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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>如何為設(shè)計(jì)應(yīng)用電路找到理想的晶體管器件

如何為設(shè)計(jì)應(yīng)用電路找到理想的晶體管器件

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8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理

規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成,并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜,但總的來(lái)說(shuō),它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
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晶體管電路設(shè)計(jì)

晶體管電路設(shè)計(jì)
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從事電子設(shè)計(jì)7年了,發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的,發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)(上)放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)(下)FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31

晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍!`
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晶體管電路設(shè)計(jì)-上

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晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

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晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2018-10-06 09:54:46

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晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述;然后利用可在微機(jī)上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介
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晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么?

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晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些

什么是電阻測(cè)量法?晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些?
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晶體管分類(lèi)及參數(shù)

晶體管分類(lèi)  按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi)  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。  按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33

晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告

統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入,取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極一些參數(shù)的測(cè)定,并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口,可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
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晶體管可以作為開(kāi)關(guān)使用!

通。晶體管導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)就導(dǎo)通,并且允許電流通過(guò)該管。晶體管開(kāi)關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開(kāi)路的連接方式晶體管作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí),能夠?qū)Ρ豢貙?duì)象進(jìn)行控制,諸如LED、電動(dòng)機(jī)、繼電器線圈等。應(yīng)為此時(shí)晶體管
2017-03-28 15:54:24

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

`  《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一,共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
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晶體管射隨電路

晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級(jí)電路對(duì)前級(jí)電路的影響和有些前級(jí)電路的輸出要求有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時(shí),要用到緩沖電路,從而達(dá)到增強(qiáng)電路的帶負(fù)載能力和前后級(jí)阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13

晶體管開(kāi)關(guān)電路簡(jiǎn)介

一、晶體管開(kāi)關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31

晶體管式電流傳感器的識(shí)別

  晶體管式電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測(cè)電流用電阻。使負(fù)荷電流通過(guò)該電阻,并利用運(yùn)算放大器(OP比較電路)將其電壓降值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,當(dāng)電流檢測(cè)電阻上的電壓降低于基準(zhǔn)電壓時(shí),比較器的輸出電流點(diǎn)亮報(bào)警
2018-10-31 17:13:28

晶體管性能的檢測(cè)

孔,按動(dòng)相應(yīng)的V(BR)鍵,再?gòu)谋碇凶x出反向擊穿電壓值。對(duì)于反向擊穿電壓低于50V的晶體管,也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測(cè)試。將待測(cè)晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測(cè)試電路的A端、B端相連(PNP
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晶體管放大倍數(shù)

在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
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晶體管放大器設(shè)計(jì)

;頻率特性和通頻帶。難點(diǎn):靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路,稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
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晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些

晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些?晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些?
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晶體管溫控電路

晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí),16μF電容上電壓為零,兩個(gè)三極都截止,繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電,過(guò)一段時(shí)間后,其上電壓達(dá)到高電平,兩個(gè)三極都導(dǎo)通,繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?

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2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管以外,還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列,還有構(gòu)成簡(jiǎn)單電路晶體管單元。※數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計(jì)中將頻繁使用的部分
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類(lèi)與特征

的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān),因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性
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晶體管的分類(lèi)與特征

相關(guān)的參數(shù),以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開(kāi)關(guān),因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33

晶體管的開(kāi)關(guān)作用有哪些?

控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
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2021-05-25 07:25:25

晶體管的由來(lái)

晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且,正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首,電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類(lèi)。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

晶體管的品種繁多,不同的電子設(shè)備與不同的電子電路,對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途,不同類(lèi)型的晶體管。 1.一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理(例如
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晶體管簡(jiǎn)介

列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓:VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此,通過(guò)測(cè)定VBE,可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路,對(duì)晶體管輸入封裝功率:PC
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極中應(yīng)用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等)表示。  晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
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晶體管驅(qū)動(dòng)電路的問(wèn)題?

【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路,在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極D2,說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2,直接驅(qū)動(dòng)MOSFETQ2,達(dá)到提高導(dǎo)
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IGBT絕緣柵雙極晶體管

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LABVIEW可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)嗎

向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣,只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性,想問(wèn)下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎?我在庫(kù)里沒(méi)找到晶體管,能幫忙指出在哪可以找到嗎?謝謝!實(shí)在是太菜鳥(niǎo)了,請(qǐng)見(jiàn)諒。能建立下圖這種電路就行。
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MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

  在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。  平面與三維 (3D)  平面MOSFET(圖1)在Lg
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RF功率晶體管耐用性的三個(gè)電氣參數(shù)驗(yàn)證

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晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》

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2020-08-19 18:24:17

晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分享

本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯 《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述;然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36

【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總

`內(nèi)容簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一,共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路
2017-07-25 15:29:55

【轉(zhuǎn)帖】元器件科普之晶體管基礎(chǔ)知識(shí)大放送

何為晶體管晶體管又稱雙極結(jié)型晶體管 (BJT),是由電流驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動(dòng),其中,基極引線中的較小電流控制集電極和發(fā)射極之間較大的電流。它們能用于放大弱信號(hào),用作振蕩器或開(kāi)關(guān)
2018-06-29 16:45:19

互補(bǔ)晶體管怎么匹配?

