（文章來源：OFweek）

對于射頻技術的發展，新型半導體材料也發揮著關鍵作用，尤其是GaN射頻功率放大器具備高功率、高增益和高效率的特性，更能滿足5G基站的需求。從5G的頻譜劃分來看，主要包含Sub－6G和mmWave（毫米波）兩種，中國主推Sub－6G，基站距離是500m－1000m，美國主推mmWave（毫米波），基站距離是300m。目前，射頻應用主要采用砷化鎵（GaAS）技術和氮化鎵（GaN）技術，GaAS支持的帶寬頻譜范圍是900MHz到3GHz，GaN支持的帶寬頻譜范圍是3GHz－6GHz。

在2G／3G／4G通信中，帶寬范圍是900MHz到3GHz，主要采用GaAS技術；到5G 時代，GaAs PA已經無法滿足技術需求，帶寬在Sub－6G（3GHz－6GHz）階段GaAS技術尚可滿足需求，當帶寬到mmWave （28GHz－52GHz）階段需要GaN技術才能滿足要求。據國家新材料產業發展戰略咨詢委員會預測，2023年GaN射頻器件市場規模將達到13億美元。5G基礎建設大范圍鋪開后，GaN器件數量將以80％的年均復合增長率增長。

在市場需求的推動下，中國的射頻廠商在GaAS和GaN技術上取得了突破性進展。在GaAS領域，有三安集成、Vanchip（唯捷創芯）、長電科技；在GaN領域，IDM企業有蘇州能訊、英諾賽科，大連芯冠科技、海思等公司，GaN 器件代工企業有海威華芯和三安集成，中電科 13 所、55 所也擁有 GaN 器件制造能力。

總體來看，國內射頻產業鏈已經搭建完成，從射頻芯片設計，到封測、制造三個環節均有公司可以支撐，其中IDM公司、Fabless公司和代工廠齊頭并進，并且在新材料的研發上也取得了不錯的成績。

從全球市場來看，Qorvo、skyworks、Broadcom等三大公司仍然會占據主流；從國內市場來看，射頻芯片的設計門檻較高，國內射頻廠商無論是IDM廠商，還是制造代工廠的制程技術仍屬于弱勢，所推出產品主要針對中低市場。未來隨著技術積累和人力投入加大，國內射頻廠商可有機會追趕國際主流射頻大廠的步伐。

5G時代的新需求給國內射頻產業鏈帶來快速的發展機會，但是也對傳輸速率、時延、流量密度、移動性等提出更高要求，國內射頻廠商要在新產品、新工藝、新材料方面齊下手，緊跟國際大廠前進步伐，才能享受5G帶來的高速增長紅利。