集成高速串行接口的EMI濾波及ESD保護問題(3)
2011年08月19日 10:34 本站整理 作者：網絡 用戶評論（0）
表1：安森美半導體硅共模濾波器
值得一提提，將ESD保護構建在共模濾波器襯底中并不會明顯降低信號完整性等級，能夠針對重復出現的ESD事件提供保護。這些更高集成度器件的占位面積比基于傳統線圈的共模濾波器(在500 MHz及3 GHz截止頻率時共模抑制比為15 dB)小，性能相當，但覆蓋的噪聲抑制頻率范圍要大多得。這些硅共模濾波器的關鍵特性包括智能手機手機通信頻率范圍的寬帶衰減。設計人員在始于700 MHz的頻率能夠獲得-25 dB的共模衰減，而這是LTE及4G通信的重要頻率。
此外，這些硅共模濾波器的ESD保護動作非常快，能夠提供±15 kV接觸放電的ESD保護，優于反應動作更慢的壓敏電阻ESD保護方案。壓敏電阻較慢的響應時間會使接口的電壓更高，可能損壞ESD器件旨在保護的產品。在0.5 mm間距的塑料封裝中，這些硅共模濾波器與最流行的接口標準兼容及匹配，能夠通過HDMI 1080p 24位全彩色信號，而不會損及信號質量。
圖5：安森美半導體EMI4182硅共模濾波器在HDMI 1.4環境下的信號完整性演示
總結
安森美半導體推出了集成共模EMI濾波和ESD保護的系列高集成度IC，如EMI2121、EMI4182及EMI4183等。與基于鐵氧體或陶瓷的共模濾波器相比，這種高集成IC在無線頻譜范圍內為手機頻率提供更深的衰減曲線，配合智能手機及數碼相機等應用的高帶寬連接需求，同時提升系統可靠性、減少元件數量及降低成本。
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( 發表人：小蘭 )