場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
　　場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
　　由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
　　特點
　　與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點。
　　（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
　　場效應(yīng)管AO4354 概述
　　最新的Trench Power AlphaMos（阿摩司LV）技術(shù)非常低的RDS（on）在4.5VASLow Gate Charge大電流能力ROHS和無鹵順應(yīng)性應(yīng)用1.Raua值是在Ta=25°C的窗臺空氣環(huán)境下用20Z銅安裝在1in2FR-4板上的裝置測量的。在任何給定的應(yīng)用中，Raua值取決于用戶的規(guī)格板設(shè)計。
　　2.功率損耗P基于Twx-150”C，采用10s結(jié)晶-環(huán)境熱阻。
　　3.重復(fù)額定脈沖寬度受結(jié)溫Tpax-150°C限制。額定值基于低頻和占空比電路以保持初始Tj;=25℃。
　　4、最新Trench Power AlphaMOS（α-MOS LV）技術(shù)4.5 VGS極低RDS（ON）5、Low Gate Charge6、高電流能力
　　7、RoHS和無鹵順應(yīng)性
　　該產(chǎn)品已設(shè)計并符合消費市場的要求。作為關(guān)鍵的應(yīng)用或用途生命支持裝置或系統(tǒng)中的組件未被授權(quán)。AOS不承擔(dān)任何責(zé)任這種產(chǎn)品的應(yīng)用或使用。AOS保留改進產(chǎn)品設(shè)計的權(quán)利，功能和可靠性無需另行通知。

4 天前 上傳

下載附件 (5.6 KB)