互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03

什么是晶體管 晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)

晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度,晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能,包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

什么是達(dá)林頓晶體管

相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對(duì)的最大集電極電流,可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個(gè)器件中。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11

什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

開(kāi)關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車(chē)等。  鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管代表鰭狀場(chǎng)效應(yīng)晶體管。鰭片,因?yàn)樗幸粋€(gè)鰭狀體——形成晶體管主體的硅鰭片區(qū)分了它。場(chǎng)效應(yīng),因?yàn)?/div>
2023-02-24 15:25:29

入門(mén)經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊(cè)讓你感性認(rèn)識(shí)晶體管

`簡(jiǎn)介:《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一,共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用,射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路,小型
2017-06-22 18:05:03

關(guān)于PNP晶體管的常見(jiàn)問(wèn)題

PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56

關(guān)于ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路的知識(shí)匯總

ULN2003是什么?ULN2003的主要特點(diǎn)是什么?ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路有哪些應(yīng)用?怎樣去設(shè)計(jì)一種ULN2003達(dá)林頓晶體管集成電路
2021-08-11 09:17:12

分析如何為便攜式電子設(shè)備挑選安全可靠的場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管在芯片中的作用講起:開(kāi)關(guān)電源芯片就是利用電子開(kāi)關(guān)器件晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、閘流管等,通過(guò)控制電路,使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”,讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制,維持穩(wěn)定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28

單結(jié)晶體管仿真

各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06

單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到

本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 17:45 編輯 單結(jié)晶體管期間在multisim11哪能找到
2015-09-14 17:38:22

含有分立器件晶體管和集成器件運(yùn)放的電路其輸入電阻和輸出電阻怎么求解?

對(duì)于一個(gè)含有晶體管,場(chǎng)效應(yīng),運(yùn)放的電路,該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻,舉例而言,在含有晶體管電路射極跟隨器中,求解輸出電阻時(shí),為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻,此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極
2024-01-10 17:17:56

場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路中的特別應(yīng)用,你未必全都清楚

`在電子元器件行業(yè),場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開(kāi)關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以在開(kāi)關(guān)電路中迅速走紅, 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

用功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開(kāi)啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的比較

)場(chǎng)效應(yīng)是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51

基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

    圖4.基本NPN晶體管開(kāi)關(guān)電路  該電路類(lèi)似于共發(fā)射極電路。不同之處在于,我們需要將晶體管完全打開(kāi)(飽和)或完全關(guān)閉(切斷)才能將其作為開(kāi)關(guān)運(yùn)行。  理想晶體管開(kāi)關(guān)在完全關(guān)閉時(shí)在發(fā)射極
2023-02-20 16:35:09

如何加速晶體管的水平輸出級(jí)

本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路,它從輸出晶體管器件開(kāi)始再返回到水平振蕩器,便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。
2014-09-22 17:14:04

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

如何改善晶體管的損耗

  為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下:    加速電路一  在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49

如何選擇分立晶體管

來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn):如何選擇分立晶體管
2023-11-24 08:16:54

實(shí)例講解,教你提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度

。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。(1)晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間:晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程,關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-09-22 08:00:00

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么?

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40

常見(jiàn)的晶體管電路符號(hào)有哪幾種

什么是電信號(hào)?常見(jiàn)的晶體管電路符號(hào)有哪幾種?
2021-10-29 07:04:27

教你巧用幾個(gè)設(shè)計(jì),輕松提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度

。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。(1)晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間:晶體管的開(kāi)關(guān)波形如圖1所示。其中開(kāi)啟過(guò)程又分為延遲和上升兩個(gè)過(guò)程,關(guān)斷過(guò)程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過(guò)程
2019-08-19 04:00:00

數(shù)字晶體管的原理

)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并標(biāo)記為IO。因此電路
2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說(shuō)GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字
2019-04-09 21:49:36

日本人寫(xiě)的《晶體管電路設(shè)計(jì)》_非常牛逼!

` 《晶體管電路設(shè)計(jì)》`
2013-07-05 20:47:07

有沒(méi)有關(guān)于晶體管開(kāi)關(guān)的電路分享?

有沒(méi)有關(guān)于晶體管開(kāi)關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27

概述晶體管

晶體管以外,還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列,還有構(gòu)成簡(jiǎn)單電路晶體管單元。※數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計(jì)中將頻繁使用的部分
2019-05-05 01:31:57

電子晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

電子產(chǎn)品中,近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。  而晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

(RDS(on))。理想情況下,所選器件應(yīng)均勻匹配,以確保靜態(tài)電流在并聯(lián)晶體管之間平均分配。其次,在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)過(guò)程中,如果晶體管柵極缺乏對(duì)稱性,不僅會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)晶體管的電流分配不平衡,動(dòng)態(tài)電流和電路寄生參數(shù)
2021-01-19 16:48:15

縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

2000一5000(α=0.995-0.9998)。  是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00

絕緣門(mén)/雙極性晶體管介紹與特性

IGBT 是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管,它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT,是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉,使其成為理想
2022-04-29 10:55:25

請(qǐng)問(wèn)采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路怎么樣?

采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51

請(qǐng)問(wèn)鈴木的晶體管電路該怎么理解?

上面這段怎么理解啊,這個(gè)是鈴木的晶體管電路上面的,
2019-04-04 02:43:43

達(dá)林頓晶體管ULN2003應(yīng)用電路及中文資料

的關(guān)系曲線,從圖4可以看出,隨著輸入電流的增加,輸出電壓隨之降低,而隨著輸出電流的增加,輸出電壓也隨之增加。5 ULN2003A的典型應(yīng)用ULN2003A型高壓大電流達(dá)林頓晶體管陣列電路的典型應(yīng)用電路
2011-05-31 13:46:55

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家

這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56

防止開(kāi)關(guān)晶體管損壞的措施

時(shí),RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。  3、充放電型RCD阻尼電路    圖三  圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),電容C通過(guò)二極被充電
2020-11-26 17:26:39

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