2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司在蘇州汾湖高新區舉辦量產暨研發樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領先的硅基氮化鎵IDM企業，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發與生產
2021-06-08 07:31:00
5856 5.0-5.5寸智能手機面板上很好的經濟效率，目前的5條生產線均已實現量產，技術上全部為AMOLED或者AMOLED/LTPS混合技術，其中京東方在鄂爾多斯的5.5代線設計產能為9萬片/月，2014年三季度
2016-01-30 11:30:52
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
成熟。2023年2月，我國首顆6英寸氧化鎵單晶被成功制備，中國電科46所成功構建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結構，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，達到國際最高
2023-03-15 11:09:59
，他希望通過此次合作，能夠實現強強聯手，達到互利共贏的目的。而這次簽約的另一位主角——世強，成立23年來，代理了全球三十幾家著名元器件和半導體企業的相關產品，服務了數千家中國企業，是中國最大的工業
2016-11-10 15:05:09
4月13日， 全球首款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式開啟預售 。PineTab-V由全球領先的開源硬件廠商Pine64設計推出，搭載賽昉科技昉·驚鴻7110 SoC（以下簡稱
2023-04-14 13:56:10
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充電器6、AUKEY傲基27W氮化鎵充電器7、AUKEY傲基61W氮化鎵充電器8、AUKEY傲基65W氮化鎵充電器9、AUKEY傲基100W氮化鎵充電器10、amc 65W氮化鎵充電器11、Aohai奧海
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵充電器從最開始量產至今，已過去了四年多，售價也從原本數百元天價到逐漸走向親民，近日發現，聯想悄然地發動氮化鎵快充價格戰，65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元，一瓦已經不足一元
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業發展已為硅基氮化鎵在商業化規模量產、庫存維護、適應需求激增等方面打下了堅實的基礎，緩解了供應短缺的擔憂。只要碳化硅基氮化鎵繼續依賴耗時、高成本的制造工藝，這種擔擾就將
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀四大發明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
、成本結構、制造能力和供應鏈靈活性的要求，在固態射頻能量應用領域擁有無限潛力。硅基氮化鎵提供的射頻解決方案具有LDMOS和碳化硅基氮化鎵競爭技術無法匹敵的價格/性能指標，而這僅僅是冰山一角。
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應用。意法半導體和MACOM為提高意法半導體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導體預計2018年開始量產樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
硬件和軟件套件有助加快并簡化固態射頻系統開發經優化后可供烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火系統的商業制造商使用系統設計人員能夠以LDMOS的價格充分利用硅基氮化鎵性能的優勢在IMS現場
2017-08-03 10:11:14
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業基站成為主流應用的前景。相比之下，一個8英寸硅晶圓廠幾周的產能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個射頻和微波行業一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
今年1月，9.7英寸平板“崩潰”，銷量降至130萬臺，之前一個月為740萬臺。同時，7英寸和7.9英寸面板出貨（7.9英寸主要為iPad mini）1月為1400萬塊，之前一月為1200萬塊。NPD
2013-03-01 15:03:26
，LTPS良率和巨額投資依然存在挑戰。4、更貴的7.9英寸平板：到目前為止，7.9英寸平板不貴，但這點會改變。由于分辨率、功能、產品設計升級，7.9英寸平板會更貴。windows8官方下載http://www.電子發燒友.com
2013-03-11 11:50:11
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
格科微(Galaxycore)電子(上海)有限公司推出1/4英寸VGA圖像傳感器，具有尺寸小，功耗低，圖像品質好，成本比較低等特點，能夠廣泛用于手機、PDA、電腦攝像頭、玩具等消費類電子領域
2018-12-03 10:22:41
以上IGBT產品的企業。（2）2013年9月，中車西安永電成功封裝國內首件自主設計生產的50A/3300V IGBT芯片；（3）2014年6月，中車株洲時代推出全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業
2021-03-22 19:45:34
`2016年我國半導體制造線4英寸以上共有148條，其中139條量產，9條中試線；其中12英寸有11條；8英寸有22條，包括2條中試線6英寸有49條，包括7條中試線5英寸有21條4英寸有44條表格中未包括5寸及以下的情況。`
2016-12-22 15:59:06
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內在特性。
2019-07-31 06:19:34
2寸的芯片，現在已經能制造4寸了。業內普遍認為，要大規模生產功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規模生產。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對測試過程提供了技術支持。測試背景：3C消費類產品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
30個，組成全亞洲最具競爭力的銷售網；2014年營業額達65億美金。 (*市場排名依Gartner公布數據)世平代理經銷品牌完整，涵括國際級半導體大廠亞德諾(ADI)、科銳 (CREE)、快捷/飛兆
2015-08-17 11:00:19
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
安森美半導體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點開設了一個新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題，泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
目前的永磁電機或稱為直流無刷電機(BLDC)的應用非常廣泛。與其他電機相比，永磁電機可提供每立方英寸更高的扭矩和更優越的動態性能。到目前為止，硅基功率器件在逆變器電子領域中一直占主導地位。可是，它們
2023-06-25 13:58:54
性。不過硅襯底比碳化硅襯底更便宜。Macom正在計劃將生產工藝從6英寸升級到8英寸，從而進一步降低基于硅的氮化鎵射頻工藝現在大多數基于碳化硅的氮化鎵還是采用3英寸或4英寸晶圓生產，因此成本非常高
2016-08-30 16:39:28
。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領先技術，在制程縮微方面，也已經切入0.1微米領域，高階制程持續領先同業。
穩懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術都自行開發而非客戶技轉( 宏捷科由
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應用的優勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因為內置了氮化鎵元器件，體型可以做的非常的纖薄，只有0.63英寸（約1.6cm）厚，并且是可折疊插腳設計，可以輕松裝進
2021-04-16 09:33:21
我馬上畢業了，簽約大聯大的世平集團，嵌入式軟件工程師職位，不知道這一家公司咋樣？知道的能不能說一說
2014-03-11 14:29:30
，其中第一梯隊有英諾賽科、納微、EPC等代表企業。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強型硅氮化鎵外延與芯片大規模量產的企業，也是躋身氮化鎵產業第一梯隊的國產半導體企業代表。
2019-07-05 04:20:06
難度，還降低了整體轉換效率。使用氮化鎵代替傳統硅MOS，器件的輸入電容大大減小了，高頻驅動的功耗，也就得到明顯的減小。提高電源的開關頻率也就成為了可能。目前英諾賽科已經推出了初級開關管和同步整流管均為
2021-11-02 09:03:39
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
本帖最后由 HHSJ2017 于 2017-6-13 09:03 編輯
本司因業務發展需組建一條8寸研發線，不知哪家公司有成套的8寸線設備愿意出售！希望對方最好是市面上主流的foundry代工
2017-06-13 09:02:11
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
的獨特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導體。不過，透明導電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業市場。
2023-04-14 15:39:35
。這款電源內置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
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