州儀器 (TI) 60V
2018-05-30 10:01:53
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅動和電流源驅動的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出，在較慢的開關速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關斷狀態下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅動器，可輕松用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
通過負載電流感應。該電流將通過柵極驅動器下拉阻抗和柵源環路電感轉換為非零柵極電壓。如果該電壓高于閾值電壓，半橋的高端和低側開關之間將產生交叉電流。低柵極環路電感僅在功率級和柵極驅動器的單芯片協積分中
2023-02-24 15:09:34
！它在高側柵極驅動器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側柵極驅動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
所需的高電流。在此，柵極驅動器以差分方式驅動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅動半橋的各個柵極。在這種應用中，脈沖變壓器具有顯著優勢，不需要用隔離式電源來驅動副邊MOSFET。圖3. 脈沖變壓器半橋柵極
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅動器以差分方式驅動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅動半橋的各個柵極。在這種應用中，脈沖變壓器具有顯著優勢，不需要用隔離式電源來驅動副邊MOSFET. 圖3.
2018-09-26 09:57:10
瞬態操作。圖1所示為硬開關關斷瞬態下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉換器中的MOSFET的典型關斷瞬態波形 當驅動器發出關斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
童詩白 模擬電子技術基礎 第四版 41頁 有一段話這樣說的：若U[sub]DS[/sub]>0V，則有電流i從漏極流向源極，從而使溝道中各點與柵極間的電壓不再相等，而是沿溝道從源極到漏極逐漸
2012-02-22 11:22:26
1、結構 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現在1978年左右上市，主要供應商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
是Qgd，它描述了柵極漏極開關和開關關斷時間關斷所需的電荷。這兩個參數指示關斷能力和損耗，從而指示最大工作頻率和效率。關斷時間toff通常不顯示在晶體管數據手冊中，但可以根據參考書［1］在給定的開關電壓
2023-02-27 09:37:29
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞
2019-03-13 06:00:00
大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞,或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作弓起振蕩破壞
2018-11-21 13:52:55
的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面： 1)防止柵極di／dt過高：由于采用驅動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動功率管會引起驅動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩
2018-12-10 14:59:16
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間并接阻尼電阻或并接穩壓值約20V的穩壓管。特別要注意防止柵極開路工作。其次是漏極間的過電壓防護。如果電路中有電感性負載，則當器件關斷
2020-03-20 17:12:51
到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2） 開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。（3） 關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET
2020-03-13 09:55:37
MOSFET中的開關損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環境溫度 150 °C 和最佳柵極-發射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
本帖最后由 sirtan養樂多 于 2019-7-4 10:45 編輯
這個電路只用于電機通斷控制，開關頻率間隔在五秒以上，不用來調速。用開關進行柵極電壓控制就沒有問題，把開關換成如圖所示
2019-07-04 09:26:17
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
電壓，由于超出柵極—源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極—源極間電壓時的振動電壓通過柵極—漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。第五種：柵極電涌、靜電
2021-11-10 07:00:00
兩層電源板，板子設計中有4個MOSFET管串聯，由于只有兩層，四個MOSFET管的3個源級要過大電流，所以用銅連接在一起；四個MOSFET管柵極串聯的線走在器件源級和漏極之間（請看圖片），不知道這樣的柵極走線會不會受影響？
2018-07-24 16:19:28
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
數據嗎？這里有雙脈沖測試的比較數據。這是為了將以往產品和具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET的開關工作進行比較，而在Figure 5所示的電路條件下使Low Side（LS）的MOSFET開關的雙
2020-07-01 13:52:06
防止兩個MOSFET管直通，通常串接一個0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特 點是結構簡單。 功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經
2022-11-16 08:00:15
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調。下面同時列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數據嗎？這里有雙脈沖測試的比較數據。這是為了將以往產品和具有驅動器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
所示的電路圖進行了雙脈沖測試，在測試中，使低邊（LS）的MOSFET執行開關動作。高邊（HS）MOSFET則通過RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅動器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
這些電路的效率。減少體二極管導通使這種技術的優點最大化。讓我們考慮一個同步降壓轉換器。當高側FET關斷并且電感器中仍然存在電流時，低側FET的體二極管變為正向偏置。小死區時間對避免直通很有必要。在此之后
2019-03-08 06:45:10
和開爾文結構封裝的串擾問題分別進行分析，柵漏極結電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關斷狀態開關管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串擾問題的驅動電路，該驅動電路具有柵極關斷阻抗低、結構簡單、易于控制的特點。分析該驅動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:22
3 中，我們將對相應的對策進行探討。關于柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:00
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SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。
2023-02-28 11:35:52205 
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
布局注意事項。 橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
2023-12-05 14:46:22153 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:38185 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571
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